Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

   Г5
   П 58

    Попов, Захар Иванович.
    Теоретическое исследование материалов для сорбции водорода и лития [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / З. И. Попов ; науч. рук. А. С. Федоров ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2013. - 106 с. - Библиогр.: 152 назв. -

ГРНТИ

31.15.35

44.31.39

31.01.77

ББК Г583я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович \науч. рук.\; Fedorov, A. S.; Popov Z.I.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it / A. A. Kuzubov [et al.] // JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P. 634-638, DOI 10.1134/S0021364013110088 . - ISSN 0021-3640
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Serzhantova, M. V.; Denisov, V. M.; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич
}
Найти похожие

Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Сержантова, Мария Викторовна; Денисов, Виктор Михайлович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие

Исследование влияния концентрации лития на скорость диффузии в кристаллическом кремнии / З. И. Попов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 2. - С. 225-228

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна
}
Найти похожие

DFT investigation of the influence of ordered vacancies on elastic and magnetic properties of graphene and graphene-like SiC and BN structures / A. S. Fedorov [et al.] // Phys. Status Solidi B. - 2012. - Vol. 249, Is. 12. - P. 2549-2552, DOI 10.1002/pssb.201200105. - Cited References: 32. - The work was supported by The Ministry of education and science of Russia, project 14.B37.21.0163. The authors express their gratitude to the Joint Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences, Moscow and the supercomputer center of the Moscow State University (SKIF-MGU) for the possibility of using their computer clusters to perform all calculations. . - ISSN 0370-1972

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
WALLED CARBON NANOTUBES
   INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   AB-INITIO
   DEFECTS
   STATE
   MONOLAYER
   POINTS
Кл.слова (ненормированные):
boron nitride -- carbon silicide -- elastic properties -- graphene -- magnetic properties -- vacancies
Аннотация: Influence of ordered monovacancies on elastic properties of graphene is theoretically investigated by density functional theory (DFT) calculations. Inverse linear dependence of the graphene Young's modulus on the concentration of vacancies has been revealed and migration rate of the vacancies has been calculated as a function of applied strain. It is shown that the migration rate can be controlled by applying various strains or temperatures. The influence of ordered monovacancies on magnetic properties of graphene as well as graphene-like hexagonal carbon silicide (2D-SiC) and the boron nitride (h-BN) structures is investigated. It is established that the presence of vacancies in all systems yields the appearance of local magnetic moment. However, in 2D-SiC structure the magnetic moment occurs only in the case of a Si vacancy. Influence of the distance between vacancies on the ferromagnetic or anti-ferromagnetic ordering for all structures is established. (C) 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Fedorov, A. S.
Popov, Z. I.
Fedorov, D. A.] RAS, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Eliseeva, N. S.
Serjantova, M. V.
Kuzubov, A. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Fedorov, D. A.; Федоров, Дмитрий Александрович; Eliseeva, N. S.; Serjantova, M. V.; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович
}
Найти похожие

Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon / A. S. Fedorov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P. 143-147, DOI 10.1134/S0021364012030058. - Cited References: 28. - We are grateful to the Institute of Computational Modeling, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; the Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences; and the Computer Center, Siberian Federal University, for the use of their computer clusters for performing all calculations. This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013). . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ACCELERATED MOLECULAR-DYNAMICS
   AB-INITIO
   INFREQUENT EVENTS
   SIMULATION
   RELAXATION
   HYDROGEN
   POINTS
   SI
Аннотация: The effect of the lattice deformation on potential barriers for the motion of a lithium atom in crystalline silicon has been studied through ab initio density functional calculations. A new universal method of calculating the diffusion coefficient of an admixture in amorphous solid media through the activation mechanism has been proposed on the basis of these data. The method is based on the calculation of the statistical distribution of potential barriers for the motion of an admixture atom between minima depending on the position of neighboring atoms. First, the amorphous structure, which is generated by annealing from the crystalline structure with vacancies, has been simulated. Then, the statistical distribution of the potential barriers in the amorphous structure for various local environments of the admixture atoms has been calculated by means of linear regression with the parameters determined for barriers in crystalline silicon subjected to different deformations. The diffusion coefficient of the admixture has been calculated from this distribution by using the Arrhenius formula. This method has been tested by the example of crystalline and amorphous silicon with admixture of lithium atoms. The method demonstrates that the diffusion of lithium in amorphous silicon is much faster than that in crystalline silicon; this relation is confirmed experimentally.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии [Текст] / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2012. - Т. 95 Вып. 3-4. - С. 159-163

Держатели документа:
[Fedorov, A. S.
Popov, Z. I.
Ovchinnikov, S. G.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Kuzubov, A. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 3-4. - С. 159-163. - Библиогр.: 26 назв. - Работа была поддержана Федеральной целевой программой "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы". Авторы выражают благодарность Институту компьютерного моделирования СО РАН, Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, а также компьютерному центру Сибирского федерального университета за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых и были произведены все расчеты. . - ISSN 0370-274X

ГРНТИ

29.19.17

Рубрики:
SJB
   SJR
   SJF
   SJH
Аннотация: Методом аb initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. С использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon [Текст] / A. S. Fedorov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 95 Is. 3.- P.143-147

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163 . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon // JETP Letters : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon, as well as on its surface at different lithium concentrations / A. S. Fedorov [и др.] // Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P. 133-134

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие

10.

The iron carbides at high pressures studied by first principles calculations: Revisited / Z. I. Popov [et al.] // 3 Int. Conf. “Crystallogenesis and Mineralogy" : Abstracts. - 2013. - P. 316-317

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Litasov, K. D.; Литасов, Константин Дмитриевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Crystallogenesis and Mineralogy, International Conference (3 ; 2013 ; 27 Sept.-1 Oct. 1 ; Novosibirsk)
}
Найти похожие