Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (6)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Kuzubov, A. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 145
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

    Electronic structure of α-SrB[[d]]4[[/d]]O[[d]]7[[/d]]: experiment and theory / V. V. Atuchin [et al.] // J. Phys.: Condens. Matter. - 2013. - Vol. 25, no. 8. - Ст. 085503DOI 10.1088/0953-8984/25/8/085503
   Перевод заглавия: Электронная структура α-SrB4O7: эксперимент и теория
Аннотация: The investigation of valence band structure and electronic parameters of constituent element core levels of α-SrB4O7 has been carried out with x-ray photoemission spectroscopy. Optical-quality crystal α-SrB4O7 has been grown by the Czochralski method. Detailed photoemission spectra of the element core levels have been recorded from the powder sample under excitation by nonmonochromatic Al Kα radiation (1486.6 eV). The band structure of α-SrB4O7 has been calculated by ab initio methods and compared to XPS measurements. It has been found that the band structure of α-SrB4O7 is weakly dependent on the Sr-related states.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
SB RAS, Inst Semicond Phys, Lab Opt Mat & Struct, Novosibirsk 630090 90, Russia
SB RAS, Inst Semicond Phys, Lab Phys Bases Integrated Microelect, Novosibirsk 630090 90, Russia
SB RAS, Inst Phys, Lab Crystal Phys, Krasnoyarsk 660036 36, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041 41, Russia
SB RAS, Inst Phys, Lab Coherent Opt, Krasnoyarsk 660036 36, Russia

Доп.точки доступа:
Atuchin, V. V.; Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ignatova, N. Y.; Kesler, V. G.
}
Найти похожие

    Electronic structure of α-SrB4O7: Experiment and theory / A. S. Aleksandrovsky [et al.] // The 7th Russian-French workshop on Nanosciences and Nanotechnologies : Program and abstract book / ed. A. V. Okotrub. - Novosibirsk, 2013. - P. 47 . - ISBN 978-5-901688-29-8
   Перевод заглавия: Электронная структура α-SrB4O7: эксперимент и теория

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Okotrub, A.V. \ed.\; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Atuchin, V. V.; Kesler, V. G.; Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ignatova, N. Y.; Russian-French workshop on Nanosciences and Nanotechnologies(7 ; 2013 ; Jun. ; 3-6 ; Новосибирск); Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

    Electronic structure of α-SrB4O7 / V. V. Atuchin [et al.] // XVI Международная конференция "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" : Труды. - Ульяновск, 2013. - P. 101-101
   Перевод заглавия: Электронная структура α-SrB4O7

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Atuchin, V. V.; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Ignatova, N. Y.; Kesler, V. G.; Kuzubov, A. A.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН; Ульяновский государственный университет; Российский фонд фундаментальных исследований; Академия наук Татарстана; "Opto-, nanoelectronics, nanotechnology, and microsystems", International Conference (2013 ; Jul. ; 26-30 ; Ulyanovsk, Russia); "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", международная конференция (2013 ; июль.; 26-30 ; Ульяновск)
}
Найти похожие

Contact-induced spin polarization in graphene/h-BN/Ni nanocomposites / P. V. Avramov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2012. - Vol. 112, Is. 11. - Ст. 114303. - P. , DOI 10.1063/1.4767134. - Cited References: 47. - This work was supported by JAEA Research fellowship (P.V.A.). P.V.A. also acknowledges JAEA ASRC and Molecular Spintronics Group for hospitality and fruitful collaboration. The authors are grateful to the ICS SB RAS and SFU CC (Krasnoyarsk), ISC RAS and MSU CRC, (SKIF MSU "Chebyshev", Moscow) for computer resources. This work was partially supported by the RFBR grant 12-02-31417. . - ISSN 0021-8979

РУБ Physics, Applied + Boron nitride + Electronic structure + Nanocomposites + Plates (structural components) + Spin polarization + Graphene
Рубрики:
HEXAGONAL BORON-NITRIDE
   TRILAYER GRAPHENE
   NI(111) SURFACE
   GRAPHITE
   APPROXIMATION
   SPINTRONICS
   DIFFRACTION
   SIMULATION
   SUBSTRATE
   CARBON
Аннотация: Atomic and electronic structure of graphene/Ni(111), h-BN/Ni(111) and graphene/h-BN/Ni(111) nanocomposites with different numbers of graphene and h-BN layers and in different mutual arrangements of graphene/Ni and h-BN/Ni at the interfaces was studied using LDA/PBC/PW technique. Using the same technique corresponding graphene, h-BN and graphene/h-BN structures without the Ni plate were calculated for the sake of comparison. It was suggested that C-top:C-fcc and N-top:B-fcc configurations are energetically favorable for the graphene/Ni and h-BN/Ni interfaces, respectively. The Ni plate was found to induce a significant degree of spin polarization in graphene and h-BN through exchange interactions of the electronic states located on different fragments. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4767134]

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Avramov, Pavel V.
Sakai, Seiji
Ohtomo, Manabu
Entani, Shiro
Matsumoto, Yoshihiro
Naramoto, Hiroshi] Japan Atom Energy Agcy, Adv Sci Res Ctr, Tokai, Ibaraki 3191195, Japan
[Avramov, Pavel V.
Kuzubov, A. A.
Eleseeva, Natalia S.] LV Kirensky Inst Phys SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Avramov, P. V.; Аврамов, Павел Вениаминович; Kuzubov, A. A.; Sakai, Seiji; Ohtomo, Manabu; Entani, Shiro; Matsumoto, Yoshihiro; Naramoto, Hiroshi; Eleseeva, N. S.; Елисеева, Наталья Сергеевна
}
Найти похожие

Possibility of a 2D SiC monolayer formation on Mg(0001) and MgO(111) substrates / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A. - 2013. - Vol. 87, Is. 8. - P. 1332-1335, DOI 10.1134/S0036024413080141. - Cited References: 25 . - ISSN 0036-0244

РУБ Chemistry, Physical
Рубрики:
AB-INITIO
   THIN-FILMS
   NANOTUBES
   ENERGY
Кл.слова (ненормированные):
silicon carbide monolayer -- density functional theory
Аннотация: The geometrical characteristics of a 2D SiC monolayer on Mg(0001) and MgO(111) plates regarded as potential materials for growing two-dimensional silicon carbide were studied. The most favorable positions of the atoms of 2D SiC on the substrates were determined. In the 2D SiC/Mg(0001) system, unlike in 2D SiC/MgO(111), the deviation of the carbon atom from the silicon carbide monolayer was insignificant (0.08 ). Consequently, magnesium can be used as a substrate for growing two-dimensional silicon carbide. The use of MgO(111) is not recommended because of a significant distortion of the 2D SiC surface.

Смотреть статью,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Возможность образования монослоя 2D SIC на подложках Mg(0001) и MgO(111). - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk, Russia
Siberian State Univ Technol, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Tolstaya, A. V.
}
Найти похожие

Возможность образования монослоя 2D SIC на подложках Mg(0001) и MgO(111) / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2013. - Т. 87, № 8. - С. 1336-1340DOI 10.7868/S0044453713080189
Аннотация: Исследованы геометрические особенности монослоя 2D SiC на пластинках Mg(0001) и MgO(111), рассматриваемых в качестве потенциальных материалов для выращивания двумерного карбида кремния. Определены наиболее выгодные положения атомов 2D SiC на подложках. Показано, что величина выхода атома углерода из плоскости монослоя карбида кремния незначительна в системе 2D SiC/Mg(0001) в отличие от 2D SiC/MgO(111) и составляет 0.08 A. Следовательно, существует возможность использования магния в качестве подложки для выращивания двумерного карбида кремния. Использовать MgO(111) нецелесообразно из-за сильного искажения поверхности 2D SiC.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Possibility of a 2D SiC monolayer formation on Mg(0001) and MgO(111) substrates. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov A. S.; Толстая, А. В.
}
Найти похожие

Structural properties and high temperature spin and electronic transitions in GdCoO[[d]]3[[/d]]: experiment and theory [Текст] / Yu. S. Orlov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P200 . - ISBN 978-5-7444-3124-2

Доп.точки доступа:
Orlov, Yu.S.; Орлов, Юрий Сергеевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Dudnikov, V. A.; Дудников, Вячеслав Анатольевич; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it / A. A. Kuzubov [et al.] // JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P. 634-638, DOI 10.1134/S0021364013110088 . - ISSN 0021-3640
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Serzhantova, M. V.; Denisov, V. M.; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич
}
Найти похожие

Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Сержантова, Мария Викторовна; Денисов, Виктор Михайлович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие

10.

Theoretical study of the magnetic properties of ordered vacancies in 2D hexagonal structures: Graphene, 2D-SiC, and h-BN / N. S. Eliseeva [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 11. - P. 555-559, DOI 10.1134/S0021364012110045. - Cited References: 29 . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   METALS
   TRANSITION
   DEFECTS
   STATE
Аннотация: The magnetic properties of vacancies in 2D hexagonal structures-graphene and 2D-SiC and h-BN monolayers-have been studied. It has been found that a local magnetic moment exists in all listed systems in the presence of vacancies. However, in 2D hexagonal silicon carbide, the local magnetic moment appears only in the presence of silicon vacancy. In addition, the effect of the distance between vacancies in a monolayer on transitions between the ferromagnetic and antiferromagnetic states has been revealed.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование магнитных свойств упорядоченных вакансий в 2D гексагональных структурах: графен, 2D-SiC, h-BN [Текст] / Н. С. Елисеева [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2012. - Т. 95 Вып. 11/12. - С. 633-637

Держатели документа:
[Eliseeva, N. S.
Kuzubov, A. A.
Ovchinnikov, S. G.
Serzhantova, M. V.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia
[Kuzubov, A. A.] Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660049, Russia
[Kuzubov, A. A.
Ovchinnikov, S. G.
Tomilin, F. N.
Fedorov, A. S.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Serzhantova, M. V.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
[Fedorov, A. S.] Moscow State Univ Econ Stat & Informat, Krasnoyarsk Branch, Krasnoyarsk 660012, Russia

Доп.точки доступа:
Eliseeva, N. S.; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Serzhantova, M. V.; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович
}
Найти похожие