Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Yakovlev, I. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 173
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

XMCD study of (Fe/Si)[[]d]N[[/d]] nanostructured films [Текст] / M. S. Platunov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P183 . - ISBN 978-5-7444-3124-2

Доп.точки доступа:
Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Weschke, E.; Весчке И.; Schierle, E.; Счайле И.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Magnetic anisotropy in Fe films deposited on SiO2/Si(001) and Si(001) substrates / S. V. Komogortsev [et al.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P310 . - ISBN 978-5-7444-3124-2

Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Magnetic anisotropy in Fe films deposited on SiO2/Si(001) and Si(001) substrates / S. V. Komogortsev [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2014. - Vol. 351. - P. 104-108, DOI 10.1016/j.jmmm.2013.09.058. - Cited References: 40. - The work has been supported by RFBR Grant 11-03-00168-a, 12-02-00943-a, 13-02-01265-a, Interdisciplinary integration of fundamental research of SB RAS (2012-2014) project No. 64. Also the study was supported by The Ministry of Education and Science of Russian Federation, project 14.513.11.0016. . - ISSN 0304-8853. - ISSN 873-4766

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
UNIAXIAL ANISOTROPY
   SURFACE
   SILICON
   ROUGHNESS
Кл.слова (ненормированные):
Epitaxial growth -- Iron -- Magnetic anisotropy -- Thin film
Аннотация: The magnetic anisotropy of 10 nm iron films deposited in an ultra high vacuum on the Si(001) surface and on the Si(001) over caped by 1.5 nm layer of SiO2 was investigated. There is in-plane uniaxial magnetic anisotropy caused by oblique sputtering in the Fe films on a SiO2 buffer layer. The easy magnetization axis is always normal to the atomic flux direction but the value of the anisotropy field is different depending on the axial angle among sputtering direction and the substrate crystallographic axes. It is argued that the uniaxial magnetic anisotropy results from elongated surface roughness formation during film deposition. Several easy magnetization axes are found in Fe/Si(001) film without the SiO2 buffer layer. The mutual orientation of the main easy axes and Si crystallographic axes indicates that there is epitaxial growth of Fe/Si(001) film with the following orientation relative to the substrate: Fe[100] ?Si[110]. The anisotropy energy of Fe/Si(001) film is estimated by simulation of angle dependence of remnant magnetization m r as the sum of the mr angle plot from uniaxial anisotropy (induced by oblique deposition) and the polar plot from biaxial magnetocrystalline anisotropy. В© 2013 Elsevier B.V.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Inst Phys SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660000, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

Magnetic anisotropy of Fe films on Si(001) with and without SiO2 buffer layer / S. V. Komogortsev, S. N. Varnakov, S. A. Satsuk // Asian School-Conf. on Phys. and Technol.of Nanostruct. Mater. - 2013. - P. 75-76

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие

Structural, magnetic and optical properties of Me/Si (Me=Mn,Fe) nanostructures perfomed by in situ magnetoellipsometry / N. N. Kosyrev [et al.] // 6th Int. Conf. on Spectr. Ellipsometry (ICSE-VI 2013) : Conf. programm and abstr. - 2013. - P. 205

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Shvetsov, D. V.; Maksimova, O. A.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Shvets, V. A.; Швец, Василий Александрович; Rykhkitsky, S. V.; Рыхлицкий С.В.; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (6 ; 2013 ; May ; 26-31 ; Kyoto, Japan)
}
Найти похожие

In situ spectral magnetoellipsometry for structural, magnetic and optical properties of Me/Si (Me=Mn,Fe) nanolayers / V. N. Zabluda [et al.] // Proc. int. conf. nanomaterials: application and properties. - 2013. - Vol. 2, No. 3. - P. 03AET11

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Shvetsov, D. V.; Maksimova, O. A.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Shvets, V. A.; Швец, Василий Александрович; Rykhlitsky, S. V.; Рыхлицкий С.В.; International conference nanomaterials: applications and properties(2013 ; Sept. 16-21 ; Crimea, Ukraine)
}
Найти похожие

Time-resolved ellipsometric characterization of (Fe/Si)n multilayer film synthesis / I. A. Tarasov [и др.] // Donostia Int. Conf. on Nanoscaled Magnetism and Applications : Abstracts book. - 2013. - Ст. P1-27. - P. 260

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications (9 -13 Sept. 2013 ; San Sebastian, Spain)
}
Найти похожие

Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ / Н. Н. Косырев [и др.] // Журн. техн. физ. - 2014. - Т. 84, Вып. 5. - С. 109-112. - Библиогр.: 17 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, государственный контракт 14.513.11.0016, соглашения 14.132.21.1709 и 14.В37.21.1276, гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2), Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265), программы ОФН РАН № 2.4.1, программы Президиума РАН № 23.34, интеграционного проекта СО РАН № 38 . - ISSN 0044-4642
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Ψ и Δ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1−xCdxTe.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Ellipsometric technique for determining in situ the absorption coefficient of semiconducting nanolayers [Текст] / N. N. Kosyrev [et al.] // Tech. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 59 Is. 5.- P.736-739

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev N. N.; Швец, Василий Александрович; Михайлов, Н. Н.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Рыхлицкий, С. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.
}
Найти похожие

Исследование структурных и магнитных характеристик эпитаксиальных пленок Fe3Si/Si(111) / И. А. Яковлев [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99, Вып. 9-10. - С. 610 – 613, DOI 10.7868/S0370274X14090082. - Библиогр.: 19. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант #13-02-01265), гранта поддержки ведущей научной школы (Проект НШ-2886.2014.2) и Министерства образования и науки РФ (гос. контракт #02.G25.31.0043; госзадание СФУ в части проведения НИР на 2014г) . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Представлены результаты структурных и магнитных исследований эпитаксиальной структуры, полученной при одновременном напылении из двух источников железа и кремния на атомарно чистую поверхность Si(111)7×7 при температуре подложки 150 °С. Методами рентгеноструктурного анализа, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции отраженных быстрых электронов эпитаксиальная структура идентифицирована как монокристаллическая пленка силицида Fe3Si с ориентацией Si[111]Fe3Si[111]. Установлено, что эпитаксиальная пленка Fe3Si при комнатной температуре обладает магнитной одноосной анизотропией (Ha=26 Э) и имеет сравнительно узкую линию однородного ферромагнитного резонанса (Δ H=11.57 Э), измеренную на частоте накачки 2.274 ГГц.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Study of the structural and magnetic characteristics of epitaxial Fe3Si/Si(111) films [Текст] / I. A. Yakovlev [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 99 Is. 9.- P.527-530

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

10.

Оптические свойства эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si/Si(111) / И. А. Тарасов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99, Вып. 10. - С. 651-655DOI 10.7868/S0370274X14100026. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты # 13-02-01265, 14-02-31309), гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-2886.2014.2), Министерства образования и науки Российской Федерации (госконтракт # 02.G25.31.0043) и программы президиума РАН # 24.34
Аннотация: Методом спектральной эллипсометрии измерена дисперсия диэлектрической проницаемости \varepsilon эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si толщиной 27 нм в области энергий E=(1.16-4.96) эВ. Результаты сравниваются с дисперсией диэлектрической проницаемости, вычисленной в рамках метода функционала плотности с аппроксимацией GGA-PBE. Рассчитаны электронная структура Fe3Si и плотность электронных состояний (DOS). Анализ частот теоретически рассчитанных оптических переходов между пиками DOS дает качественное согласие с экспериментально измеренными пиками поглощения. Анализ данных одноволновой лазерной эллипсометрии, полученных в процессе синтеза пленки, показывает, что формирование сплошного слоя пленки силицида железа Fe3Si происходит при достижении ее толщиной в 5 нм.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Optical characteristics of an epitaxial Fe3Si/Si(111) iron silicide film [Текст] / I. A. Tarasov [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 99 Is. 10.- P.565-569

Держатели документа:
Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Федоров, Дмитрий Александрович; Fedorov, D. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие