Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>S=IMPEDANCE<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Magnetoresistance and magnetoimpedance in holmium manganese sulfides / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, M. N. Sitnikov [et al.] // Appl. Phys. A. - 2022. - Vol. 128, Is. 2. - Ст. 124, DOI 10.1007/s00339-021-05198-x. - Cited References: 46. - Funding was provided by Russian Foundation for Fundamental Investigations (20-42-243002) . - ISSN 0947-8396. - ISSN 1432-0630
   Перевод заглавия: Магнитосопротивление и магнитоимпеданс в гольмиевом сульфиде марганца
РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
PHASE-SEPARATION
   IMPEDANCE

Кл.слова (ненормированные):
Sulfides -- I-V characteristics -- Electrical polarization -- Magnetoresistance -- Magnetoimpedance
Аннотация: The structure, transport characteristics, real and imaginary parts of the impedance components and electric polarization of the HoXMn1-XS (X = 0.1 and 0.2) system have been investigated in the temperature range of 80-500 K in magnetic fields of up to 12 kOe. The morphology of synthesized samples has been studied. The influence of the magnetic field on the transport characteristics, on both direct and alternating currents of holmium manganese sulfides, have been established. The negative effects of DC magnetoresistance in the region of the magnetic phase transition and positive AC magnetoimpedance up to 4% in the paramagnetic region have been established. The critical temperatures of the existence of the electric polarization have been determined. At a substitution concentration of X = 0.1, the activation character of the relaxation time versus temperature has been found. The diffusion contribution for the composition with X = 0.2 has been established by the impedance hodograph.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Reshetnev Siberian State Univ Sci & Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia.

Доп.точки доступа:
Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна; Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Sitnikov, M. N.; Udod, L. V.; Удод, Любовь Викторовна; Kharkov, A. M.; Russian Foundation for Fundamental InvestigationsRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [20-42-243002]
}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)