Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=адатомы<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - Библиогр.: 21 назв. . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- дефекты -- адатомы -- метод функционала плотности
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Calculating the energy of vacancies and adatoms in a hexagonal SiC monolayer [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86 Is. 7.- P.1091-1095

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Толстая, А. В.
}
Найти похожие

538.915
Т 33


    Теоретическое исследование влияния деформации на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора / М . В. Сержантова, А. А. Кузубов, А. С. Федоров [и др.] // Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева. - 2011. - № 3. - С. 150-155 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of the influence of deformation on the electronic structure of a hexagonal boron nitride monolayer

ГРНТИ	29.19
УДК	538.915

Рубрики:

Кл.слова (ненормированные):
адатомы -- adatoms -- hexagonal boron nitride monolayer (h-bn) -- density functional theory (dft) -- electronic structure -- vacancies -- монослой гексагонального нитрида бора (h-bn) -- теория функционала плотности (dft) -- электронная структура -- вакансии
Аннотация: Работа посвящена исследованию влияния деформации на электронную структуру и свойства монослоя гексагонального нитрида бора, а также изучению поведения адатомов бора и азота на поверхности монослоя.
Work is devoted research of influence of deformation on electronic structure and properties of a monolayer hexagonal boron nitride, and also to behavior studying adatoms of boron and nitrogen on a monolayer surface.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук
Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета
Сибирский государственный технологический университет

Доп.точки доступа:
Сержантова, Мария Викторовна; Serzhantova M.V.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov P. O.
}
Найти похожие