Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=квантовый конфайнмент<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Атомная и электронная структура и квантовый конфайнмент в нанокристаллитах кремния. Часть I. Нанокристаллы кремния, погруженные в матрицу оксида кремния / Ф. Н. Томилин, Ю. А. Мельчакова, П. В. Артюшенко [и др.] // Изв. вузов. Физика. - 2023. - Т. 66, № 2. - С. 77-83, DOI 10.17223/00213411/66/2/77. - Библиогр.: 61. - Результаты были получены в рамках выполнения государственного задания Минобрнауки России, проект № FSWM-2020-0033 . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые кластеры -- атомная структура -- электронная структура -- запрещенная щель -- оптические свойства -- квантовый конфайнмент
Аннотация: В первой части обзора рассмотрены способы синтеза, структура и фотолюминесцентные свойства нанокристаллитов кремния, погруженных в матрицу оксида кремния, в частности, пористый кремний и нанокремний, полученный методами химического осаждения из газовой фазы (Chemical vapor deposition, CVD), ионной имплантации, напыления, и реакционного испарения. Показано, что основными факторами, влияющими на величину запрещенной щели нанокристаллитов кремния, являются эффекты квантового ограничения и различного рода дефекты, включая поверхностные, как самих нанокристаллов кремния, так и SiO2-матрицы. Для пористого кремния было доказано, что эффекты размерного ограничения являются причиной эффективной люминесценции из-за проявления фононов в резонансно-возбужденной области фотолюминесценции. Особое внимание уделено исследованиям природы запрещенной щели и показано, что она является непрямой как для пористого кремния, так и для различного типа кремниевых квантовых точек. Для всех нанообъектов наблюдаются четко выраженные эффекты размерного ограничения, при этом зависимость величины запрещенной щели от эффективных размеров для различных образцов разная. Показано, что роль поверхности нанокристаллов кремния и Si/SiO2 интерфейсов в формировании электронной структуры является определяющей.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, г. Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, г. Красноярск, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, г. Томск, Россия
Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр СО РАН», г. Красноярск, Россия
Красноярский государственный медицинский университет им. профессора В.Ф. Войно-Ясенецкого, г. Красноярск, Россия
Кёнбукский национальный университет, г. Тэгу, Республика Корея

Доп.точки доступа:
Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Мельчакова, Ю. А.; Артюшенко, П. В.; Рогова, А. В.; Аврамов, П. В.
}
Найти похожие

Атомная и электронная структура и квантовый конфайнмент в нанокристаллитах кремния. Часть II. Структура и оптические свойства допированных и сложных нанокристаллов / Ф. Н. Томилин, Ю. А. Мельчакова, П. В. Артюшенко [и др.] // Изв. вузов. Физика. - 2023. - Т. 66, № 3. - С. 77-83, DOI 10.17223/00213411/66/3/77. - Библиогр.: 27. - Результаты были получены в рамках выполнения государственного задания Минобрнауки России, проект № FSWM-2020-0033 . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые кластеры -- атомная структура -- электронная структура -- запрещенная щель -- оптические свойства -- квантовый конфайнмент
Аннотация: Во второй части обзора подробно рассмотрены структура и оптические свойства уникальных кремниевых нанокластеров, состоящих либо из двух и более фрагментов кубического кремния, химически соединенных посредством эквивалентных ˂111˃ поверхностей за счет двойникования, либо допированных ионами редкоземельных металлов нанокристаллитов кремния, в частности, ионами Er+3. Показано, что допирование нанокристаллов кремния, внедренных в оксидную матрицу, приводит к формированию узкого, с выраженной прямой зависимостью от концентрации допанта, высокоинтенсивного пика в спектрах фотолюминесценции в длинноволновой области (0.8 эВ) с одновременным резким уменьшением интегральной широкополосной интенсивности в области 1.3-1.7 эВ за счет полного подавления люминесценции от кремниевых нанокристаллов и полного переноса интегральной интенсивности в область излучения ионов эрбия. Показано, что оптимальными люминесцентными свойствами обладают nc -Si:Er/SiO2 гетероструктуры с достаточно маленькими нанокристаллами кремния, в которых ионы эрбия включены внутрь кристаллитов и не взаимодействуют с SiO2-матрицей. Был синтезирован широкий класс квази-сферических и дэкаэдральных кремниевых наночастиц двойниковой природы с эффективными размерами 20-60 нм и различными механизмами компенсации структурных напряжений.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, г. Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, г. Красноярск, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, г. Томск, Россия
Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр СО РАН», г. Красноярск, Россия
Красноярский государственный медицинский университет им. профессора В.Ф. Войно-Ясенецкого, г. Красноярск, Россия
Кёнбукский национальный университет, г. Тэгу, Республика Корея

Доп.точки доступа:
Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Мельчакова, Ю. А.; Артюшенко, П. В.; Рогова, А. В.; Аврамов, П. В.
}
Найти похожие

Тематический навигатор

Другие библиотеки

Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН

Библиотека института биофизики

Библиотека института химии и химический технологии

Библиотека института вычислительного моделирования

Библиотека института леса

Библиотека СФУ

Краевая научная библиотека

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)