Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (23)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=проводимость<.>)
Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 20
1.


   
    Влияние диамагнитного разбавления на магнитное упорядочение и электрическую проводимость в людвигите Co3O2BO3:Ga / Н. Б. Иванова [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2012. - Т. 54, Вып. 11. - С. 2080-2088. - Библиогр.: 30 назв. - Работа выполнена при поддержке грантов НШ-1044.2012.2, РФФИ N 12-02-00175-a, 12-02-00470-а . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Раствор-расплавным методом выращены монокристаллы кобальтового людвигита Co3O2BO3 с диамагнитным замещением ионами Ga3+. Проведено детальное исследование кристаллической структуры и магнитных свойств. Выявлен предпочтительный характер заселения галлием неэквивалентных кристаллографических позиций. Обнаружено уменьшение эффективного магнитного момента и температуры магнитного упорядочения по сравнению с исходным кристаллом Co3O2BO3. В присутствии галлия отмечено исчезновение магнитной анизотропии в кристаллографической плоскости ab, ярко выраженной в исходном материале Co3O2BO3.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Effect of the diamagnetic dilution on the magnetic ordering and electrical conductivity in the Co3O2BO3 : Ga ludwigite [Текст] / N. B. Ivanova [et al.] // Phys. Solid State. - 2012. - Vol. 54 Is. 11.- P.2212–2221

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Иванова, Наталья Борисовна; Ivanova, N.B.; Платунов, Михаил Сергеевич; Platunov, M. S.; Князев, Юрий Владимирович; Knyazev, Yu. V.; Казак, Наталья Валерьевна; Kazak, N.V.; Безматерных, Леонард Николаевич; Bezmaternykh, L. N.; Васильев, Александр Дмитриевич; Vasiliev, A. D.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Нижанковский, В. И.
}
Найти похожие
2.


    Воронов, Владимир Николаевич.
    Полиморфные превращения и ионная проводимость в кристаллах / В. Н. Воронов. - [Б. м.] : Lambert Academic Publishing, 2013. - 228 с. - Библиогр.: 212 назв. - ISBN 978-3-659-39150-7 : Б. ц.
Аннотация: В современных приборах и оборудовании используются керамические и монокристаллические активные элементы. В качестве материала для таких элементов применяют различные неорганические соединения. Набор таких соединений явно недостаточен. Поиск новых составов путем последовательного перебора соединений (скриннинг) дорог и отнимает массу времени. В предлагаемой монографии прогнозируются свойства еще не полученных материалов с ионной проводимостью и структурными фазовыми превращениями основанные на анализе подвижности ионов в кристаллах. Эффективность предложенных поисковых критериев подтверждена синтезом ряда неорганических фторидов и оксидов при значительно меньших затратах времени и средств. В связи с этими обстоятельствами предложенные в настоящей работе поисковые критерии представляет актуальную задачу физики конденсированного состояния. Материалы монографии опубликованы в рецензируемых журналах, а также неоднократно докладывались и обсуждались на многочисленных конференциях и симпозиумах.

https://www.lap-publishing.com/catalog/details//store/gb/book/978-3-659-39150-7/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D0%BC%D0%BE%D1%80%D1%84%D0%BD%D1%8B%D0%B5-%D0%BF%D1%80%D0%B5%D0%B2%D1%80%D0%B0%D1%89%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F-%D0%B8-%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F-%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BC%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C-%D0%B2-%D0%BA%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B0%D1%85?locale=ru
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Voronov, V. N.
Свободных экз. нет}
Найти похожие
3.


    Sadreev, A. F.
    Effect of gate-driven spin resonance on the conductance through a one-dimensional quantum wire / A. F. Sadreev, E. Ya. Sherman // Phys. Rev. B. - 2013. - Vol. 88, Is. 11. - Ст. 115302. - P. , DOI 10.1103/PhysRevB.88.115302 . - ISSN 1098-0121
   Перевод заглавия: Эффект гейт-управляемого спинового резонанса на проводимость в одномерной
Аннотация: We consider quasiballistic electron transmission in a one-dimensional quantum wire subject to both time-independent and periodic potentials of a finger gate that results in a local time-dependent Rashba-type spin-orbit coupling. A spin-dependent conductance is calculated as a function of external constant magnetic field, the electric field frequency, and potential strength. The results demonstrate the effect of the gate-driven electric dipole spin resonance in a transport phenomenon such as spin-flip electron transmission. В© 2013 American Physical Society.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Univ Pais Vasco UPV EHU, Dept Phys Chem, Bilbao 48080, Spain
Basque Fdn Sci, IKERBASQUE, Bilbao, Spain

Доп.точки доступа:
Sherman, E. Ya.; Садреев, Алмаз Фаттахович
}
Найти похожие
4.


    Тамбасов, Игорь Анатольевич.
    Влияние ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких I2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков, А. А. Иваненко // XI Рос. конф. по физ. полупроводников : Тезисы докладов. - СПб. : Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2013. - Ст. Вт-2.8с (Rep_0061). - С. 161 . - ISBN 978-5-93634-033-3
Кл.слова (ненормированные):
Поверхность -- Пленки -- Слои

Смотреть тезисы
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Tambasov, I. A.; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Российская конференция по физике полупроводников (11 ; 2013 ; сент. ; 16–20 ; Санкт-Петербург)
}
Найти похожие
5.


    Эпов, Михаил Иванович.
    Диэлектрическая температурная модель влажных нефтесодержащих пород в диапазоне частот от 0.5 до 15 ГГц / М. И. Эпов, И. В. Савин, В. Л. Миронов // Геол. и геофиз. - 2012. - Т. 53, № 7. - С. 912-919. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0016-7886
ГРНТИ

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая проницаемость -- эффективная проводимость -- водосодержащие горные породы -- температурно-зависимая диэлектрическая модель
Аннотация: Измерены диэлектрические спектры водосодержащих горных пород, формирующих минеральный скелет нефтенасыщенного слоя с содержанием глинистых минералов меньше 16 %, в диапазоне частот и температур от 500 МГц до 15 ГГц и от 20 до 80 °С соответственно. Создана физическая модель для расчета спектров диэлектрической проницаемости и эффективной проводимости исследованной группы пород, входными параметрами которой являются содержание воды (солевого раствора) и температура. Оценены погрешности расчетов с помощью модели по отношению к измеренным спектрам.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Савин, Игорь Викторович; Savin, I. V.; Миронов, Валерий Леонидович; Mironov, V. L.
}
Найти похожие
6.


    Беляев, Борис Афанасьевич.
    Влияние ионных примесей на импедансные спектры жидких кристаллов / Б. А. Беляев, Н. А. Дрокин, А. Н. Масленников // Жидкие кристаллы и их практическое использование. - 2012. - Вып. 4. - С. 39-46 . - ISSN 1991-3966
Кл.слова (ненормированные):
электрический импеданс -- ионная проводимость -- сурфактант -- релаксация -- диффузия -- жидкие кристаллы -- адсорбция
Аннотация: Проведены исследования полного комплексного сопротивления (импеданса) жидкого кристалла 8СВ, допированного ионным сурфактантом цетил-триметил-аммонием бромистым (ЦТАБ) в диапазоне частот f = 10-2 − 108 Гц. Установлено, что введение ионов в составе сурфактанта приводит к увеличению действительной и мнимой компонент импеданса в области низких частот. Используя метод замещения образца эквивалентной электрической схемой, проведена аппроксимация импедансных спектров и определены электрофизические характеристики материала.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Дрокин, Николай Александрович; Drokin, N.A.; Масленников, Алексей Николаевич; Maslennikov, A.N.; Belyaev B. A.
}
Найти похожие
7.


    Флёров, Игорь Николаевич.
    Электрокалорический эффект и аномальная проводимость сегнетоэлектрика NH[4]HSO[4] / И. Н. Флёров, Е. А. Михалева // Физ. тверд. тела. - 2008. - Т. 50, Вып. 3. - С. 461-466. - Библиогр.: 10 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Президента РФ для поддержки ведущих научных школ РФ (НШ-4137.2006.2) . - ISSN 0367-3294
ГРНТИ

Рубрики:
TSNC
Аннотация: Выполнены исследования интенсивного электрокалорич. эффекта в области фазового перехода второго рода (T[1]'ПРИБЛ='271 K) в одноосном сегнетоэлектрике NH[4]HSO[4]. Обнаружена значительная проводимость кристалла NH[4]HSO[4] и исследована ее температурная зависимость. Результаты анализируются совместно с данными для сегнетоэлектриков, перспективных для использования в качестве твердых хладагентов.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики Сибирского отделения РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Екатерина Андреевна; Mikhaleva, E.A.; Flerov, I. N.
}
Найти похожие
8.


   
    Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043) . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.
}
Найти похожие
9.


    Kolovsky, A. R.
    Master equation approach to conductivity of bosonic and fermionic carriers in one- and two-dimensional lattices / A. R. Kolovsky // Ann. Phys.-Berlin. - 2014. - Vol. 526, Is. 1/2. - P. 102-111, DOI 10.1002/andp.201300169. - Cited References: 24. - The author express his gratitude to D.N. Maksimov for useful remarks and acknowledge financial support of Russian Academy of Sciences through the SB RAS integration Project No. 29 (Dynamics of atomic Bose-Einstein condensates in optical lattices). . - ISSN 0003-3804. - ISSN 1521-3889
   Перевод заглавия: Проводимость с бозе и ферми носителями в в одномерных и двумерных решетках: подход уравнения для матрицу плотности
РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
CONDUCTANCE
Кл.слова (ненормированные):
diffusive current -- the Hall effect
Аннотация: The master equation approach to diffusive current of bosonic or fermionic carriers in one- and two-dimensional lattices is discussed. This approach is shown to reproduce all known results of the linear response theory, including the integer quantum Hall effect for fermionic carriers. The main advantage of the approach is that it allows to calculate the current beyond the linear response regime where new effects are found. In particular, the Hall current can be inverted by changing orientation of the static force (electric field) relative to the primary axes of the lattice.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Коловский, Андрей Радиевич; Russian Academy of Sciences through the SB RAS integration Project [29]
}
Найти похожие
10.


   
    Исследование талийсодержащих купратов кубической симметрии, демонстрирующих дырочную или электронную проводимость / В. Е. Волков [и др.] // Сверхпроводимость: Физика, химия, техника. - 1993. - Т. 6, № 8. - С. 1676-1680 . - ISSN 0131-5366
Аннотация: Получены кубич. сверхпроводники с T[c]100 K в системе TlPb[m]Sr[2]Ba[2,8]Ca[2]Cu[3]O[x]F[y] (m=0-1,2). Установлено, что с изменением конц-ии свинца в соединениях происходит смена знака носителей тока. Обнаружена корреляция между изменением знака носителей в ВТСП и интенсивностью некоторых отражений в рентгеновских дифрактограммах.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Валентин Ефремович; Данилов, И. Ю.; Ковалев, Ю. Г.; Фокина, Н. П.; Александров, Кирилл Сергеевич; Aleksandrov, K. S.; Круглик, Анатолий Иванович; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Чернов, Владимир Кондратьевич; Chernov V. K.
}
Найти похожие
11.


    Вальков, Валерий Владимирович.
    Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Физ. низких температур. - 2015. - Т. 41, Вып. 2. - С. 129-138. - Библиогр.: 33. - Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы», Российского фонда фундаментальных исследований (гранты No3-02-00523, No13-02-98013, No14-02-31280). - Один из авторов (С.В.А.) выражает благодарность гранту Президента РФ МК-526.2013 и стипендии Президента РФ СП-6361.2013.5 за оказанную поддержку. . - ISSN 0132-6414
Кл.слова (ненормированные):
техника Келдыша -- атомное представление -- отрицательная дифференциальная проводимость -- электронный транспорт -- наноразмерные материалы -- туннелирование
Аннотация: Представлено решение задачи о квантовом транспорте электронов через магнитный атом, адсорбированный в разломный контакт между металлическими парамагнитными электродами. В соответствии с экспериментальными данными считалось, что электроны проводимости испытывают неупругое рассеяние на адсорбате, связанное с инициируемыми s - d ( f )-обменным взаимодействием переходами между магнитными подуровнями. При получении общего выражения, описывающего ток через многоуровневую структуру при конечных температурах, для вычисления неравновесных функций Грина применен метод Келдыша. Введение атомного представления позволило точно учесть неэквидистантную структуру энергетического спектра магнитного атома и применить теорему Вика для построения неравновесной диаграммной техники для операторов Хаббарда. Показано, что в магнитном поле вольт-амперные характеристики магнитного адатома с туннельной связью при низких температурах содержат участки с отрицательной дифференциальной проводимостью.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Val'kov V. V. Quantum transport through a multilevel magnetic structure with multiple inelastic scattering in a magnetic field taken into account [Текст] / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // Low Temp. Phys. : American Institute of Physics, 2015. - Vol. 41 Is. 2.- P.98-105

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие
12.


   
    Переход металл-диэлектрик в катион-замещенных соединениях ReхMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) / О. Б. Романова [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 478-484. - Библиогр.: 38. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ № 15-42-04099 р_Cибирь_а и государственного задания № 114090470016. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Metal-insulator transition in the cation-substituted compounds RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho)
Кл.слова (ненормированные):
СУЛЬФИДЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК -- ТЕРМОЭДС -- SULFIDES OF RARE-EARTH ELEMENTS -- CONDUCTIVITY -- TRANSITION METAL-INSULATOR -- THERMOELECTRIC POWER
Аннотация: Представлены результаты исследования транспортных свойств катион-замещенных сульфидов RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) с ГЦК-решеткой типа NaCl в области температур 77-1200 К. С увеличением степени катионного замещения в этих соединениях RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) изменяется тип проводимости от полупроводникового до металлического при критической концентрации Х С. Концентрационный переход металл-диэлектрик в системе Gd XMn 1-XS сопровождается уменьшением величины удельного электросопротивления на 12 порядков и коэффициента термоЭДС (α) на два порядка. Катионное замещение в твердых растворах GdxMn1-xS приводит к смене дырочного типа проводимости (α > 0), свойственного моносульфиду марганца, на электронный (α < 0). Уменьшение величины α с увеличением содержания гадолиния в решетке MnS указывает на то, что Gd действует как донорная примесь. Для Sm 0,2Mn 0,8S обнаружен резкий максимум сопротивления при Т = 100 К, который может быть вызван рассеянием электронов проводимости на спиновых флуктуациях локализованных электронов. Установлен металлический тип проводимости для Sm 0,25Mn 0,75S и механизм электрического сопротивления, который связан с рассеянием электронов на акустических фононах и с магнитным рассеянием на нескомпенсированных антиферромагнитных кластерах марганца при Т < 180 К. В результате замещения марганца самарием в твердом растворе SmxMn1-xS электронная структура перестраивается, и сопротивление невозможно объяснить на основе протекания ионов самария. Общей закономерностью температурных зависимостей коэффициента термоЭДС как для системы с гадолинием, так и для системы с самарием является проявление отрицательного значения термоЭДС во всем диапазоне температур с ростом Х. В системе HoxMn1-xS переход металл-диэлектрик обнаружен для ХС = 0,3 с уменьшением величины удельного электросопротивления на десять порядков. Цель данной работы - установить условия реализации перехода металл-диэлектрик в катион-замещенных системах RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho).
This paper presents the results of a study of the transport properties of cation-substituted sulfides Re XMn 1-XS (Re = = Gd, Sm, Ho) with FCC NaCl type in the temperature range 77-1200 K. With increasing degree of cation substitution in these compounds Re XMn 1- ХS (Re = Gd, Sm, Ho) the conductivity type changes from the semiconductor to the «metal» at the critical concentration X C. The concentration of metal-insulator transition in the system Gd XMn 1-XS is accompanied by a decreasing in the electrical resistivity of value on 12 orders and Seebeck coefficient (α) is on two orders. The cation-substitution in the solid solutions Gd XMn 1-XS leads to p-type conductivity (α > 0), as comprising to electronic (α < 0) for manganese monosulfide. Decrease of α with increasing gadolinium concentration in the MnS lattice indicates that the Gd acts as a donor impurity. For Sm 0,2Mn0,8S a maximum resistance at T = 100 K attributed to the scattering of conduction electrons by spin fluctuations of localized electrons. The metallic conductivity for Sm 0.25Mn 0.75S and the mechanism of electrical resistance, which is related to the scattering of electrons by acoustic phonons and magnetic scattering by uncompensated antiferromagnetic manganese clusters at T < 180 K were revealed. As a result of the substitution of manganese to samarium in solid solution Sm XMn 1-XS the electron structure is reconstructed, and the resistance cannot be explained on the basis of the percolation of samarium ions. The temperature dependence of Seebeck coefficient for systems with gadolinium and with samarium reveals the negative values of thermoelectric power in the all range of temperatures with increasing concentration (X). The metal-insulator transition for system Ho XMn 1-XS at Х С= 0,3 is observed with decreasing resistivity on ten orders. The purpose of this work is to establish conditions for the realization of the metal-insulator transition in a cation-substituted systems Re XMn 1-XS (Re = Gd, Sm, Ho).

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Сибирский государственный аэрокосмический университет имени акад. М. Ф. Решетнева

Доп.точки доступа:
Романова, Оксана Борисовна; Romanova, O. B.; Харьков, Анатолий Михайлович; Kharkov A. M.; Ситников, Максим Николаевич; Sitnicov M. N.; Кретинин, В. В.; Kretinin, V. V.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
13.


    Дрокин, Николай Александрович.
    Полимерные композиты с углеродными нанотрубками, получение диагностика методом импеданса / Н. А. Дрокин, Г. Е. Селютин, И. А. Маркевич // Изв. вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 8/2. - С. 72-74. - Библиогр.: 2. - Работа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки РФ № 2.914.2014/K, при поддержке «Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности» проект №8, и проекта II.12.1.1 СО РАН . - ISSN 0021-3411
   Перевод заглавия: Polymer composites with carbon nanotubes, preparationand diagnostics using impedance method
Кл.слова (ненормированные):
полимерные композиты -- проводимость -- диэлектрическая проницаемость -- импеданс -- polymer composites -- conductivity -- permittivity -- impedance
Аннотация: В работе изучены композиционные материалы на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ) и многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ), полученные в органическом растворителе с исполь- зованием ультразвука. Измерения диэлектрической проницаемости, проводимости и тангенса потерь проводили в диапазоне частот 1 Гц – 100 МГц по методике измерения полного комплексного сопротивления (импеданса) и на частотах 1–3 ГГц резонансным методом.
In the work the composite materials based on ultra high molecular weight polyethylene (UHMWPE) and multiwalled carbon nanotubes (MWCNT) have been studied. Nanotubes were introduced in polyethylene using a solution of oxylene and ultrasound with energy of 100 W/cm2. For estimation the degree of carbon nanotube dispersion in polyme rmatrices and diagnostics of electro-physics parameters of composites, а special method of high frequency impedance measurement was used.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Селютин, Г. Е.; Selyutin, G. E.; Маркевич, И. А.; Markevich, I. A.; Drokin, N. A.
}
Найти похожие
14.


   
    Влияние диамагнитного разбавления на магнитное упорядочение и электрическую проводимость в людвигите Co[3]O[2]BO[3]:Ga / Н. Б. Иванова [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2012. - Т. 54, Вып. 11. - С. 2080-2088 . - ISSN 0367-3294
ГРНТИ

Аннотация: Раствор-расплавным методом выращены монокристаллы кобальтового людвигита Co[3]O[2]BO[3] с диамагнитным замещением ионами Ga{3+}. Проведено детальное исследование кристаллич. структуры и магн. свойств. Выявлен предпочтительный характер заселения галлием неэквивалентных кристаллографич. позиций. Обнаружено уменьшение эффективного магн. момента и температуры магн. упорядочения по сравнению с исходным кристаллом Co[3]O[2]BO[3]. В присутствии галлия отмечено исчезновение магн. анизотропии в кристаллографич. плоскости ab, ярко выраженной в исходном материале Co[3]O[2]BO[3]

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Иванова, Наталья Борисовна; Ivanova, N. B.; Платунов, Михаил Сергеевич; Platunov, M. S.; Князев, Юрий Владимирович; Knyazev, Yu. V.; Казак, Наталья Валерьевна; Kazak, N. V.; Безматерных, Леонард Николаевич; Bezmaternykh, L. N.; Васильев, Александр Дмитриевич; Vasiliev, A. D.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Нижанковский, В. И.
}
Найти похожие
15.
   В34

    Черкасов, Борис Игоревич.
    Исследование комплексных фторидов M[[d]]2[[/d]]AF[[d]]6[[/d]] и M[[d]]2[[/d]]AF[[d]]5[[/d]] импульсными методами ЯМР : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / Б. И. Черкасов ; науч. рук. Ю. Н. Москвич ; офиц. опп.: Р. Н. Плетнев, Э. П. Зеер ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Ин-т неорган. химии. - Красноярск, 1989. - 23 с. - Библиогр.: 19 назв. . - 100 экз. -
ГРНТИ

Рубрики:
Фториды--Ионная проводимость--Исследование

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Москвич, Юрий Николаевич \науч. рук.\; Moskvich Yu.N.; Плетнев, Р. Н. \офиц. опп.\; Зеер, Эвальд Петрович \офиц. опп.\; Zeer E. P.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Свободных экз. нет}
Найти похожие
16.


   
    Проводимость тонких In2O3 пленок при воздействии ультрафиолетового излучения и низких температурах / И. А. Тамбасов, Д. С. Саврвнский // Школа-конференция молодых ученых "Неорганические соединения и функциональные материалы" (ICFM-2013) : [программа и сборник тезисов докладов]. - Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2013. - С. 85

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Савранский, Д. С.; Неорганические соединения и функциональные материалы, школа-конференция молодых ученых, посвященная памяти профессора С. В. Земскова(2013)
}
Найти похожие
17.


   
    Синтез и электрофизические свойства композитов на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена и углеродных нанотрубок / И. А. Маркевич [и др.] // Журн. СФУ. Техн. и технол. - 2018. - Т. 11, № 2. - С. 190-197 ; J. Sib. Fed. Univ. Eng. Technol., DOI 10.17516/1999-494X-0022. - Библиогр.: 8. - Работа выполнена при поддержке Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере в рамках договора № 9594ГУ/2015 от 01.02.2016. . - ISSN 1999-494X
   Перевод заглавия: Synthesis and electrophysical properties of ultrahigh-molecular-weight polyethylene and carbon nanotubes based composites
Кл.слова (ненормированные):
композиты -- сверхвысокомолекулярный полиэтилен -- углеродные нанотрубки -- диэлектрическая проницаемость -- проводимость -- composites -- ultrahigh-molecular-weight polyethylene -- carbon nanotubes -- dielectric permittivity -- conductivity
Аннотация: Получены композиты на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена и углеродных нанотрубок методом смешивания компонентов в ксилоле при определенных температурах. Комплексные проводимости и диэлектрические проницаемости образцов материалов измерены в диапазоне частот от 100 Гц до 1 ГГц. Установлены условия синтеза как электропроводящих, так и диэлектрических композитов. При этом величина проводимости зависит не только от концентрации углеродных нанотрубок, но и от структуры их распределения в полимерной матрице, которая, в свою очередь, зависит от температурных условий получения композита.
Composites based on ultrahigh-molecular-weight polyethylene and carbon nanotubes were obtained by mixing the components in xylene at certain temperatures. The complex conductivities and permittivities of the material samples were measured in the frequency range from 100 Hz to 1 GHz. The conditions for the synthesis of both electrically conducting and dielectric composites were established. The conductivity depends not only on the concentration of carbon nanotubes, but also on the structure of their distribution in the polymer matrix, which in turn depends on the temperature conditions for obtaining the composite.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт химии и химической технологии СО РАН ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН»
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН»
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Маркевич, И. А.; Markevich I. A.; Селютин, Г. Е.; Selyutin G. E.; Дрокин, Николай Александрович; Drokin, N. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.

}
Найти похожие
18.


    Балаев, Дмитрий Александрович.
    Туннельная проводимость и туннельное магнитосопротивление пленок Fe-SiO: корреляция магнитотранспортных и магнитных свойств / Д. А. Балаев, А. Д. Балаев // Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 7. - С. 1262-1269, DOI 10.21883/FTT.2019.07.47835.408. - Библиогр.: 48 . - ISSN 0367-3294
Кл.слова (ненормированные):
плeнки Fe-SiO -- туннельная проводимость -- туннельное магнитосопротивление
Аннотация: Приведены результаты исследования электрических свойств системы наногранулярных аморфных пленок Fe-SiO с концентрацией SiO от 0 до 92 vol.%. Для образцов с малым содержанием SiO характерен металлический режим проводимости. С увеличением содержания диэлектрика в пленках происходит концентрационный переход от металлического к туннельному режиму проводимости при концентрации диэлектрика x≈0.6. При этой же концентрации происходит переход ферромагнетик-суперпарамагнетик, исследованный ранее магнитным методом. Для составов, соответствующих диэлектрической области, температурные зависимости электросопротивления ρ(T) следуют закону ρ(T)~exp(2(C/kT)1/2), что характерно для туннельного механизма проводимости. Оценка размеров металлических гранул из величин туннельно-активационной энергии C показала хорошее соответствие размерам, полученным ранее из анализа магнитных свойств. В диэлектрической области составов получен гигантский магниторезистивный эффект, достигающий 25% в низких температурах.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Балаев, Александр Дмитриевич; Balaev, A.D.; Balaev, D. A.
}
Найти похожие
19.


    Удод, Любовь Викторовна.
    Магнитные свойства пиростанната висмута, допированного 3d-ионами / Л. В. Удод, С. С. Аплеснин, М. Н. Ситников // Материаловедение. - 2019. - № 10. - С. 19-24, DOI 10.31044/1684-579X-2019-0-10-19-24. - Библиогр.: 11 . - ISSN 1684-579X
Кл.слова (ненормированные):
кристаллическая структура -- магнитные и диэлектрические свойства -- вольт-амперная характеристика -- проводимость -- фазовые переходы
Аннотация: Исследовано влияние замещения олова ионами Cr3+ и Mn4+ в пиростаннате висмута на магнитные свойства. Обнаружена взаимосвязь магнитных свойств с диэлектрическими и электрическими свойствами. Обнаружены качественные зависимости температурного поведения диэлектрической проницаемости и магнитной восприимчивости от замещающего иона. Установлено изменение типа проводимости с прыжкового на туннельный.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Udod L. V. Magnetic properties of bismuth pyrostannate doped with 3D ions [Текст] / L. V. Udod, S. S. Aplesnin, M. N. Sitnikov // Inorg. Mater.: Appl. Res. - 2020. - Vol. 11 Is. 4.- P.809-814

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН, г. Красноярск, 660036, РФ
Сибирский государственный университет науки и технологий им. академика М. Ф. Решетнева, г. Красноярск, 660037, РФ

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Ситников, Максим Николаевич; Sitnikov, M. N.; Udod, L. V.
}
Найти похожие
20.


   
    Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25 / М. Н. Волочаев [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185. - Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6). . - ISSN 0015-3222
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- многослойные структуры -- оксидные полупроводники -- прыжковая проводимость -- термическая стабильность
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия

Доп.точки доступа:
Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Бассараб, В. В.
}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)