Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=электросопротивление<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.
   В37
   Л 85


    Лупик, Анатолий Николаевич.
    Электросопротивление железноникелевых сплавов при упругой деформации в магнитное поле [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. Н. Лупик ; науч. рук. В. С. Черкашин ; Лесосиб. гос. пед. ин-т. - Красноярск, 1981. - 149 л. - Библиогр.: 185 наименований. -
ГРНТИ
ББК В373.1я031 + В373.3я031


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Черкашин, Владимир Сергеевич \науч. рук.\; Лесосибирский государственный педагогический институт
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие
2.


    Удод, Любовь Викторовна.
    Влияние катионного замещения на полиморфные переходы в пирасаннате висмута Bi2Sn2O7 / Л. В. Удод, М. Н. Ситников // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 4. - С. 975-982. - Библиогр.: 53. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 15-42-04099 р_сибирь_а, и государственного задания № 114090470016 . - ISSN 1816-9724
Кл.слова (ненормированные):
полиморфные переходы -- диэлектрическая проницаемость -- электросопротивление -- катионное замещение -- дифференциальная сканирующая калориметрия -- polymorphic transitions -- dielectric permeability -- cation substitution -- electrical resistivity -- differential scanning calorimetry
Аннотация: Рассмотрена разработка технологии новых сенсорных материалов, необходимых для газочувствительных приборов, применяемых в ракетостроении. Целью данной работы является изучение влияния допирования разновалентными катионами на кристаллографическую структуру, диэлектрические и электрические свойства пирохлорного соединения Bi 2Sn 2O 7, обладающего селективной избирательностью к газам. Методом твердофазного синтеза впервые синтезированы соединения Bi2(Sn1-xMex)2O7, где Me = Mn, Cr, x = 0, 0,05, находящиеся сразу в двух полиморфных модификациях - орторомбической и кубической. В твердых растворах Bi2(Sn0,95Cr0,05)2O 7 методом сканирующей калориметрии обнаружено два новых структурных перехода, по сравнению со станнатом висмута Bi2Sn2O7. Ионы Mn 4+ сместили фазовые границы полиморфных переходов в сторону меньших температур, а фазовый α→β-переход около 370 К, характерный для Bi2(Sn1-xCrx)2O7, где x = 0, 0,05, подавили почти полностью. Полиморфный переход при Т = 543 К для Bi 2(Sn0,95Mn0,05) 2O 7 протекает с выделением тепла, в отличие от Bi2(Sn1-xCrx)2O7, где x = 0, 0,05. Исследована взаимосвязь структурных, электрических и диэлектрических свойств. Установлены аномалии в температурной зависимости электросопротивления и диэлектрической проницаемости (мнимой и реальной частями) как в области низких температур, так и при высоких температурах. Эти особенности объясняются в рамках модели мартенситных фазовых переходов. Методом сканирующей калориметрии найдены температуры структурных фазовых переходов, которые коррелируют с аномалиями электросопротивления в интервале температур 300 < T < 1000 К для Bi2(Sn1-xCrx)2O7, x = 0, 0,05.
The goal of this work is to develop a new technology of sensor materials required for gas sensing devices used in missile. The aim of this work is to study the effect of doping cations with different valency on the crystallographic structure, dielectric and electrical properties of pyrochlore compound Bi2Sn2O7 with selectivity to gases. Polycrystalline compounds Bi2(Sn1-xMex)2O7, where Me = Mn, Cr, x = 0, 0.05 have been synthesized by conventional solid-state reaction. According to the X-ray powder diffraction research, our sample consists of two polymorphs phases: cubic and rhombic. Two new structural transition are found in Bi2(Sn0.95Cr0.05)2O7 solid solutions by scanning calorimetry, as compared to bismuth pyrostannate Bi2Sn2O7. Ions Mn 4+ leads to shift of phase boundary of polymorphic transitions towards lower temperatures, and the phase α→β-transition at about 370 K, which is characteristic for Bi2(Sn1-xCrx)2O7, where x = 0, 0.05 is suppressed. The polymorphic transition at T = 543 K for Bi2(Sn0.95Mn0.05)2O7 occurs with calorification, in contrast to Bi2(Sn1-xCrx)2 7, where x = 0, 0.05. The relationship between structural, electrical and dielectric properties is investigated. Anomalies in the temperature dependence of electrical resistivity and dielectric permeability (real and imaginary part) as in the low region temperatures as in the high region temperature are found. These features are explained within a model of martensitic phase transitions. The temperature of the structural phase transitions correlates with temperature of maximum of the electrical resistivity in the temperature range 300 < T < 1000 K for Bi2(Sn1-xCrx)2O7, x = 0, 0.05 was found by scanning calorimetry method.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ситников, Максим Николаевич; Sitnikov, M.N.; Udod, L. V.
}
Найти похожие
3.
   В37
   Л 85


    Лупик, Анатолий Николаевич.
    Электросопротивление железноникелевых сплавов при упругой деформации в магнитное поле : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. Н. Лупик ; науч. рук. В. С. Черкашин ; офиц. оп.: А. И. Дрокин, Ю. И. Маньков ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг.: Моск. гос. ун-т им. М.В. Ломоносова. - Красноярск, 1981. - 24 с. - Библиогр.: 9 наименований. - 100 экз. -
ГРНТИ


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Черкашин, Владимир Сергеевич \науч. рук.\; Дрокин, Александр Иванович \офиц. опп.\; Маньков, Юрий Иннокентьевич \офиц. опп.\; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССРМосковский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Свободных экз. нет}
Найти похожие
4.


    Алтунин, Р. Р.
    Влияние структурных свойств на электросопротивление тонких пленок Al/Ag в процессе твердофазной реакции / Р. Р. Алтунин, Е. Т. Моисеенко, С. М. Жарков // Физ. тверд. тела. - 2020. - Т. 62, Вып. 4. - С. 621-626, DOI 10.21883/FTT.2020.04.49130.652. - Библиогр.: 43. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант No 18-13-00080) . - ISSN 1063-7834. - ISSN 1090-6460
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- фазообразование -- Al/Ag -- твердофазная реакция -- дифракция электронов -- удельное электросопротивление
Аннотация: На основании результатов исследования процессов твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag (атомное соотношение Al : Ag = 1 : 3) методами in situ дифракции электронов и измерения величины удельного электросопротивления установлена температура начала реакции, а также предложена модель структурных фазовых переходов. Твердофазная реакция начинается при 70oC с образования твердого раствора Al-Ag на границе раздела нанослоев алюминия и серебра. Установлено, что в процессе реакции последовательно формируются интерметаллические соединения γ-Ag2Al → μ-Ag3Al. Показано, что возможность формирования фазы μ-Ag3Al при твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag зависит от соотношения алюминия и серебра, при этом формирование фазы μ-Ag3Al начинается только после того как весь ГЦК-алюминий прореагирует.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Altunin R. R. Effect of the structural properties on the electrical resistivity of the Al/Ag thin films during the solid-state reaction [Текст] / R. R. Altunin, E. T. Moiseenko, S. M. Zharkov // Phys. Solid State. - 2020. - Vol. 62 Is. 4.- P.708-713

Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Моисеенко, Е. Т.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.
}
Найти похожие
5.


   
    Influence of the Magnetic Field on Transprt Properties of Holmium-Manganese Sulfide / M. N. Sitnikov, A. M. Kharkov, S. S. Aplesnin, O. B. Romanova // Sib. J. Sci. Technol. - 2020. - Vol. 21, Is. 3. - P. 451-458 ; Сибирский журнал науки и технологий, DOI 10.31772/2587-6066-2020-21-3-451-458. - Cited References: 33. - The work was supported by the Siberian State University youth grant, SibGU, 2020 . - ISSN 2587-6066
   Перевод заглавия: Влияние магнитного поля на транспортные свойства гольмий-марганцевого сульфида
Кл.слова (ненормированные):
solid solutions -- resistance -- magnetic permeability -- the effect of giant magnetoresistance -- твердые растворы -- электросопротивление -- магнитная проницаемость -- эффект гигантского магнитосопротивления
Аннотация: Holmium-manganese silfide with giant magnetoresistance refers to new magnetic sulfide compounds of holmium and manganese that have the effect of giant magnetoresistance (i. e., with special magnetoelectric properties), which can be used as components of sensor technology, magnetic memory, and spintronics. The technology of manufacturing polycrustals HoxMn1-xS grown by crystallization from the melt of the obtained powdered sulfides with a putity not lower then 99,9%, in glass-carbon crucibles and a quartz reactor in an argon atmosphere is presented. According to the results of x-ray diffracton analysis, HoxMn1-xS holmium-manganese sulfides have a HCC structure of the NaCl type. As the degree of cationic substitution increases, the unit cell parameter increases linearly with the concentration. No concomitant impurity phases are detected in the synthesized samples. Tj determine the state of the spin glass, mahnetic moment measurements are conducted at several frequencies ω = 1 KHz, 10 KHz and 100 kHz. The dependence of magnetic characteristics on the frequency of measurements is found. The damping of the magnetic moment and its increase with a decrease in temperature is reviled, which is connected with the formation of metastable states. Measurements of electrical resistance without a field and in a magnetic field are conducted. Anomalies in the remperature dependence of the conductivity are found. A change in the magnetoresistance sign is detected with the increase of temperature below and above room temperature.
Гольмий-марганцевый сульфид с гигантским магнитосопротивлением относится к новым магнитным сульфидным соеднениям гольмия и марганца, обладающим эффектом гигантского магнитоспопротивления, то есть с особыми магнитоэлектрическими свойствами, которые могут быть использованы в качестве составляющих компонент сенсорной техники, магнитной памяти для спинтроники. Приведена технология изготовления поликристаллов HoxMn1-xS, выращенных кристаллизацией из расплава полученных порошковых сульфидов чистотой не ниже 99,9% в стеклоуглеродных тиглях и кварцевом реакторе в атмосфере аргона. Согласно результатам рентгеноструктурного анализа, гольмий-марганцевые сульфиды HoxMn1-xS имеют ГЦК структуру типа NACl. С увеличением степени катионного замещения параметр элементарной ячейки линейно увеличивается с концентрацией. Сопутствующих примесных фаз в синтезированных образцах не обнаружено. Для установления состояния спинового стекла проуедены измерения магнитного момента на нескольких частотах ω = 1, 10 и 100 KHz. Обнаружена зависимость характеристик от частоты измерений. Найдено затухание магнитного момента и его увеличение с понижением температуры, что связывается с образованием метастабильных состояний. Проведены измерения электросопротивления без поля и в магнитном поле. Найдены аномалии в температурной зависимости проводимости. Обнаружена смена знака магнитосопротивления с ростом температуры ниже и выше комнатной температуры.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, 31, Krasnoyarskii rabochii prospect, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Federal Researh Center KSC SB RAS, 50-38, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Sitnikov, M. N.; Kharkov, A. M.; Aplesnin, S. S.; Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна

}
Найти похожие
6.


   
    Появление ферромагнетизма в наночастицах керамики со структурой перовскита BeTiO3 / А. В. Павлов, Л. И. Квеглис, Д. Н. Сапрыкин [и др.] // Материаловедение. - 2020. - № 5. - С. 15-20, DOI 10.31044/1684-579X-2020-0-5-15-20. - Библиогр.: 21 . - ISSN 1684-579X
Кл.слова (ненормированные):
нанопорошок двуокиси титана -- структура рутила -- бериллиевая керамика -- магнитный гистерезис -- электросопротивление -- электронная структура -- икосаэдрические кластеры
Аннотация: Экспериментально обнаружено появление ферромагнетизма и увеличение электропроводности в бериллиевой керамике, имеющей структуру перовскита BеTIO3. Предлагаются модели для объяснения причины появления обнаруженных металлических свойств, проведены расчеты электронной структуры нанокластеров с различным ближним порядком.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Emergence of ferromagnetism in nanoparticles of BeTiO3 ceramic with the perovskite structure [Текст] / A. V. Pavlov, L. I. Kveglis, D. N. Saprykin [et al.] // Inorg. Mater.: Appl. Res. - 2021. - Vol. 12 Is. 1.- P.88-93

Держатели документа:
ФГАОУ ВО «Сибирский федеральный университет», г. Красноярск, 660041, РФ
осточно-Казахстанский государственный университет имени С. Аманжолова, г. Усть-Каменогорск, 070000, Республика Казахстан
Tомский государственный университет, г. Томск, 634050, РФ
Институт физики им. Л. В. Киренского, г. Красноярск, 660036, РФ

Доп.точки доступа:
Павлов, А. В.; Квеглис, Людмила Иосифовна; Kveglis, L. I.; Сапрыкин, Д. Н.; Насибуллин, Р. Т.; Калитова, А. А.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Кантай, Н.
}
Найти похожие
7.


    Korovushkin, M. M.
    Electrical resistivity and the Hall effect in the doped Mott-Hubbard material with strong spin-charge coupling / M. M. Korovushkin // Phys. Scr. - 2023. - Vol. 98, Is. 12. - Ст. 125922, DOI 10.1088/1402-4896/ad05ed. - Cited References: 96. - Author is grateful to V V Val’kov, A D Fedoseev, D M Dzebisashvili and M S Shustin for fruitful discussions and permanent interest in this work. Author thanks V A Mitskan and A O Zlotnikov for technical support . - ISSN 0031-8949. - ISSN 1402-4896
   Перевод заглавия: Электросопротивление и эффект Холла в допированном мотт-хаббардовском материале с сильной спин-зарядовой связью
Кл.слова (ненормированные):
Mott-Hubbard materials -- spin-charge coupling -- spin polarons -- kinetic coefficients -- electrical resistance -- Hall effect
Аннотация: The kinetic characteristics of the doped Mott-Hubbard material are considered within the realistic spin-fermion model which takes into account the strong spin-charge coupling. The kinetic equation constructed on the basis of the mechanism of carrier scattering on the spin fluctuations is solved using the multi-moment method, which allows one to analyze the temperature behavior of nonequilibrium distribution function in the problems of electrical resistivity ρ and the Hall coefficient RH. The calculated dependences ρ(T) and RH(T) for the underdoped and optimally doped regimes demonstrate good qualitative agreement with the experimental data. In particular, the Hall coefficient calculated for the underdoped regime reproduces the experimentally observed sharp drop and even a change in sign at low temperatures.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Коровушкин, Максим Михайлович
}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)