1. 
|
Magnetoelectric effect in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions / I. Y. Pashen'kin, M. V. Sapozhnikov, N. S. Gusev [et al.] // JETP Lett. - 2020. - Vol. 111, Is. 12. - P. 690-693, DOI 10.1134/S0021364020120115. - Cited References: 13
. - ISSN 0021-3640. - ISSN 1090-6487
Рубрики:
SPIN-TRANSFER-TORQUE
TOGGLE MRAM
MAGNETORESISTANCE
Аннотация: The possibility of electrical control of the interlayer exchange interaction in CoFeB/MgO/CoFeB tunnel junctions exhibiting magnetoresistance of ~200% is studied. It is shown that the increase in the applied voltage from 50 mV to 1.25 V leads to a shift of the magnetization curve of the free layer by 10 Oe at a current density of ~103 A/cm2. The discovered effect can be used in the development of energy-efficient random access memory.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Публикация на русском языке Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB [Текст] / И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2020. - Т. 111 Вып. 12. - С. 815-818
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Inst Phys Microstruct, Nizhnii Novgorod 603950, Russia.
Lobachevsky State Univ Nizhny Novgorod, Nizhnii Novgorod 603950, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Доп.точки доступа:
Pashen'kin, I. Yu; Sapozhnikov, M., V; Gusev, N. S.; Rogov, V. V.; Tatarskii, D. A.; Fraerman, A. A.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич
}
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН