1.
|
Влияние режимов обработки конденсаторных структур на основе пористого кремния и сегнетоэлектрика на их диэлектрические потери в ВЧ- и СВЧ-диапазонах / О. В. Семенова, Т. Н. Патрушева, В. А. Юзова [и др.]> // Хим. технол. - 2022. - Т. 23, № 4. - С. 168-173, DOI 10.31044/1684-5811-2022-23-4-168-173. - Библиогр.: 9
. - ISSN 1684-5811 Кл.слова (ненормированные): пористые структуры на кремнии -- режимы электрохимического анодирования -- сегнетоэлектрик -- экстракционно-пиролитический метод -- гетероструктуры на пористом кремнии с титанатом бария и титанатом стронция Аннотация: В высокочастотных приложениях в текущем десятилетии нынешнего века получили развитие конденсаторы с использованием кремниевых материалов и технологий. С целью уменьшения диэлектрических потерь кремниевых конденсаторов в области ВЧ- и СВЧ-диапазонов рассмотрена возможность создания конденсаторных структур на основе пористого кремния с внедренными в поры оксидными сегнетоэлектриками — титанатами бария и стронция, которые имеют размытый фазовый переход. Проведены исследования по созданию сегнетоэлектрических структур на основе матрицы пористого кремния с внедрением титаната бария и титаната стронция с помощью метода электрохимического анодирования и экстракционно-пиролитического метода. Проведены экспериментальные исследования диэлектрических потерь конденсаторных структур на основе матрицы пористого кремния с внедренным сегнетоэлектриком, которые показали возможность применения полученных конденсаторных структур в ВЧ- и СВЧ-диапазонах.
Смотреть статью, РИНЦ Держатели документа: Сибирский федеральный университет, Красноярск, 660041, Россия Балтийский технический университет «ВОЕНМЕХ» им. Д. Ф. Устинова, Санкт-Петербург, 190005, Россия Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва, 119991, Россия Доп.точки доступа: Семенова, О. В.; Патрушева, Т. Н.; Юзова, В. А.; Лемберг, Константин Вячеславович; Lemberg, K. V.; Раилко, М. Ю.; Подорожняк, С. А.; Холькин, А. И. } Найти похожие
|