1.
|
Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.]> // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 3-4. - С. 159-163. - Библиогр.: 26 назв. - Работа была поддержана Федеральной целевой программой "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы". Авторы выражают благодарность Институту компьютерного моделирования СО РАН, Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, а также компьютерному центру Сибирского федерального университета за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых и были произведены все расчеты.
. - ISSN 0370-274X Рубрики: SJB SJR SJF SJH Аннотация: Методом аb initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. С использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью, РИНЦ, Читать в сети ИФ Переводная версия Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon [Текст] / A. S. Fedorov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 95 Is. 3.- P.143-147
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН Доп.точки доступа: Федоров, Александр Семенович; Fedorov A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G. } Найти похожие
|