Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
Место работы автора
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Поисковый запрос:
(<.>K=Photogeneration<.>)
Общее количество найденных документов
:
1
1.
Bias-current and optically
driven transport properties of the hybrid Fe/SiO 2/p-Si structures / N. V. Volkov [et al.]> // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. -
Vol. 190
. - P. 526-529,
DOI
10.4028/www.scientific.net/SSP.190.526 . - ISBN 1012-0394. - ISBN 9783037854365
Кл.слова (ненормированные):
Hybrid structure
--
Mis transition
--
Photoelectric effect
--
Schottky barrier
--
Channel switching
--
Comparative analysis
--
Electron hole pairs
--
Fe films
--
Fe layer
--
Ferromagnetic films
--
Hybrid structure
--
Optical effects
--
Optical radiations
--
Photogeneration
--
Planar geometries
--
Schottky barriers
--
Semiconductor substrate
--
Temperature variation
--
Critical currents
--
Interfaces (materials)
--
Magnetic materials
--
Photoelectricity
--
Schottky barrier diodes
--
Silicon
--
Switching circuits
--
Transport properties
Аннотация:
Pronounced optical- and bias-current-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO 2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the MIS transition with a Schottky barrier near the interface between SiO 2 and p- Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and optical radiation. The mechanism of the optical effect is
photogeneration
of electron-hole pairs in the semiconductor substrate near its boundary with SiO 2 layer. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)