Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Труды сотрудников ИФ СО РАН (36)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>R=29.19.31$<.>)

Общее количество найденных документов : 376
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

   В37
   Ф 50


    Физика полупроводников и радиоспектроскопия ионных кристаллов / Урал. гос. ун-т ; ред. А. Н. Левков. - Свердловск : УрГУ, 1969. - 186 с. : рис., табл. - (Ученые записки ; № 118. Серия физическая ; вып. 7). - 0.30 р.

ГРНТИ

29.31.26

29.19.31

ББК В379я54 + В344.15я54 + В371.231я54
Рубрики:
Кристаллы ионные--Спектроскопия--Сборники
Полупроводники--Физика--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Левков, А. Н. \ред.\; Уральский государственный университет им. А.М. Горького
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   Ж
   Т 66

    Трегулов, Вадим Викторович.
    Пористый кремний: технология, свойства, применение / В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р.
    Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния

ГРНТИ

ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Свойства--Получение--Применение
Кремний--Свойства--Получение--Применение
Электроника--Материалы--Кремний

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Т 23

    Тауц, Я.
    Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра / Я. Тауц ; пер. с англ. Ю. А. Махалова, под ред. В. П. Жузе. - М. : Мир, 1967. - 74 с. - Библиогр.: с. 69-73 (141 назв.). - Пер. изд. : Optical properties of semiconductors in the visible and ultra-volet ranges / J. Tauc. - 0.23 р.
    Содержание:
Методы экспериментального определения оптических постоянных
Теория поглощения света в твердом поле
Обсуждение основных формул
Правила отбора
Приведенная плотность состояний
Свободные носители тока
Правило сумм сил осцилляторов
Виртуальные переходы
Экситоны
Эффекты затухания
Плазменные эффекты
Некоторые полезные соотношения
Экспериментальные результаты

ГРНТИ

29.19.31

29.31.21

ББК В379.247
Рубрики:
Полупроводники--Свойства оптические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Махалов, Ю. А. \пер.\; Жузе, В. П. \ред. пер.\; Tauc, J.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   С 80

    Стильбанс, Лазарь Соломонович.
    Физика полупроводников / Л. С. Стильбанс. - М. : Сов. радио, 1967. - 451 с. - Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449. - 43000 экз. - 1.63 р.
    Содержание:
Основные свойства полупроводников
Некоторые сведения о строении атома
Энергия и движение электрона в твердом теле
Электропроводность полупроводников
Теплопроводность полупроводников
Контактные явления
Термоэлектрические явления
Гальваномагнитные и термомагнитные явления
Фотопроводимость
Строение кристаллов
Некоторые вопросы квантовой теории
Геометрия кристаллической решетки
Дефекты в кристаллах
Тепловые колебания в кристаллах
Теплоемкость
Основные представления электронной теории кристаллов
Адиабатическое приближение
Одноэлектронное приближение
Приближение почти свободных электронов
Приближение сильно связанных электронов
Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников
Статистика электронов в полупроводниках
Некоторые понятия статистики и термодинамики
Распределение Ферми
Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках
Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение
Некоторые вопросы теории явлений переноса
Элементарный расчет электропроводности и подвижности
Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации)
Феноменологический анализ явлений переноса
Вычисление времени релаксации
Явления в сильных электрических полях
Термоэлектрические явления и теплопроводность
Термоэлектродвижущая сила
Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей
Увлечение электронов фононами
Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей
Электронная теплопроводность
Теплопроводность кристаллической решетки
Фотонная теплопроводность
Гальваномагнитные и термомагнитные явления
Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле
Эффект Эттингсгаузена
Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях
Термомагнитные явления
Контактные явления
Контакт полупроводника и металла
Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником)
Диодная теория Бете
Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки)
Теория p-n-перехода
Оптические свойства полупроводников
Поглощение света
Фотопроводимость
Фотовольтаические эффекты
Циклотронный резонанс
Стимулированное излучение

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   Г5
   С 98

    Сюше, Ж. П.
    Физическая химия полупроводников / Ж. П. Сюше ; пер. с фр. Р. С. Коротковой, под ред. Н. А. Горюновой. - М. : Металлургия, 1964. - 195 с. - Библиогр.: с. 190-195 (196 назв.). - Пер. изд. : CHIMIE PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS / J. P. SUCHET. - 5140 экз. - 0.80 р.
    Содержание:
Повторение некоторых понятий об атоме и кристалле
Периодическая классификация элементов
Типы внутриатомных связей
Орбитальные функции и гибридизация
Кристаллическая структура и ионная координация
Ковалентная координация и явление резонанса
Основные механизмы полу проводимости
Дефекты и примеси. Обозначение Риза
Образование и свойства окрашенных центров
Свойства легированных ковалентных кристаллов
Электронно-дырочный переход и его практическое значение
Общий случай неорганических соединений
Взаимодействие между дефектами. Частные решетки
Диффузия дефектов и примесей
Заряженные атомные пары элементов
Кислород в кремнии
Взаимодействие дефектов в соединениях
Решетки частные и решетки компенсированные
Правила предсказания полупроводимости
Правило Музера и Пирсона и его истоки
Критика и распространение этого правила
Ковалентное обозначение и правила сродства
Общая классификация полупроводников
Соединения переходных элементов
Окислы переходных металлов
Керамические полупроводниковые окислы
Магнетит. Индукция валентности
Полупроводниковые магнитные ферриты
Гранулярные структуры с поверхностными слоями
Энергия активации и ее расчет
Энергия активации и зонная теория
Ионные радиусы и «радиусы» ковалентные
Электрсютрицательность и ионный характер
Доля Е2 и расчет Е0
Подвижность носителей тока и ее расчет
Расстояние носителей и ионный аспект
Поляризация и степень модуляции
Расчет эффективного заряда атомов
Вычисление электронной подвижности
Некоторые выводы
Органические полупроводники
Молекулярные органические кристаллы
Двойные связи и Я-электроны
Компенсированные органические 'решетки
Пластические материалы

ГРНТИ

29.19.31

ББК Г523
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Короткова, Р. С. \пер.\; Горюнова, Н. А. \ред. пер.\; SUCHET, J. P.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   В 16

    Вальков, Валерий Владимирович.
    Спиновые волны и переменная валентность в магнитных полупроводниках : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 : защищена 19.03.1982 / В. В. Вальков ; науч. рук. С. Г. Овчинников ; офиц. опп.: Ю. А. Фирсов, А. Ф. Садреев ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Урал. науч. центр, вед. орг. Ин-т физики металлов. - Красноярск, 1982. - 22 с. - Библиогр. - 100 экз. -

ГРНТИ

29.19.31

29.19.37

ББК В379.233я031
Рубрики:
Полупроводники магнитные--Теория спин-волновая--Исследование

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Фирсов, Ю. А. \офиц. опп.\; Садреев, Алмаз Фаттахович \офиц. опп.\; Val'kov, V. V.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР; Уральский научный центр АН СССРИнститут физики металлов Уральского научного центра АН СССР
Экземпляры всего: 2
ДС (1), Автореф. (1)
Свободны: ДС (1), Автореф. (1)}
Найти похожие

   В37
   Д 56

    Добровольский, Валентин Николаевич.
    Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников / В. Н. Добровольский, В. Г. Литовченко ; Акад. наук УССР, Ин-т полупроводников. - Киев : Наукова думка, 1985. - 191 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 176-191. - 2.40 р.
    Содержание:
Электростатическое взаимодействие между различными частями МДП структуры и его влияние на перенос носителей заряда
Эффекты Холла и магнитосопротивления
Эффекты, возникающие под действием перпендикулярной поверхности силы Лоренца
Квантование энергии и перенос электронов и дырок в поверхностных каналах
Двухмерные экситоны и неравновесная плазма
Характеристики поверхностной области при низких плотностях носителей заряда

ГРНТИ

29.19.24

29.19.31

ББК В379.231 + В379.5
Рубрики:
Полупроводники--Поверхность--Свойства электромагнитные

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Литовченко, Владимир Григорьевич; Академия наук Украинской ССРИнститут полупроводников АН Украинской ССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Д 58

    Довгошей, Н. И.
    Кристаллические и аморфные пленки новых сложных полупроводников / Н. И. Довгошей ; Ужгор. гос. ун-т. - Ужгород : [б. и.], 1986. - 110 с. : ил. - Библиогр.: с. 88-108. - 0.30 р.

ГРНТИ

29.19.31

29.19.16

ББК В379.26
Рубрики:
Тонкие пленки полупроводниковые--Кристаллизация

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ужгородский государственный университет
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Д 53

    Дмитрук, Николай Леонтьевич.
    Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках / Н.Л. Дмитрук [и др.] ; отв. ред. М. П. Лисица. - Киев : Наукова думка, 1989. - 374 с. : 186 ил. - Библиогр: с. 347-371. - ISBN 5-12-000503-9 : 5.90 р.
    Содержание:
Поверхностные поляритоны в изотопных средах
Поверхнотсные поляритоны в анизотропных средах
Экспериментальные методы исследования поверхностных поляритонов
Нелинейные поверхностные поляритоны
Поверхностные поляритоны в слоистых многокомпонентных структурах
Спектроскопия поверхностных поляритонов как метод исследования поверхностей и границ раздела
Поверхностные электромагнитные волны в двумерных структурах
Поверхностные поляритоны в сверхрешетках и размерное квантование

ГРНТИ

29.19.16

29.19.31

29.19.33

ББК В379.212.5 + В379.312.5
Рубрики:
Полупроводники--Поверхность--Свойства оптические
Диэлектрики--Поверхность--Свойства оптические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Стрижевский, Владимир Леонидович; Литовченко, Владимир Григорьевич
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

10.

   В37
   Д 46


    Динамические эффекты в многокомпонентном газе квазичастиц / М. С. Бродин [и др. ; Акад наук УССР, Ин-т физики ; отв. ред. А. С. Давыдов] ; Акад. наук УССР, Ин-т физики. - Киев : Наукова думка, 1990. - 172 с. : ил. - Библиогр.: с. 157-171. - ISBN 5-12-001267-1 : 2.40 р.
    Содержание:
Приближение линейного отклика в теории экситонов
Нелинейное взаимодействие квазичастиц и динамика экситонов
Особенности квазичастичных взаимодействий при больших уровнях накачки
Оптическая спектроскопия экситон-примесного взаимодействия
Экситонные процессы в кристаллах с трехмерным композиционным беспорядком
Энергетический спектр и транспортные свойства экситонов в условиях одномерного структурного беспорядка и политипизма

ГРНТИ

29.19.31

ББК В374
Рубрики:
Кристаллы--Свойства оптические--Экситоны

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бродин, Михаил Семенович; Блонский, И. В.; Ницович, Б. М.; Ницович, В. В.; Академия наук Украинской ССР; Институт физики АН Украинской ССР
Экземпляры всего: 2
КФ (2)
Свободны: КФ (2)}
Найти похожие

11.

   В37
   Г 12

    Гавричков, Владимир Александрович.
    Многоэлектронная теория оптических и электрических свойств ферромагнитных хромовых шпинелей : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 : защищена 10.03.1989 / В. А. Гавричков ; науч. рук. С. Г. Овчинников ; офиц. опп.: И. Н. Яссиевич, Е. В. Кузьмин ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг. Сиб. физ.-техн. ин-т ТГУ. - Красноярск, 1988. - 20 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.19.31

29.19.37

ББК В379.233я031
Рубрики:
Полупроводники магнитные--Свойства физические--Исследование

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Яссиевич, И. Н. \офиц. опп.\; Кузьмин, Евгений Всеволодович \офиц. опп.\; Gavrichkov, V. A.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР; Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

12.

   В37
   Г 82

    Грибковский, Виктор Павлович.
    Теория поглощения и испускания света в полупроводниках / В. П.Грибковский. - Минск : Наука и техника, 1975. - 464 с. : граф. - Библиогр.: с. 419-454 (801 назв.). - Предм. указ.: с. 455-459. - 2700 экз. - 2.98 р.

ГРНТИ

29.19.31

29.31.21

ББК В374.247
Рубрики:
Полупроводники--Свойства оптические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 2
КФ (2)
Свободны: КФ (2)}
Найти похожие

13.

   В37
   Г 92

    Грязнов, Олег Сергеевич.
    Вычисление кинетических коэффициентов для полупроводников / О. С.Грязнов ; Акад. наук СССР, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - Л. : Наука, 1977. - 168 с. - Библиогр.: с. 166-168. - 1.20 р.

ГРНТИ

29.19.15

29.19.31

ББК В379.25
Рубрики:
Полупроводники--Кинетические явления

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

14.

   К
   Д 16

    Дамаск, А.
    Точечные дефекты в металлах / А. Дамаск, Дж. Динс ; пер. с англ.: Д. Е. Темкина, Э. И. Эстрина, под ред. Б. Я. Любова. - М. : Мир, 1966. - 291 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Point Defects in Metals / A. C. Damask, G. J. Dienes. - 1.39 руб
    Содержание:
Общая теория
Теория отжига дефектов
Методы анализа кривых отжига
Физические свойства металлов и точечные дефекты их строения
Некоторые основные эксперименты

ГРНТИ

29.19.11

29.19.31

53.49.07

ББК К202
Рубрики:
Металлы--Структура

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Динс, Дж.; Любов, Борис Яковлевич \ред.\; Тёмкин, Д. Е. \пер.\; Эстрин, Э. И. \пер.\; Damask, A. C.; Dienes, G. J.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

15.

   В37
   Г 15

    Галицкий, Виктор Михайлович.
    Резонансное взаимодействие электромагнитных полей с полупроводниками / В. М. Галицкий, В. Ф. Елесин. - М. : Энергоатомиздат, 1986. - 192 с. : ил. - Библиогр.: с. 183-189 (142 назв.). - 2.40 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.23
Рубрики:
Полупроводники--Свойства электромагнитные

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Елесин, Владимир Федорович
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

16.

   З85
   Г 70

    Городецкий, Александр Фомич.
    Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Ф. Городецкий, А. Ф. Кравченко, Е. М. Самойлов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1966. - 350 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 3700 экз. - 1.98 р.
    Содержание:
Структура твердых тел
Основы квантовой теории твердых тел
Тепловые свойства твердых тел
Несовершенства в кристаллах
Статистика электронов в полупроводниках
Электропроводность полупроводников
Термоэлектрические и гальваномагнитные явления
Контактные явления
Полупроводниковые материалы
Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды)
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы)
Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах
Приборы, основанные на явлении Холла
Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях
Приборы, основанные на эффекте сильного поля
Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте

ГРНТИ

29.19.31

ББК З852 + В379.2
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Физические основы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кравченко, Александр Филиппович; Самойлов, Евгений Михайлович; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

17.

   З85
   Ф 83

    Франк, Гельмар.
    Полупроводниковые приборы / Г. Франк, В. Шнейдар ; пер. на рус. яз.: инж. Миллер Б. В. - Прага : Гостехиздат, 1960. - 570 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 567-570. - 3565 экз. - 1.50 р.
    Содержание:
Физические основы кристаллических приборов
Кристаллическая структура полупроводников
Зонная модель
Электроны и дырки в гомогенном кристалле
Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках
Физические основы транзисторов
Кристаллические фотоэлементы
Влияние магнитного поля на полупроводник
Влияние температуры на свойства полупроводников
Поверхностные явления
Полупроводниковый материал для кристаллических приборов
Химическая очистка
Зонная плавка
Вытягивание монокристаллов
Рекристаллизация (вплавление)
Диффузия доноров и акцепторов
Обработка германия и кремния
Свойства германия и кремния
Измерение основных параметров полупроводниковых материалов
Ориентировка кристаллов
Измерение проводимости и подвижности
Энергетические уровни в запретной зоне
Термоэлектрическое явление
Измерение оптических параметров
Измерение времени жизни основных носителей
Двухэлектродные полупроводниковые приборы
Кристаллические триоды и их свойства
Основные параметры транзистора в качестве усилителя
Дуальность транзистора и вакуумного триода
Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах
Измерение основных параметров транзистора
Построение статических характеристик
Измерение параметров rik и hik
Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности
Определение стабильности в режиме короткого замыкания
Измерение предельной частоты
Измерение емкости коллектора и эмиттера
Измерение шума транзистора
Определение импульсных свойств транзистора
Кристаллические тетроды
Обзор наиболее распространенных типов транзисторов
Техника усилителей на транзисторах
Цепи смещения транзисторов
Однокаскадные низкочастотные усилители
Многокаскадные усилители
Высокочастотные усилители
Основы генераторов на транзисторах
Переключающие схемы и формирование импульсов

ГРНТИ

29.19.31

47.33

47.01.33

ББК З852я73 + В379
Рубрики:
Полупроводники--Физика
Приборы полупроводниковые--Физические основы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шнейдар, Вацлав; Миллер, Б. В. \пер.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

18.

   В37
   Э 45


    Электронный спиновой резонанс в полупроводниках : сб. статей / пер. с англ. Л. Д. Богомоловой и И. В. Чепелевой, под ред. [и с предисл.] Н. А. Пенина. - М. : Изд-во иностр. лит., 1962. - 380 с. : граф., табл. - Библиогр. в конце ст. - Пер. изд. : Electron spin resonance in semiconductors. - 1.48 р.
    Содержание:
Электронный спиновой резонанс в полупроводниках, содержащих примеси с мелкими энергетическими уровнями
Феер, Дж. Электронная структура доноров в кремнии, определенная с помощью метода двойного электронно-ядерного резонанса / Дж. Феер
Феер, Дж. Эксперименты по электронному спиновому резонансу мелких доноров в германии / Дж. Феер, Д. Уилсон, Е. Герэ
Понтинен, Р. Спектр нового электронного спинового резонанса в германии, легированном сурьмой / Р. Понтинен, Т. Сандерс
Феер, Дж. Парамагнитный резонанс акцепторов в кремнии / Дж. Феер, Дж. Хенсел, Е. Герэ
Бемский, Дж. Спиновой резонанс электронов проводимости в InSb / Дж. Бемский
Спиновая релаксация примесных центров в полупроводниках
Пайнс, Д. Поляризация ядер и процессы спиновой релаксации примесных состояний в кремнии / Д. Пайнс, Дж. Бардини, Ч. Слихтер
Абрагамс, Е. Электронная спиновая релаксация доноров в кремнии / Е. Абрагамс
Феер, Д. Ж. Эффекты электронной спиновой релаксации доноров в кремнии / Д. ж. Феер, Е. Герэ
Хониг, А. Электронная спин-решеточная релаксация в кремнии, легированном фосфором / А. Хониг, Е. Стапп
Хониг, А. Мелкие примесные уровни и кинетика электронных переходов в кремнии n-типа при температуре жидкого гелия / А. Хониг, Р. Левитт
Леви, Р. Резонансное спин-спиновое взаимодействие между донорами и акцепторами в кремнии / Р. Леви
Электронный спиновой резонанс в полупроводниках, содержащих примеси или дефекты с глубокими энергетическими уровнями
Людвиг, Дж. Электронный спиновой резонанс в германии, легированном никелем / Дж. Людвиг, Г. Вудбери
Вудбери, Г. Спиновой резонанс переходных металлов в кремнии / Г. Вудбери, Дж. Людвиг
Людвиг, Дж. Электронная структура ионов переходных металлов в решетке с тетраэдрической симметрией / Дж. Людвиг, Г. Вудбери
Вудбери, Г. Взаимодействие вакансий в кремнии / Г. Вудбери, Дж. Людвиг
Бемский, Дж. Парамагнитный резонанс в кремнии, облученном электронами / Дж. Бемский
Уоткинс, Дж. Спиновый резонанс в кремнии, облученном электронами / Дж. Уоткинс, Дж. Корбет, Р. Уолкер
Тайтл, Р. Обнаружение захвата носителей заряда в фотопроводнике методом парамагнитного резонанса / Р. Тайтл

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.233.3я43
Рубрики:
Полупроводники--Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР)--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Богомолова, Л. Д. \пер.\; Чепелева, И. В. \пер.\; Пенин, Н. А. \ред. пер.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

19.

   З85
   Ф 63

    Фистуль, Виктор Ильич.
    Сильно легированные полупроводники / Виктор Ильич Фистуль. - М. : Наука, 1967. - 415 с. : рис., табл. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 397-415. - 1.49 р.
    Содержание:
Энергетический спектр электронов
Статистическая физика носителей заряда
Кинетические явления
Оптические свойства
Поведение легирующих примесей
Получение
Некоторые применения

ГРНТИ

29.19.31

47.09.29

ББК З852 + В379.212.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

20.

   В37
   Х 45

    Хилсум, К.
    Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]] / К. Хилсум, А. Роуз-Инс ; пер. с англ. [и предисл.] М. М. Горшкова и А. Э. Наджипа ; под ред. Н. П. Сажина и Г. В. Захваткина. - М. : Изд-во иностр. лит., 1963. - 324 с. : рис. - Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320. - Пер. изд. : Semiconducting III-V compounds / C. Hilsum, A. C. Rose-Innes. - 1.24 р.
    Содержание:
Кристаллическая структура и химическая связь
Свойства структуры цинковой обманки
Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости
Пьезоэлектрический эффект
"Ионность" связи
Расположение атомов
Скалывание
Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки
Спин-орбитальное расщепление
Ширина запрещенной зоны
Электроотрицательность. Выводы о характере связи
Зонная структура
Значение зонной структуры
Теория зонной структуры
Симметрия
Спин-орбитальные эффекты
Одномерная модель
Метод возмущений Германа
Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау
Зонная структура антимонида индия
Зона проводимости
Валентная зона
Зонная структура арсенида индия
Зонная структура антимонида галлия
Зонная структура арсенида галлия
Зонная структура фосфида галлия
Зонная структура антимонида алюминия
Зонная структура нитрида бора
Общий обзор энергетических схем соединений III-V
Примеси и дефекты
Доноры и акцепторы
Водородоподобная модель примесей
Антимонид индия
Донорные примеси
Акцепторные уровни
Примесная зона
Арсенид индия
Фосфид индия
Антимонид галлия
Арсенид галлия
Фосфид галлия
Антимонид алюминия
Смешанные кристаллы
Диффузия
Дислокационные трещины
Получение соединений III-V
Образование соединений
Очистка элементов
Методы получения
Аппаратура
Остаточные примеси
Очистка бестигельной зонной плавкой
Электрические свойства
Процессы рассеяния
Рассеяния на акустических колебаниях решетки
Рассеяния на оптических колебаниях решетки
Рассеяния на примесях
Рассеяния на носителях
Подвижность в соединениях III-V
Характерные черты переноса носителей
Следствия большого отношения подвижностей
Электрических свойств от магнитного поля
Оптические и фотоэлектрические свойства
Край полосы поглощения
Роль свободных носителей
Поглощение на колебаниях решетки
Показатель преломления
Фотоэлектрические явления
Механизмы рекомбинации
Измерение времени жизни
Эмиссия излучения
Применения
Применения переходов
Диоды с переменной емкостью
Микроволновые детекторы
Коммутирующие диоды
Туннельные диоды
Транзисторы
Применения гальваномагнитных эффектов
Магнетометр, основанный на эффекте Холла
Измеритель магнитной восприимчивости
Измерение электрического тока и мощности
Умножитель на основе на эффекте Холла
Усилитель на основе на эффекте Холла
Магниторезистивные генератор и усилитель
Магниторезистивный датчик перемещения
Оптические применения
Инфракрасные фотоэлементы
Солнечные батареи
Оптические фильтры

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Роуз-Инс, А.; Горшков, М. М. \пер.\; Наджип, А. Э. \пер.\; Сажин, Н. П. \ред. пер.\; Захваткин, Г. В. \ред. пер.\; Hilsum, C. ; Rose-Innes, A. C.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие