Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>S=Приборы полупроводниковые -- Физические основы<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.
   З85
   Л 33


    Лебедев, Александр Иванович.
    Физика полупроводниковых приборов / А. И. Лебедев. - М. : Физматлит, 2008. - 487 с. - Библиогр.^ 356 назв. - Предм. указ. - 300 экз. - ISBN 978-5-9221-0995-6 : 310.00 р.
ГРНТИ
ББК З852
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Физические основы
   Приборы оптоэлектронные--Физические основы


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
2.
   З85
   Г 18


    Гаман, В. И.
    Физика полупроводниковых приборов : учеб. пособие / В. И. Гаман. - Томск : Изд-во НТЛ, 2000. - 426 с. - 110.00 р.
ГРНТИ
ББК З852я73
Рубрики:
Полупроводники--Физика
   Приборы полупроводниковые--Физические основы

   Приборы оптоэлектронные--Физические основы


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
3.
   З85
   З-59


    Зи, С. М.
    Физика полупроводниковых приборов : пер. с англ. / С. М. Зи ; ред.пер. А. Ф. Трутко. - М. : Энергия, 1973. - 655 с. : ил. - Библиогр.: с. 612-651. - Пер. изд. : Physics of semiconductor devices / C. M. Sze. - 13000 экз. - 2.26 р.
ГРНТИ
ББК З852-01
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Физические основы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Трутко, А. Ф. \ред.пер.\; Sze, C. M.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
4.
   В37
   О-35


    Овчаренко, Н. И.
    Гальваномагнитные явления в полупроводниках и их техническое использование / Н. И. Овчаренко. - М. : Высшая школа, 1961. - 100 с. - Библиогр.: с. 95-98. - 0.14 р.
ГРНТИ
ББК В379.234 + З233
Рубрики:
Полупроводники--Свойства гальваномагнитные
   Приборы полупроводниковые--Физические основы


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие
5.
   З85
   Ф 34


    Федотов, Яков Андреевич.
    Основы физики полупроводниковых приборов / Я. А. Федотов. - 2-е изд., испр. и доп. - М. : Сов. радио, 1969. - 592 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 581 (24 назв.). - 1.28 р.
Предм. указ. 583 - 588
ГРНТИ
ББК З852-01я73
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Физические основы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
6.
   З85
   Г 70


    Городецкий, Александр Фомич.
    Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Ф. Городецкий, А. Ф. Кравченко, Е. М. Самойлов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1966. - 350 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 3700 экз. - 1.98 р.
    Содержание:
Структура твердых тел
Основы квантовой теории твердых тел
Тепловые свойства твердых тел
Несовершенства в кристаллах
Статистика электронов в полупроводниках
Электропроводность полупроводников
Термоэлектрические и гальваномагнитные явления
Контактные явления
Полупроводниковые материалы
Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды)
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы)
Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах
Приборы, основанные на явлении Холла
Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях
Приборы, основанные на эффекте сильного поля
Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте
ГРНТИ
ББК З852 + В379.2
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Физические основы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кравченко, Александр Филиппович; Самойлов, Евгений Михайлович; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
7.
   З85
   Ф 83


    Франк, Гельмар.
    Полупроводниковые приборы / Г. Франк, В. Шнейдар ; пер. на рус. яз.: инж. Миллер Б. В. - Прага : Гостехиздат, 1960. - 570 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 567-570. - 3565 экз. - 1.50 р.
    Содержание:
Физические основы кристаллических приборов
Кристаллическая структура полупроводников
Зонная модель
Электроны и дырки в гомогенном кристалле
Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках
Физические основы транзисторов
Кристаллические фотоэлементы
Влияние магнитного поля на полупроводник
Влияние температуры на свойства полупроводников
Поверхностные явления
Полупроводниковый материал для кристаллических приборов
Химическая очистка
Зонная плавка
Вытягивание монокристаллов
Рекристаллизация (вплавление)
Диффузия доноров и акцепторов
Обработка германия и кремния
Свойства германия и кремния
Измерение основных параметров полупроводниковых материалов
Ориентировка кристаллов
Измерение проводимости и подвижности
Энергетические уровни в запретной зоне
Термоэлектрическое явление
Измерение оптических параметров
Измерение времени жизни основных носителей
Двухэлектродные полупроводниковые приборы
Кристаллические триоды и их свойства
Основные параметры транзистора в качестве усилителя
Дуальность транзистора и вакуумного триода
Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах
Измерение основных параметров транзистора
Построение статических характеристик
Измерение параметров rik и hik
Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности
Определение стабильности в режиме короткого замыкания
Измерение предельной частоты
Измерение емкости коллектора и эмиттера
Измерение шума транзистора
Определение импульсных свойств транзистора
Кристаллические тетроды
Обзор наиболее распространенных типов транзисторов
Техника усилителей на транзисторах
Цепи смещения транзисторов
Однокаскадные низкочастотные усилители
Многокаскадные усилители
Высокочастотные усилители
Основы генераторов на транзисторах
Переключающие схемы и формирование импульсов
ГРНТИ
ББК З852я73 + В379
Рубрики:
Полупроводники--Физика
   Приборы полупроводниковые--Физические основы


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шнейдар, Вацлав; Миллер, Б. В. \пер.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
8.
   В37
   И 85


   
    Исследование бинарных полупроводников / А. М. Андриеш [и др.] ; отв. ред. Д. В. Грицу ; Акад. наук МССР, Институт прикладной физики АН МССР. - Кишинев : Штиинца, 1983. - 96 с. : ил. - (Компьютеры в физике ; вып. 2). - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 105-130. - 1.20 р.
    Содержание:
Получение монокристаллических и аморфных бинарных полупроводников
Комплексное исследование физических свойств бинарных полупроводников
Явления переноса
Спектры поглощения и отражения в области длинноволнового края собственного поглощения
Люминесценция бинарных полупроводников
Фотоэлектрические свойства бинарных полупроводников
Комплексное исследование приборных структур, изготовленных на основе бинарных полупроводников
Электрические свойства приборных структур
Фотоэлектрические и люминесцентные свойства приборных структур
Применение бинарных полупроводников
ГРНТИ
ББК В379
Рубрики:
Полупроводники бинарные--Свойства физические--Исследование
   Приборы полупроводниковые--Физические основы


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Андриеш, Андрей Михайлович; Арушанов, Эрнст Константинович; Молодян, Иван Петрович; Грицу, Д. В. \ред.\; Академия наук Молдавской ССР; Институт прикладной физики АН Молдавской ССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)