Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Абрамова, Галина Михайловна$<.>)
Общее количество найденных документов : 103
Показаны документы с 1 по 20
1.


    Loseva, G. V.
    Metal-semiconductor high-temperature transitions in coxcr1-XS system / G. V. Loseva, G. M. Abramova, A. V. Baranov // Fiz. Tverd. Tela. - 1981. - Vol. 23, Is. 5. - P. 1519-1521. - Cited References: 3 . - ISSN 0367-3294
РУБ Physics, Condensed Matter


WOS
Доп.точки доступа:
Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Baranov, A. V.
}
Найти похожие
2.


    Loseva, G. V.
    Metal-nonmetal transition in vanadium monosulfide / G. V. Loseva, G. M. Abramova, S. G. Ovchinnikov // Fiz. Tverd. Tela. - 1983. - Vol. 25, Is. 10. - P. 3165-3167. - Cited References: 8 . - ISSN 0367-3294
РУБ Physics, Condensed Matter


WOS
Доп.точки доступа:
Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие
3.


   
    Электрические и магнитные свойства сульфомагнетита FeS, Fe[2]O[3] / Г. В. Лосева [и др.] ; АН СССР. СО. Ин-т физ. // Физ. свойства магнетиков. - Красноярск, 1990. - С. 147-155
ГРНТИ


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Лосева, Галина Васильевна; Мукоед, Галина Михайловна; Абрамова, Галина Михайловна; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Ryabinkina, L. I.
}
Найти похожие
4.


   
    Особенности электрических и магнитных свойств оксисульфидов MeS*Fe[2]O[3] / Г. В. Лосева [и др.] // Физ. тверд. тела. - 1992. - Т. 34, Вып. 8. - С. 1765-1769
ГРНТИ

Аннотация: Исследованы структурные, тепловые (ДТА), электрические и магн. свойства оксисульфидов MeS*Fe[2]O[3] (Me=V, Fe, Mn) в области т-р 77-1200К. Обнаружен переход металл-диэлектрик в FeS*Fe[2]O[3] при 'ЭКВИВ='120К и в VS*Fe[2]O[3] при 'ЭКВИВ='300К. Проведено сравнение электронных структур MeS*Fe[2]O[3] и Fe[3]O[4]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лосева, Галина Васильевна; Мукоед, Галина Михайловна; Абрамова, Галина Михайловна; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Ryabinkina, L. I.
}
Найти похожие
5.
   В37
   М 90


    Мукоед, Галина Михайловна.
    Переход металл-диэлектрик в сульфидах ванадия и кобальта [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук / Г. М. Мукоед ; науч. рук.: Г. А. Петраковский, Г. В. Лосева ; Краснояр. гос. ун-т. - Красноярск, 1995. - 133 с. - Библиогр.: 118 назв. . -
ГРНТИ
ББК В379.231.21я031


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Петраковский, Герман Антонович \науч. рук.\; Petrakovskii, G. A.; Лосева, Галина Васильевна \науч. рук.\; Loseva G.V.; Абрамова, Галина Михайловна; Красноярский государственный университет
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие
6.
   В37

    Мукоед, Галина Михайловна.
    Переход металл-диэлектрик в сульфидах ванадия и кобальта : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / Г. М. Мукоед ; науч. рук.: Г. А. Петраковский, Г. В. Лосева ; офиц. оп.: А. С. Петров, В. К. Чернов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг.: Ин-т неорган. химии. - Красноярск, 1995. - 18 с. - Библиогр.: 22 назв. . - 70 экз. -
ГРНТИ


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Петраковский, Герман Антонович \науч. рук.\; Petrakovskii, G. A.; Лосева, Галина Васильевна \науч. рук.\; Loseva, G. V.; Петров, А. С. \офиц. опп.\; Чернов, Владимир Кондратьевич \офиц. опп.\; Абрамова, Галина Михайловна; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Свободных экз. нет}
Найти похожие
7.


   
    Electrical properties of chromium films / G. M. Abramova [et al.] // Phys. Solid State. - 1999. - Vol. 41, Is. 3. - P. 341-343, DOI 10.1134/1.1130779. - Cited References: 11 . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:

Аннотация: We have investigated experimentally the influence of a constant electric current on the magnitude and temperature dependence of the resistance of chromium films prepared by vacuum-thermal condensation. The results are interpreted in terms of the Frohlich conductivity model. (C) 1999 American Institute of Physics. [S1063-7834(99)00303-2].

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Krasnoyarsk State Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН

Доп.точки доступа:
Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Kiselev, N. I.; Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович
}
Найти похожие
8.


   
    Colossal magnetoresistance of FexMn1-xS magnetic semiconductors / G. A. Petrakovskii [et al.] // JETP Letters. - 1999. - Vol. 69, Is. 12. - P. 949-953, DOI 10.1134/1.568118. - Cited References: 8 . - ISSN 0021-3640
РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
MANGANITES
Аннотация: The magnetic, electric, magnetoresistive, and structural properties are investigated in the sulfide solid solutions FexMn1-xS, which are based on the antiferromagnetic semiconductor alpha-MnS (the fcc NaCl lattice). Colossal negative magnetoresistance (delta(H)similar to-83% at 160 K for x similar to 0.29), comparable to that observed in La-Ca-Mn-O polycrystals and films (delta(H)similar to-90% at 100 K and 40 kOe), is observed in compounds with intermediate concentrations 0.26 x 0.4, corresponding to the region of incipient ferromagnetism. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0021-3640(99)01212-8].

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Krasnoyarsk State Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
ИФ СО РАН

Доп.точки доступа:
Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Kiselev, N. I.; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Bovina, A. F.; Бовина, Ася Федоровна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна
}
Найти похожие
9.


   
    Low-temperature electronic and magnetic transitions in the antiferromagnetic semiconductor Cr0.5Mn0.5S / G. A. Petrakovskii [et al.] // Phys. Solid State. - 1999. - Vol. 41, Is. 9. - P. 1520-1524, DOI 10.1134/1.1131014. - Cited References: 13 . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:

Аннотация: Experimental-theoretical studies were carried out of the electrical and magnetic properties of the antiferromagnetic semiconductor Cr0.5Mn0.5S in the temperature range 4.2-300 K. A magnetic antiferromagnetic-ferrimagnetic phase transition was observed along with a semimetal- semiconductor electronic transition. Monte Carlo calculations indicate that the changes in the type of magnetic ordering and conductivity are due to the cooperative Jahn-Teller effect caused by the Cr2+ ions. (C) 1999 American Institute of Physics. [S1063-7834(99)02609-X].

WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Низкотемпературные электронные и магнитные переходы в антиферромагнитном полупроводнике Cr0.5Mn0.5S [Текст] / Г. А. Петраковский, Л. И. Рябинкина, Д. А. Великанов [и др.] // Физ. тверд. тела. - Санкт-Петербург, 1999. - Т. 41 Вып. 9. - С. 1660-1664

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН

Доп.точки доступа:
Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Kiselev, N. I.; Bovina, A. F.; Бовина, Ася Федоровна
}
Найти похожие
10.


   
    Низкотемпературные электронные и магнитные переходы в антиферромагнитном полупроводнике Cr0.5Mn0.5S / Г. А. Петраковский, Л. И. Рябинкина, Д. А. Великанов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 1999. - Т. 41, Вып. 9. - С. 1660-1664. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Проведены экспериментально-теоретические исследования электрических и магнитных свойств антиферромагнитного полупроводника Cr0.5Mn0.5S в области температур 4.2-300 K. Обнаружены магнитный переход антиферромагнетик-ферримагнетик и электронный переход полуметалл-полупроводник. На основе расчетов методом Монте-Карло предполагается, что смена типа магнитного порядка и проводимости обусловлены кооперативным эффектом Яна-Теллера, вызванным ионами Cr2+.

Читать в сети ИФ

Переводная версия Low-temperature electronic and magnetic transitions in the antiferromagnetic semiconductor Cr0.5Mn0.5S [Текст] / G. A. Petrakovskii [et al.] // Phys. Solid State : AMER INST PHYSICS, 1999. - Vol. 41 Is. 9.- P1520-1524

Держатели документа:
Институт физики Сибирского отделения РАН
Объединенный институт геологии, геофизики и минералогии Сибирского отделения РАН

Доп.точки доступа:
Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii, G. A.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Ryabinkina, L. I.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Абрамова, Галина Михайловна; Abramova, G. M.; Киселев, Николай Иванович; Kiselev N.I.; Бовина, Ася Федоровна; Bovina, A. F.
}
Найти похожие
11.


   
    Giant magnetoresistance of MexMn1-xS (Me = Fe, Cr) sulfides / G. A. Petrakovskii [et al.] // JETP Letters. - 2000. - Vol. 72, Is. 2. - P. 70-72, DOI 10.1134/1.1312014. - Cited References: 6 . - ISSN 0021-3640
РУБ Physics, Multidisciplinary

Аннотация: The structural, electrical, and magnetic properties, as well as the magnetoresistance of polycrystalline MexMn1-xS (Me = Fe and Cr) sulfides were investigated in longitudinal magnetic fields of up to 50 kOe over the temperature range 4.2-300 K. The ferromagnetic compound FexMn1-xS (x = 0.29) exhibits the giant magnetoresistance (GMR) effect with magnitude delta(H) = -450% in a field of 30 kOe at 50 K. Antiferromagnetic CrxMn1-xS (x = 0.5) sulfide undergoes a transition to the GMR state (delta(H) similar to -25% in a field of 30 kOe at 4.2 K) in the region of antiferromagnet-ferromagnet transition (T-c similar to 66 K). A mechanism of the GMR in these compounds is discussed. (C) 2000 MAIK "Nauka/Interperiodica".

WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Div, Krasnoyarsk 660036, Russia
Krasnoyarsk State Univ, Krasnoyarsk 660062, Russia
ИФ СО РАН

Доп.точки доступа:
Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Balaev, A. D.; Балаев, Александр Дмитриевич; Balaev, D. A.; Балаев, Дмитрий Александрович; Bovina, A. F.; Бовина, Ася Федоровна
}
Найти похожие
12.


   
    Antiferromagnet-ferromagnet transition in alpha-MnxS manganese sulfides / G. A. Petrakovskii [et al.] // Phys. Solid State. - 2001. - Vol. 43, Is. 3. - P. 493-495 ; Phys. Solid State. - 2001. - Vol. 43, Is. 3. - P. 493-495, DOI 10.1134/1.1356126. - Cited References: 7 . - ISSN 1063-7834. - Вариант Sopus
РУБ Physics, Condensed Matter

Аннотация: Off-stoichiometric manganese monosulfides alpha -MnxS (1 less than or equal to x less than or equal to 1.25) are synthesized, and their crystal structure and magnetic properties are studied in the 4.2- to 300-K range. The compounds have a NaCl fcc lattice. Increasing the manganese ion concentration x in the antiferromagnetic semiconductors alpha -MnxS is found to result in concentration- (x(c) similar to 1.05) and temperature-driven (T-c similar to 50 K) magnetic transitions from the antiferromagnetic to ferromagnetic state, with the cubic structure remaining unchanged. (C) 2001 MAIK "Nauka/Interperiodica".

WOS,
Scopus,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Div, Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Krasnoyarsk State Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
ИФ СО РАН
Kirenskii Inst. of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Krasnoyarsk State University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Kirenskii Inst. of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Krasnoyarsk State University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Bovina, A. F.; Бовина, Ася Федоровна

}
Найти похожие
13.


   
    Anisotropy of optical absorption of alpha-MnS single crystal / I. S. Edelman [et al.] // Phys. Solid State. - 2001. - Vol. 43, Is. 8. - P. 1549-1551 ; Phys. Solid State. - 2001. - Vol. 43, Is. 8. - P. 1549-1551, DOI 10.1134/1.1395100. - Cited References: 11 . - ISSN 1063-7834. - Вариант Sopus
РУБ Physics, Condensed Matter

Аннотация: The optical absorption spectra of an alpha -MnS single crystal and their temperature behavior in the range from 86 to 300 K are investigated for the (100) plane in the energy range from 8 x 10(3) to 22 x 10(3) cm(-1) for the first time. Comparison of these spectra with those for the (111) plane reveals an essential absorption anisotropy in unpolarized light. The anisotropy is manifested in a much stronger splitting of the lowest energy band for the (100) plane in comparison with that for the (111) plane. With decreasing temperature, the splitting becomes smaller. Possible mechanisms for the anisotropy revealed are proposed. (C) 2001 MAIK "Nauka/ Interperiodica".

WOS,
Scopus,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Div, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Edelman, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Markov, V. V.; Марков, Владимир Витальевич

}
Найти похожие
14.


   
    Magnetic properties of FexMn1-xS sulfides exhibiting the magnetoresistive effect / G. A. Petrakovskii [et al.] // Phys. Solid State. - 2002. - Vol. 44, Is. 10. - P. 1925-1928, DOI 10.1134/1.1514782. - Cited References: 10 . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter

Аннотация: The magnetic, electrical, and thermal (derived from DTA data) properties of FexMn1 - xS polycrystalline sulfides (0less than or equal toxless than or equal to0.38) synthesized based on alpha-MnS (NaCl cubic lattice) and exhibiting colossal magnetoresistance were studied. The studies were conducted at temperatures from 77 to 1000 K and magnetic fields of up to 30 kOe. As the degree of cation substitution in the FexMn1 - xS system was increased, the magnetic order was found to change from antiferromagnetic to ferromagnetic. In the high-temperature domain (550-850 K), the samples undergo two phase transitions with critical temperatures T-c1 and T-c2, which are accompanied by reversible anomalies in the magnetization and thermal (DTA) properties and by a semiconductor-metal transition. (C) 2002 MAIK "Nauka/Interperiodica".

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Div, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Natl Acad Belarus, Inst Solid State & Semicond Phys, Minsk 220072, Byelarus
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Balaev, A. D.; Балаев, Александр Дмитриевич; Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна; Makovetskii, G. I.; Yanushkevich, K. I.; Galyas, A. I.
}
Найти похожие
15.


   
    FexMn1-xS solid solutions with colossal magnetoresistance effect / G. A. Petrakovskii [и др.] // Izv. Akad. Nauk Ser. Fiz. - 2002. - Vol. 66, Is. 6. - P. 857-860. - Cited References: 9 . - ISSN 1026-3489
РУБ Physics, Multidisciplinary


WOS
Доп.точки доступа:
Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Ryabinkina, L. I.; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Balaev, D. A.; Балаев, Дмитрий Александрович; Kiselev, N. I.; Romanova, O. B.; Yanyshkevich, K. I.; OMA-2001/ODPO-2001 Conference(Sep., 2001 ; Rostov na Donu)
}
Найти похожие
16.


   
    Electron transition in intercalated disulfide CuCrS2 / G. M. Abramova [et al.] // Phys. Solid State. - 2004. - Vol. 46, Is. 12. - P. 2225-2228, DOI 10.1134/1.1841385. - Cited References: 12 . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
METAL DICHALCOGENIDES
   MAGNETIC-PROPERTIES

Аннотация: Electrical, resonant, and magnetic properties of intercalated copper chromium disulfide CuCrS2 are studied. It is established that CuCrS2 is an antiferromagnetic semiconductor with Neel temperature T-N = 40.7 K and an effective magnetic moment of 4.3mu(B). Anomalies in the electrical, magnetic, and resonant properties of CuCrS2 are found at T-c = 110 K, which suggest an electron transition accompanied by alteration of the valences of the 3d-metal ions. (C) 2004 MAIK "Nauka/Interperiodica".

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Krasnoyarsk State Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Div, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Bashkortostan State Univ, Ufa 450074, Bashkortostan, Russia
ИФ СО РАН
Krasnoyarsk State University, pr. Svobodnyi 79, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Akademgorodok, 660036, Russian Federation
Bashkortostan State University, ul. Frunze 32, Ufa, Bashkortostan, 450074, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Vorotynov, A. M.; Воротынов, Александр Михайлович; Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Kiselev, N. I.; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Bovina, A. F.; Бовина, Ася Федоровна; Al'mukhametov, R. F.; Yakshibaev, R. A.; Gabitov, E. V.
}
Найти похожие
17.


   
    Hall effect in the FexMn1-xS magnetic semiconductors / L. I. Ryabinkina [et al.] // Phys. Solid State. - 2004. - Vol. 46, Is. 6. - P. 1068-1072, DOI 10.1134/1.1767246. - Cited References: 17 . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
MAGNETORESISTANCE
   FIELDS

   MNS

Аннотация: The electrical properties and the Hall effect in the FexMn1-xS magnetic semiconductors (0less than or equal toxless than or equal to0.5) have been experimentally studied in the range 77-300 K in magnetic fields of up to 15 kOe. The cation-substituted sulfides with 0.25less than or equal toxless than or equal to0.3 possessing colossal magnetoresistance (CMR) were established to be narrow-gap semiconductors with carrier concentrations nsimilar to10(11)-10(15) cm(-3) and high carrier mobilities musimilar to 10(2)-10(4) cm(2) V-1 s(-1). It is believed that the CMR effect in these sulfides can be explained in terms of the model of magnetic and electron phase separation, which is analogous to the percolation theory in the case of heavily doped semiconductors. (C) 2004 MAIK "Nauka/Interperiodica".

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Div, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна; Kiselev, N. I.
}
Найти похожие
18.


   
    Spin-dependent transport in alpha-MnS single crystals / S. S. Aplesnin [et al.] // Phys. Solid State. - 2004. - Vol. 46, Is. 11. - P. 2067-2072 ; Phys. Solid State. - 2004. - Vol. 46, Is. 11. - P. 2067-2072, DOI 10.1134/1.1825551. - Cited References: 11 . - ISSN 1063-7834. - Вариант Sopus
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
MAGNETORESISTANCE
Аннотация: The electrical resistivity of single crystal alpha-MnS in crystallographic directions [111] and [100] was found to be anisotropic in the temperature interval 77-300 K. The change in activation energy below the Neel temperature was determined. Magnetoresistance was revealed, and reversal of its sign in the (111) plane above the Neel point was found. The experimental data are analyzed in terms of the s-d model, with the manganese ion holes interacting with localized spins assumed to be free carriers. (C) 2004 MAIK "Nauka/Interperiodica".

WOS,
Scopus,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Div, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Akademgorodok, 660036, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Akademgorodok, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна; Kiselev, N. I.; Bovina, A. F.; Бовина, Ася Федоровна

}
Найти похожие
19.


   
    Influence of magnetic ordering on the resistivity anisotropy of alpha-MnS single crystal / S. S. Aplesnin [et al.] // Solid State Commun. - 2004. - Vol. 129, Is. 3. - P. 195-197 ; Solid State Commun. - 2004. - Vol. 129, Is. 3. - P. 195-197, DOI 10.1016/j.ssc.2003.09.028. - Cited References: 7 . - ISSN 0038-1098. - Вариант Sopus
РУБ Physics, Condensed Matter

Кл.слова (ненормированные):
anisotropy of resistivity -- optical gap -- D. Anisotropy of resistivity -- D. Optical gap -- Antiferromagnetism -- Band structure -- Bandwidth -- Diffractometers -- Electron transitions -- Fermi level -- Hamiltonians -- Light absorption -- Magnetic anisotropy -- Magnetization -- Single crystals -- Spectroscopic analysis -- X ray diffraction analysis -- Coulomb repulsion -- Resistivity anisotropy -- Semiconducting manganese compounds -- D. Anisotropy of resistivity -- D. Optical gap -- Antiferromagnetism -- Band structure -- Bandwidth -- Diffractometers -- Electron transitions -- Fermi level -- Hamiltonians -- Light absorption -- Magnetic anisotropy -- Magnetization -- Single crystals -- Spectroscopic analysis -- X ray diffraction analysis -- Coulomb repulsion -- Resistivity anisotropy -- Semiconducting manganese compounds
Аннотация: The resistivity and the optical absorbtion spectra of single crystal alpha-MnS are studied in the temperature range 80-300 K along two directions [100] and [111]. Strong anisotropy of the resistivity, and the shift of absorbtion spectra band edge below T < 160 K are explained in terms of model involving delocalized holes in 3d-band manganese ions interacting with localized spins by using the sd-model. (C) 2003 Elsevier Ltd. All rights reserved.

WOS,
Scopus,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Siberian Branch, Academcumpus, Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Branch, Academcumpus, Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Kiselev, N. I.; Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна

}
Найти похожие
20.


   
    Conductivity, weak ferromagnetism, and charge instability in an alpha-MnS single crystal / S. S. Aplesnin [et al.] // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 71, Is. 12. - Ст. 125204 ; Phys. Rev. B Condens. Matter Mater. Phys. - 2005. - Vol. 71, Is. 12. - Ст. 125204, DOI 10.1103/PhysRevB.71.125204. - Cited References: 11 . - ISSN 1098-0121. - Вариант Sopus
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
MANGANITES
Кл.слова (ненормированные):
ferromagnetic material -- manganese derivative -- absorption spectroscopy -- article -- calculation -- conductance -- crystal -- electron spin resonance -- hybridization -- magnetic field -- magnetism -- measurement -- molecular interaction -- temperature dependence -- temperature measurement -- ferromagnetic material -- manganese derivative -- absorption spectroscopy -- article -- calculation -- conductance -- crystal -- electron spin resonance -- hybridization -- magnetic field -- magnetism -- measurement -- molecular interaction -- temperature dependence -- temperature measurement
Аннотация: The temperature dependence of resistivity, magnetization, and electron-spin resonance of the α-MnS single crystal were measured in temperature range of 5 K < T< 550 K. Magnetization hysteresis in an applied magnetic field up to 0.7 T at T=5, 77, and 300 K, irreversible temperature behavior of magnetization, and resistivity were found. The obtained data were explained in terms of a degenerate tight binding model using random phase. approximation. The contribution of holes in t(2g) and e(g) bands of manganese ions to the conductivity, optical absorbtion spectra, and charge instability in α-MnS were studied. Charge susceptibility maxima resulted from the competition of the on-site Coulomb interaction between the holes in different orbitals and small hybridization of subbands were calculated at T = 160, 250, and 475 K.

WOS,
Scopus,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Ryabinkina, L. I.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна; Vorotynov, A. M.; Воротынов, Александр Михайлович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Kiselev, N. I.; Balaev, A. D.; Балаев, Александр Дмитриевич

}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)