Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Аксенов, Сергей Владимирович$<.>)

Общее количество найденных документов : 108
Показаны документы с 1 по 20

Вальков, Валерий Владимирович.
Резонансное туннелирование электрона через потенциальный рельеф спинового димера [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // XXXII Междунар. зим. шк. физиков-теоретиков "Коуровка" : тезисы докл.: "Зеленый мыс", Новоуральск, Свердл. обл., 25 февр.-2 марта 2008 г. - Екатеринбург, 2008. - С. 141

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Val'kov, V. V.; Международная зимняя школа физиков-теоретиков "Коуровка-2008"(33 ; 2008 ; февр.-март ; Новоуралськ, Свердловская обл.); "Коуровка-2008", Международная зимняя школа физиков-теоретиков(32 ; 2008 ; февр.-март ; Новоуралськ, Свердловская обл.); Российская академия наукНаучный совет по физике конденсированных сред РАН; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН
}
Найти похожие

Эффекты неупругого транспорта электрона через потенциальный рельеф спинового димера в магнитном поле / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // Нанофизика и наноэлектроника : XIII Международный Симпозиум 16-20 марта 2009 г. Нижний Новгород : [программа и тезисы докл.]. - 2009. - Т. 1. - С. 179

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Вальков, Валерий Владимирович; Val'kov V. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(13 ; 2009 ; март ; Нижний Новгород); Институт физики микроструктур РАН
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Проявление неупругих эффектов в транспортных характеристиках спиновых наноструктур / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // Второй Международный междисциплинарный симпозиум "Среды с магнитным и структурным упорядочением" (Multiferroics-2) : труды. - 2009. - С. 5

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Val'kov, V. V.; "Среды со структурным и магнитным упорядочением", Международный междисциплинарный симпозиум(2 ; 2009 ; сент. ; Ростов-на-Дону); Российская академия наук; Южный федеральный университетИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
}
Найти похожие

Проявление неупругих эффектов в транспортных характеристиках спиновых наноструктур / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // Известия Российской академии наук. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, № 5. - С. 763-765 . - ISSN 0367-6765
Аннотация: Исследована роль неупругих спин-зависящих эффектов в транспорте спин-поляризованного электрона через модельные наноструктуры: двух-, четырех- и шестиспиновые кластеры. Показано, что индуцированные за счет s-d(f )-обменного взаимодействия электрона с нанокластером спин-флоп-процессы приводят к изменению потенциального профиля и к качественной модификации энергетической зависимости транспортных характеристик.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Вальков, Валерий Владимирович; Val'kov, V. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффекты неупругого транспорта электрона через потенциальный рельеф спинового димера в магнитном поле / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // Известия Российской академии наук. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, № 1. - С. 6-11 . - ISSN 0367-6765
Аннотация: На основе точного решения уравнения Шрёдингера изучено влияние неупругих эффектов на квантовый транспорт электрона через потенциальный рельеф спинового димера. Особенность задачи связана с наличием когерентной суперпозиции разных потенциальных профилей, через которые туннелирует спин-поляризованный электрон. Обнаружено, что малое магнитное поле индуцирует новые пики резонансного туннелирования. В области больших магнитных полей транспорт электронов с противоположной спиновой поляризацией качественно различен.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

   В37

    Аксенов, Сергей Владимирович.
    Влияние неупругих эффектов на спин-зависящий транспорт в наноструктурах : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 26.12.2011 / С. В. Аксенов ; науч. рук. В. В. Вальков ; офиц. опп.: А. А. Фраерман, Г. А. Петраковский ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг. Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева. - Красноярск, 2011. - 23 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.19.22

29.19.23

Рубрики:
Наноструктуры--Свойства электромагнитные--Исследование

Смотреть автореферат,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Вальков, Валерий Владимирович \науч. рук.\; Фраерман, А. А. \офиц. опп.\; Петраковский, Герман Антонович \офиц. опп.\; Aksenov, S. V.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффекты ФАНО при квантовом транспорте через спиновую наноструктуру / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // Тезисы III Международного междисциплинарного симпозиума “Среды со структурным и магнитным упорядочением” (Multiferroics-3) / "Среды со структурным и магнитным упорядочением", Международный междисциплинарный симпозиум (3 ; 2011 ; сент. ; 4-8 ; Лоо, Россия). - 2011

Программа конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Val'kov, V. V.; "Среды со структурным и магнитным упорядочением", Международный междисциплинарный симпозиум(3 ; 2011 ; сент. ; 4-8 ; Лоо, Россия); Российская академия наук; Южный федеральный университетИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
}
Найти похожие

   В37
   А 42

    Аксенов, Сергей Владимирович.
    Влияние неупругих эффектов на спин-зависящий транспорт в наноструктурах [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Аксенов ; науч. рук. В. В. Вальков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2011. - 168 с. - Библиогр.: 195 назв. -

ГРНТИ

29.19.22

ББК В373.3я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Вальков, Валерий Владимирович \науч. рук.\; Val'kov V.V.; Aksenov, S. V.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

Эффекты неупругого спин-зависящего электронного транспорта через спиновую наноструктуру в магнитном поле / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // ЖЭТФ. - 2011. - Т. 140, № 2. - С. 305-316. - Библиогр.: 30 . - ISSN 0044-4510
Аннотация: В приближении сильной связи при использовании формализма Ландауэра-Буттикера исследованы транспортные и вольт-амперные характеристики (ВАХ) системы спиновых димеров с антиферромагнитной связью, расположенных между металлическими контактами. Показано, что s-d(f)-обменное взаимодействие между спиновыми моментами транспортируемых электронов и спинами наноструктуры приводит как к созданию потенциального профиля, так и к его изменению за счет спин-флип-процессов. В результате спин-зависящий транспорт становится неупругим, а коэффициент прохождения и ВАХ - сильно модифицированными. Обнаружено, что включение магнитного поля индуцирует дополнительные пики прозрачности в спектральной характеристике системы и вызывает эффект колоссального магнито-сопротивления.

РИНЦ,
https://elibrary.ru/item.asp?id=18009922
Держатели документа:
Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия
Институт химии ДВО РАН, Владивосток, Россия

Доп.точки доступа:
Вальков, Валерий Владимирович; Val'kov, V. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.
}
Найти похожие

10.

Val'kov, V. V.
Effects of inelastic spin-dependent electron transport through a spin nanostructure in a magnetic field / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov // J. Exp. Theor. Phys. - 2011. - Vol. 113, Is. 2. - P. 266-275, DOI 10.1134/S1063776111060070. - Cited References: 30. - This study was carried out under the program of the Physical Science Department of the Russian Academy of Sciences, Federal Target Program "Scientific and Scientific-Pedagogical Personnel of Innovative Russia in 2009-2013," Interdisciplinary Integration project no. 53 of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, and under partial support from the Russian Foundation for Basic Research (project no. 09-02-00127). The research work of one of the authors (S.V.A) was supported by grant no. MK-1300.2011.2 from the President of the Russian Federation. . - ISSN 1063-7761

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
CONDUCTION
ANISOTROPY
JUNCTIONS
Кл.слова (ненормированные):
Antiferromagnetic coupling -- Colossal magnetoresistance effect -- IV characteristics -- Metallic contacts -- Potential profiles -- Spectral characteristics -- Spin dependent transport -- Spin dimer -- Spin moments -- Spin-dependent electron transport -- Spin-flip process -- Tight-binding approximations -- Transmission coefficients -- Antiferromagnetism -- Colossal magnetoresistance -- Current voltage characteristics -- Electric resistance -- Nanostructures -- Transport properties -- Magnetic field effects
Аннотация: The transport properties and current-voltage (I-V) characteristics of a system of spin dimers with antiferromagnetic coupling arranged between metallic contacts are investigated in the tight binding approximation using the Landauer-Buttiker formalism. It is shown that the s-d(f) exchange interaction between the spin moments of the electrons being transported and the spins of the nanostructure leads to the formation of a potential profile as well as its variation due to spin-flip processes. As a result, the spin-dependent transport becomes inelastic, and the transmission coefficient and the I-V characteristic are strongly modified. It is found that the application of a magnetic field induces additional transparency peaks in the spectral characteristic of the system and causes the colossal magnetoresistance effect.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Val'kov, V. V.
Aksenov, S. V.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Val'kov, V. V.
Aksenov, S. V.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
[Val'kov, V. V.] Reshetnikov Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
ИФ СО РАН
Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russian Federation
Reshetnikov Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Вальков, Валерий Владимирович
}
Найти похожие

11.

Вальков, Валерий Владимирович.
Проявление резонанса Фано в транспортных характеристиках спин-димерной системы / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // XIX Уральская междунар. зимняя шк. по физике полупроводников : 20-25 февр. 2012 г. : программа и тезисы докладов. - Екатеринбург, 2012. - Ст. NM-14. - P. 220-221

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Val'kov, V. V.; Российская академия наук; Научный совет по проблеме "Физика полупроводников» РАН; Уральское отделение РАНИнститут физики металлов Уральского отделения РАН; Уральский Федеральный университет им. Первого Президента России Б.Н. Ельцина; Новоуральский государственный технологический институт; Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников(19 ; 2012 ; февр. ; Екатеринбург / Новоуральск)
}
Найти похожие

12.

Вальков, Валерий Владимирович.
Индуцирование спин-флип процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, Е. А. Уланов // XXXVI Совещание по физике низких температур (НТ-36) : тезисы докл. - СПб., 2012. - Ст. N25. - P. 213-214
Аннотация: На основе точного решения задачи о квантовом транспорте электрона через потенциальный профиль одиночной магнитной примеси и спинового димера показано, что транспортные характеристики таких спиновых структур проявляют резонансные особенности, обусловленные эффектом Фано. Существенно, что для реализации этого эффекта принципиальную роль играет учет спин-флип процессов, приводящих к конфигурационному взаимодействию состояний в системе. Показано, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами спиновых структур, обусловленными.

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.; Российская академия наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Совещание по физике низких температур (36 ; 2012 ; июль ; 2-6 ; Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
}
Найти похожие

13.

Вальков, Валерий Владимирович.
Проявление антирезонанса Фано в вольт-амперной характеристике наноструктуры с одиночной магнитной примесью / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Изв. РАН. Сер. физич. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 411-416
Аннотация: Проведено теоретическое изучение квантового когерентного электронного транспорта через наноструктуру, содержащую примесный ион с нескомпенсированным магнитным моментом. Показано, что коэффициент прохождения спин-поляризованного электрона через такую структуру содержит особенность, в виде антирезонанса Фано. Этот эффект возникает в результате обменного взаимодействия спинового момента транспортируемого электрона со спиновым моментом примеси. Продемонстрировано, что наличие антирезонанса Фано приводит к качественному изменению вольт-амперной характеристики структуры и индуцирует большое значение магнитосопротивления.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

14.

Aksenov, S. V.
A Fano resonance in transport characteristics of 1D atomic spin structures / S. V. Aksenov // Book of abstracts of Advances Research Workshop "Meso–2012". - 2012. - P. 37

Доп.точки доступа:
Val'kov, V. V.; Вальков, Валерий Владимирович; Ulanov, E. A.; Уланов Е.А.; Аксенов, Сергей Владимирович; Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН; Институт физики твердого тела РАН; "Mesoscopic and Strongly Correlated Electron Systems", conference (6 ; 2012 ; июнь ; 17-23 ; Черноголовка, Моск. обл.)
}
Найти похожие

15.

Вальков, Валерий Владимирович.
Проявление неупругих эффектов и процессов многократного рассеяния при квантовом транспорте через анизотропную магнитную примесь при конечных температурах / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов ; Рос. акад. наук, Ин-т физ. высоких давл. им. Л. Ф. Верещагина РАН // XI конф. "Сильно коррелир. электрон. сист. и квант. критич. явл." : тезисы. - 2013. - С. 8-9

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.; Российская академия наук; Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН; Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления, конференция (11 ; 2013 ; июнь; 6 ; Троицк, Московская обл.)
}
Найти похожие

16.

    Val'kov, V. V.
    Fano effect upon tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity / V.V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // Low Temp. Phys. - 2013. - Vol. 39, no. 1. - P. 35-38 ; Физика низких температурDOI 10.1063/1.4775746
   Перевод заглавия: Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
Аннотация: The calculations of transport characteristics of a single magnetic impurity showed that the presence of different effective channels for electron transmission results in the Fano effect. It was noticed that the external magnetic field and gate voltage allow controlling the conducting properties, which are governed by the configuration interaction between the states of the system

Смотреть статью

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович

}
Найти похожие

17.

Аксенов, Сергей Владимирович.
Индуцирование спин-флип-процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые структуры атомного масштаба [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 143, Вып. 5. - С. 984-990DOI 10.7868/S0044451013050248
Аннотация: Показано, что включение неупругих спин-зависящих процессов рассеяния электрона на потенциальных профилях одиночной магнитной примеси и спинового димера инициирует резонансные особенности, обусловленные эффектом Фано, в транспортных характеристиках таких спиновых структур атомного масштаба. Для реализации резонанса и антирезонанса Фано принципиальную роль играют спин-флип-процессы, приводящие к конфигурационному взаимодействию состояний системы. Установлено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет радикально изменять проводящие свойства спиновых структур через резонансный механизм Фано

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin-flip induction of Fano resonance upon electron tunneling through atomic-scale spin structures. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.
}
Найти похожие

18.

Val'kov, V. V.
Spin-flip induction of Fano resonance upon electron tunneling through atomic-scale spin structures / V.V. Val'kov // J. Experim. Theor. Phys. - 2013. - Vol. 116, Is. 5. - P. 854-859DOI 10.1134/S1063776113050130
Аннотация: The inclusion of inelastic spin-dependent electron scatterings by the potential profiles of a single magnetic impurity and a spin dimer is shown to induce resonance features due to the Fano effect in the transport characteristics of such atomic-scale spin structures. The spin-flip processes leading to a configuration interaction of the system’s states play a fundamental role for the realization of Fano resonance and antiresonance. It has been established that applying an external magnetic field and a gate electric field allows the conductive properties of spin structures to be changed radically through the Fano resonance mechanism

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Индуцирование спин-флип-процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые структуры атомного масштаба. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia;

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович
}
Найти похожие

19.

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Физ. низких температур. - 2013. - Т. 39, Вып. 1. - С. 48-52

Смотреть статью,
WOS

Переводная версия Val'kov, V. V. Fano effect upon tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity / V.V. Val'kov // Low Temperature Physics / Физика низких температур . - 2013. - Vol. 39, no. 1. - P.35-38

Держатели документа:
Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

20.

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффекты многократного отражения при неупругом электронном транспорте через анизотропный магнитный атом / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 98, Вып. 7. - С. 459-465DOI 10.7868/S0370274X13190107
Аннотация: Исследовано влияние многократного отражения при электронном транспорте на вольт-амперную характеристику адсорбированного магнитного атома с одноионной анизотропией. Для учета вкладов всех порядков теории возмущений по параметрам связи контактов с многоуровневой примесью применены операторы Хаббарда и диаграммная техника Келдыша. Показано, что в режиме сильной неравновесности вольт-амперные характеристики рассмотренной системы содержат участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Обсуждаются способы увеличения этого эффекта.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Effects of multiple reflection in the process of inelastic electron transport through an anisotropic magnetic atom. - [Б. м. : б. и.]