Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Бондарев, Михаил Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Bondarev M. A., Nikolskaya A. A., Vasiliev V. K., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Admittance spectroscopy of dopants implanted in silicon and impurity state-induced AC magnetoresistance effect
Место публикации : Mater. Sci. Semicond. Process. - 2021. - Vol. 126. - Ст.105663. - ISSN 13698001 (ISSN), DOI 10.1016/j.mssp.2021.105663
Примечания : Cited References: 21. - This study was supported by the Government of the Russian Federation , Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886)
Аннотация: A silicon structure doped with Ga using ion implantation has been investigated by admittance spectroscopy. It has been established that the presence of the Ga impurity, along with the B one, in the silicon structure leads to the appearance of the second peak in the temperature dependence of the real part of the impedance (admittance). Moreover, switching-on a magnetic field parallel to the sample plane shifts the singularities in the temperature curve to the high-temperature region. This results in the manifestation of both the positive and negative magnetoresistance effect upon temperature and magnetic field variation. It has been found by the standard admittance spectroscopy analysis of the impedance data that the energy structure of the investigated sample includes two interfacial energy levels ES1(0) = 42 meV and ES2(0) = 69.4 meV. As expected, these energies are consistent with the energies of B and Ga dopants. In a magnetic field, these levels increase by 3 meV for B and 2 meV for Ga, which induces the magnetoresistance effect. It has been demonstrated that the interfacial state-induced magnetoresistance effect can be tuned by ion implantation and dopant selection.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Bondarev M. A., Lyashchenko S. A., Andryushchenko T. A., Varnakov S. N.
Заглавие : Electronic transport in Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC thin films grown by magnetron sputtering
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.130
Примечания : Cited References: 5. - РФН № 21-12-00226
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lyashchenko S. A., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Andryushchenko T. A., Solovyov, Leonid A., Yakovlev I. A., Maximova O. A., Shevtsov D. V., Bondarev M. A., Bondarev I. A., Ovchinnikov S. G., Varnakov S. N.
Заглавие : Growth process, structure and electronic properties of Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC thin films prepared by magnetron sputtering
Колич.характеристики :12 с
Место публикации : Processes. - 2023. - Vol. 11, Is. 8. - Ст.2236. - ISSN 22279717 (eISSN), DOI 10.3390/pr11082236
Примечания : Cited References: 43. - This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 21-12-00226The authors thank the laboratory of the Magnetic MAX Materials created under the Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance
Аннотация: The growth and phase formation features, along with the influence of structure and morphology on the electronic, optical, and transport properties of Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC MAX phase thin films synthesized by magnetron sputtering technique, were studied. It was found that the Cr:Ge:C atomic ratios most likely play the main role in the formation of a thin film of the MAX phase. A slight excess of carbon and manganese doping significantly improved the phase composition of the films. Cr2GeC films with a thicknesses exceeding 40 nm consisted of crystallites with well-developed facets, exhibiting metallic optical and transport properties. The hopping conduction observed in the Cr2-xMnxGeC film could be attributed to the columnar form of crystallites. Calculations based on a two-band model indicated high carrier concentrations N, P and mobility μ in the best-synthesized Cr2GeC film, suggesting transport properties close to single crystal material. The findings of this study can be utilized to enhance the growth technology of MAX phase thin films.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Yakovlev I. A., Tarasov A. S., Bondarev M. A.
Заглавие : Synthesis and characterization of epitaxial Mn5Ge3 thin films on a silicon substrate
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022): Book of abstracts/ program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 1, Sect.: Spin dynamics and magnetic resonances. - Ст.B.P2. - P.266-268. - ISBN 978-5-94469-051-7
Примечания : Cited References: 2. - Support by Russian Foundation for Basic Research, the Government of the Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, (project no. 20-42-243007) and support by Krasnoyarsk Regional Fund of Science is acknowledged
Материалы симпозиума, ,
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Бондарев, Михаил Александрович
Заглавие : Синтез и характеризация эпитаксиальных тонких пленок Mn5Ge3 на подложке кремния
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт биофизики Сибирского отделения РАН, Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН, Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН, Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАН, Научно-исследовательский институт медицинских проблем Севера, Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН
Место публикации : Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXV). - Красноярск: ФИЦ КНЦ СО РАН, 2022. - секция: Физика. - С. 12. - ISBN 978-5-6045249-8-5 (Шифр -757481004)
Примечания : Библиогр.: 3. - Данная работа выполнена научным коллективом. - Загл. с титул. экрана
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бондарев, Михаил Александрович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Тарасов, Антон Сергеевич, Яковлев, Иван Александрович
Заглавие : Синтез и характеризация эпитаксиальных тонких пленок MN5GE3 на подложке кремния
Коллективы : "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция, Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева, Информационные спутниковые системы им. М.Ф. Решетнева, ОАО, "Красноярский машиностроительный завод", ОАО, Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"
Место публикации : Решетневские чтения: материалы XXVI междунар. науч.-практ. конф. : в 2-х ч. - Красноярск, 2022. - Ч. 1. Секция "Наноматериалы, нанотехнологии и информационные системы в аэрокосмической отрасли". - С. 644-645. - ISSN 978-5-86433-924-4
Примечания : Библиогр.: 2. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие