Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (11)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Варнаков, Сергей Николаевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 321
Показаны документы с 1 по 20

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106. - Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
силицид железа -- структуры ферромагнетик/полупроводник -- эффект Ханле -- спиновая аккумуляция -- электрическая спиновая инжекция
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46 Is. 7.- P.665-668

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Luk'yanenko, A. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

Эллипсометрический экспресс-метод определения показателя поглощения полупроводниковых наноструктур / Н. Н. Косырев [и др.] // 2-я Всерос. науч. конф. "Методы исслед. состава и структ. функциональных матер." (МИССФМ-2013) : 21-25 окт. 2013, Новосибирск : сб. тезисов докл. - Новосибирск, 2013. - С. 334 . - ISBN 978-5-906376-03-9

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Швец, Василий Александрович; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Рыхлицкий, С. В.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН; "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция(2 ; 2013 ; окт. ; Новосибирск)
}
Найти похожие

    Эллипсометрический контроль параметров многослойных наноструктур Fe/Si в процессе роста / И. А. Тарасов [и др.] // Космич. аппараты и технол. - 2018. - Т. 2, № 4. - С. 220-224, DOI 10.26732/2618-7957-2018-4-220-224. - Библиогр.: 10. - Работа выполнена при финансовой поддержке программ Президиума РАН № 32, проект 0356-2018-0061, Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской академии наук, проект II.8.70. . - ISSN 2618-7957
   Перевод заглавия: Ellipsometric control of parameters of multilayer Fe/Si nanostructures during growth
Кл.слова (ненормированные):
эллипсометрия -- силициды железа -- многослойные Fe/Si наноструктуры -- ellipsometry -- iron silicides -- multilayer Fe/Si nanostructures
Аннотация: С использованием метода одноволновой лазерной эллипсометрии in situ проведено исследование процесса формирования многослойной структуры [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100). Были получены сведения об оптических и структурных свойствах данной структуры. Изменение морфологии поверхности растущих слоев и их оптических характеристик оказываются неидентичными для случаев осаждения железа на поверхность слоя кремния и осаждения кремния на поверхность слоя железа. Полученные профили оптических постоянных свидетельствуют об увеличении толщины переходных слоев, содержащих твердые растворы «железо-кремний» и силициды. Характер изменения оптических постоянных усложняется с каждым последующим слоем железа, осаждаемым на поверхность кремния. Поведение профилей n и k, соответствующих формированию кремниевых слоев, имеет более простой характер по сравнению с поведением подобных профилей железа. Эти профили имеют лишь некоторые особенности на начальных этапах роста и соответствуют формированию аморфных слоев кремния. Полученные данные согласуются с данными просвечивающей электронной микроскопии.
Using in situ single-wave laser ellipsometry method, the formation of the [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100) multilayer structure was studied. Information about the optical and structural properties of this structure was obtained. The change in the morphology of the surface of the growing layers and their optical characteristics are not identical for the cases of iron deposition on the surface of the silicon layer and deposition of silicon on the surface of the iron layer. The refractive index and coefficient of absorption indicate an increase of the thickness of transition layers containing iron-silicon solid solutions and silicides. The nature of the change in the optical constants become more complicated with each subsequent iron layer deposited on the silicon surface. The behavior of n and k profiles corresponding to the formation of silicon layers is simpler than the behavior of similar iron profiles. These profiles have only some features at the initial stages of growth and correspond to the formation of amorphous silicon layers. The obtained data are consistent with the data of transmission electron microscopy.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO2/Si(100) / И. А. Тарасов [и др.] // Журн. техн. физ. - 2012. - Т. 82, Вып. 9. - С. 44-48. - Библиогр.: 18 назв. - Работа выполнена при поддержке Интеграционного проекта СО РАН-ДВО РАН No 22, Программы Президиума РАН No 27, Федеральной целевой программы ”Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009–2013 г.“, программы ОФН РАН No 4 ”Спинтроника"
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO2/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии " Ангара". Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Quick ellipsometric technique for determining the thicknesses and optical constant profiles of Fe/SiO2/Si(100) nanostructures during growth [Текст] / I. A. Tarasov [et al.] // Tech. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 57 Is. 9.- P.1225-1229

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S.M.; Швец, Василий Александрович; Shvets, V.A.; Бондаренко, С. Г.; Bondarenko, S.G.; Терещенко, О. Е.
}
Найти похожие

Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и оптических постоянных наноструктур в процессе их роста [Текст] / И. А. Тарасов [и др.] // 6-я Школа "Метрология и стандарт. в нанотехнол. и наноиндустрии" : 4-7 июня 2013 г., Екатеринбург. - 2013. - С. 60

Материалы школы
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S.M.; Швец, Василий Александрович; Shvets, V.A.; "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии", Школа(6 ; 2013 ; июнь ; Екатеринбург)
}
Найти похожие

Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ / Н. Н. Косырев [и др.] // Журн. техн. физ. - 2014. - Т. 84, Вып. 5. - С. 109-112. - Библиогр.: 17 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, государственный контракт 14.513.11.0016, соглашения 14.132.21.1709 и 14.В37.21.1276, гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2), Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265), программы ОФН РАН № 2.4.1, программы Президиума РАН № 23.34, интеграционного проекта СО РАН № 38 . - ISSN 0044-4642
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Ψ и Δ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1−xCdxTe.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Ellipsometric technique for determining in situ the absorption coefficient of semiconducting nanolayers [Текст] / N. N. Kosyrev [et al.] // Tech. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 59 Is. 5.- P.736-739

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev N. N.; Швец, Василий Александрович; Михайлов, Н. Н.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Рыхлицкий, С. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.
}
Найти похожие

Экспериментальное и теоретическое исследование слоистых ферромагнитных структур методом спектральной in situ магнитоэллипсометрии / О. А. Максимова [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 110, № 3-4. - С. 155-162, DOI 10.1134/S0370274X19150037. - Библиогр.: 28. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской Академии Наук (проект 0356-2018-0061, проект II.8.70). . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Данная статья посвящена развитию методики обработки данных спектральной in situ магнитоэллипсометрии для анализа ферромагнитных планарных наноструктур. В рамках нового подхода к интерпретации модулированных магнитным полем спектральных эллипсометрических измерений, проводимых с использованием магнитооптического эффекта Керра в экваториальной конфигурации, апробируется многослойная модель, содержащая ферромагнитный слой с двумя пограничными интерфейсами, неферромагнитный буферный слой и неферромагнитную подложку. В частности, исследуется влияние толщины ферромагнитного слоя на результаты магнитоэллипсометрических измерений. Для измерений были выбраны поликристаллические пленки Fe различной толщины на неферромагнитной поверхности SiO2/Si(100). В результате обработки данных спектральных магнитоэллипсометрических измерений определены комплексные диагональные и недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости в спектральном диапазоне 1.38-3.45 эВ. Приведено сопоставление полученных результатов с литературными данными других авторов и расчетом тензора диэлектрической проницаемости Fe в рамках теории функционала плотности.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Максимова, Ольга Александровна; Maximova, O. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Характеризация структурных свойств нанокластеров силицида железа в геторосистемах Si/FeSi методом магнитоэллипсометрии / Косырев Н.Н.Заблуда В.Н. [и др.] // Журнал структурной химии. - 2010. - Т. 51, № 1. - С. 104-108

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Швец, В.А.; Рыхлицкий, С.В.; Спесивцев, Е.В.; Прокофьев, .Ю.
}
Найти похожие

Характеризация структурных свойств нанокластеров силицида железа в гетеросистемах Si/FeSi методом магнитоэллипсометрии / Н. Н. Косырев, В. Н. Заблуда [и др.] // 1-я Всероссийская научная конференция "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов". МИССФМ-2009 : Новосибирск, 11-16 окт. 2009 г. : тезисы докл. - Новосибирск, 2009. - С. 45

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Швец, В. А.; Рыхлицкий, С. В.; Спесивцев, Е. В.; Прокопьев, В. Ю.; "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция(2009 ; ; Новосибирск)
}
Найти похожие

10.

Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов / О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2012. - Т. 38, Вып. 1. - С. 27-36. - Библиогр.: 13 назв. - Авторы выражают благодарность А.Г. Черкову за изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии. - Работа частично поддержана Российской академией наук (программа "спинтроника"), грантом РФФИ (10-02-91067-НЦНИ) и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН. . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin [Текст] / O. E. Tereshchenko [et al.] // Tech. Phys. Lett. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 38 Is. 1.- P.12-16

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Паулиш, А. Г.; Неклюдова, М. А.; Шамирзаев, T. C.; Ярошевич, А. С.; Просвирин, И. П.; Жаксылыкова, И. Э.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S.N.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M.V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Латышев, А. В.
}
Найти похожие

11.

Ученые Красноярского научного центра СО РАН получили Мегагрант Правительства РФ. - Электрон. текстовые дан. // Официальный сайт ФИЦ КНЦ СО РАН. - 2019. - Новости, 25 нояб.
Аннотация: В рамках Мегагранта в Красноярске будет создана новая лаборатория для синтеза и изучения перспективных наноструктур с контролируемыми свойствами – МАХ-фаз. На реализацию проекта Правительство РФ в течении трех лет должно выделить 90 миллионов рублей.

Смотреть статью
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич \о нем\; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН \о нем\
}
Найти похожие

12.

    Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы: получение, свойства, применение. V Ставеровские чтения : [сборник научных трудов] / Науч.-технич. конф. с междунар. участием, Сиб. федер. ун-т, Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Краснояр. науч. центр, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Ин-т химии и хим. технологии, Ин-т вычислит. моделирования, Ин-т биофизики ; отв. ред. В. Е. Редькин. - Красноярск : ИПК СФУ, 2009. - 506 с. - Библиогр. в конце ст. - Указ. авторов . - 325 экз. - ISBN 978-5-7638-1568-9 : Б. ц.
    Содержание:
Новиков, Павел Вадимович. / П. В. Новиков, Г. Н. Чурилов. - С .34
Шабанов, Василий Филиппович. / В. Ф. Шабанов. - С .45
Гуняков, Владимир Алексеевич. / В. А. Гуняков, С. А. Мысливец, А. М. Паршин. - С .51
Чурилов, Григорий Николаевич. / Г. Н. Чурилов, И. В. Осипова, Э. А. Петраковская. - С .57
Исхаков, Рауф Садыкович. / Р. С. Исхаков. - С .105
Исхаков, Рауф Садыкович. / Р. С. Исхаков, С. В. Комогорцев, Е. А. Денисова. - С .111
Полякова, Клавдия Павловна. / К. П. Полякова. - С .136
Жарков, Сергей Михайлович. / С. М. Жарков. - С .141, 144
Исакова, Виктория Гавриловна. / В. Г. Исакова, Э. А. Петраковская. - С .155
Чеканова, Лидия Александровна. / Л. А. Чеканова. - С .181
Комогорцев, Сергей Викторович. / С. В. Комогорцев, Р. С. Исхаков, В. К. Мальцев. - С .182
Шевцов, Дмитрий Валентинович. / Д. В. Шевцов, Н. Н. Косырев, С. Н. Варнаков. - С .187
Архипкин, Василий Григорьевич. / В. Г. Архипкин, С. А. Мысливец. - С .188
Чурилов, Григорий Николаевич. / Г. Н. Чурилов. - С .193
Карпов, Сергей Васильевич. / С. В. Карпов, И. Л. Исаев. - С .200, 201, 204, 206, 208, 210
Крахалев, Михаил Николаевич. / М. Н. Крахалев, О. О. Прищепа, А. В. Шабанов. - С .211
Чеканова, Лидия Александровна. / Л. А. Чеканова, Р. С. Исхаков. - С .216
Комогорцев, Сергей Викторович. / С. В. Комогорцев, Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова. - С .225
Иваненко, Александр Анатольевич. / А. А. Иваненко, Н. П. Шестаков. - С .355
Глущенко, Гарий анатольевич. / Г. А. Глущенко, Г. Н. Чурилов. - С .379
Исакова, Виктория Гавриловна. / В. Г. Исакова, Г. Н. Чурилов. - С .424
Баюков, Олег Артемьевич. / О. А. Баюков, С. В. Столяр. - С .431, 433

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Редькин, Виктор Ефимович \ред.\; Зырянов, Виктор Яковлевич; Архипкин, Василий Григорьевич; Шабанов, Василий Филиппович; Мальцев, вадим Константинович; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Сибирский федеральный университет; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАНИнститут вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН; Институт биофизики Сибирского отделения РАН; Научно-техническая конференция с международным участием (15-16 октября 2009 года ; Красноярск)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

13.

Транспортные свойства магнитных наногетероструктур на основе Fe/Si / М. С. Платунов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XV междунар. симп. - 2011. - Т. 2. - С. 356

Материалы симпозиума,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Платунов, Михаил Сергеевич; Platunov, M. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Казак, Наталья Валерьевна; Kazak, N. V.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум (16 ; 2012 ; март ; 12–16 ; Нижний Новгород)
}
Найти похожие

14.

Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXIV) / предс. орг. ком. В. Ф. Шабанов ; зам. предс. орг. ком. А. А. Шпедт ; чл. орг. ком.: С. Н. Варнаков [и др.] ; чл. орг. ком., предс. прогр. ком. И. В. Петерсон ; зам. предс. прогр. ком. Ю. В. Князев ; секр. прогр. ком. Д. С. Цикалов ; чл. прогр. ком.: Ю. Н. Маляр [и др.]. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2021. - 111 с. : текст. . - Загл. с титул. экрана. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-6045249-3-0 : Б. ц.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шабанов, Василий Филиппович \предс. орг. ком.\; Shabanov, V. F.; Шпедт, Александр Артурович \зам. предс. орг. ком.\; Варнаков, Сергей Николаевич \чл. орг. ком.\; Varnakov, S. N.; Софронова, Светлана Николаевна \чл. орг. ком.\; Sofronova, S. N.; Таран, Оксана Павловна \чл. орг. ком.\; Каспаров, Эдуард Вильямович \чл. орг. ком.\; Сущик, Надежда Николаевна \чл. орг. ком.\; Пименов, Александр Владимирович \чл. орг. ком.\; Вьюнышев, Андрей Михайлович \чл. орг. ком.\; Vyunishev, A. M.; Петерсон, Иван Викторович \чл. орг. ком., предс. прогр. ком.\; Peterson, I. V.; Князев, Юрий Владимирович \зам. предс. прогр. ком.\; Knyazev, Yu. V.; Цикалов, Денис Сергеевич \секр. прогр. ком.\; Tsikalov, D. S.; Маляр, Юрий Николаевич \чл. прогр. ком.\; Еремеева, Елена Владимировна \чл. прогр. ком.\; Eremeeva, E. V.; Перетятько, Ольга Викторовна \чл. прогр. ком.\; Жила, Сергей Викторович \чл. прогр. ком.\; Козлова, С. В. \чл. прогр. ком.\; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт биофизики Сибирского отделения РАН; Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН; Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН; Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАН; Научно-исследовательский институт медицинских проблем Севера; Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (24 ; 2021 ; 29 апр. ; Красноярск)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

15.

Твердофазный синтез силицидов марганца на поверхности Si(100)2x1 / С. Н. Варнаков [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2014. - Т. 56, Вып. 4. - С. 779-782. - Библиогр.: 20 назв. - Работа выполнена при поддержке Российско-Германской лаборатории в HZB BESSY, при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 13-02-00398 и N 13-02-01265), гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2) и интеграционного проекта СО РАН - ДВО РАН N 85. . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследован твердофазный синтез силицидов марганца на поверхности Si(100)2x1, покрытой при комнатной температуре пленкой марганца толщиной 2 nm. Выявлена динамика изменения фазового состава и электронной структуры приповерхностной области с ростом температуры отжига образца в диапазоне до 600oC. Показано, что в данных условиях на поверхности кремния последовательно формируются твердый раствор кремния в марганце, металлический моносилицид марганца MnSi и полупроводниковый силицид MnSi1.7. Пленки обоих силицидов не являются сплошными, и занимаемая ими доля поверхности подложки уменьшается с повышением температуры отжига. Определены энергии связи Si 2p- и Mn 3p-электронов в синтезированных соединениях.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Solid-phase synthesis of manganese silicides on the Si(100)2 x 1 surface [Текст] / S. N. Varnakov [et al.] // Phys. Solid State : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 56 Is. 4.- P.812-815

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Гомоюнова, М. В.; Гребенюк, В. С.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Пронин, И. И.
}
Найти похожие

16.

Твердофазные реакции в многослойных плёнках Fe/Si / С. М. Жарков [и др.] ; , Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН // XXV Российская конференция по электронной микроскопии (РКЭМ-2014) : тезисы докладов. - Черноголовка, 2014. - P. 174

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Алтунин, Роман Русланович; Altunin, R. R.; Моисеенко, Евгений Тимофеевич; Moiseenko, E. T.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН; Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН; Научный совет по электронной микроскопии РАН; Российская конференция по электронной микроскопии (25 ; 2014 ; 2-6 июня ; Черноголовка, Московская обл.)
}
Найти похожие

17.

Структурные и магнитные характеристики однослойных и многослойных пленок Fe/Si, полученных термическим испарением в сверхвысоком вакууме / С. Н. Варнаков [и др.] // Письма в журн. техн. физ. - 2005. - Т. 31, Вып. 22. - С. 1-8 . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и магн. характеристик однослойных и многослойных пленок Fe/Si с нанометровыми слоями, полученных термич. испарением в сверхвывоком вакууме. Исследования проведены методами малоуглового рентгеновского рассеяния, электронной спектроскопии и магнитометрии. Анализ эксперим. результатов указывает на то, что механизмы формирования интерфейсов на границах раздела Fe/Si и Si/Fe различны

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Паршин, Анатолий Сергеевич; Parshin A.S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Rafaja, D.; Kalvoda, L.; Балаев, Александр Дмитриевич; Balaev, A. D.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.
}
Найти похожие

18.

Описание изобретения к патенту 2681635 Российская Федерация

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi 2 с изменяемой преимущественной ориентацией / И. А. Тарасов [и др.]. - № 2018104934 ; Заявл. 08.02.2018 ; Опубл. 11.03.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 8
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

19.

Описание изобретения к патенту 2747433 Российская Федерация

Способ получения гибридных нанокристаллов Au 3 Fe 1-x /Fe и интерметаллических нанокристаллов Au 3 Fe 1-x с контролируемым латеральным размером / Т. Е. Смолярова, А. С. Тарасов, И. А. Яковлев [и др.]. - № 2020123118 ; Заявл. 07.07.2020 ; Опубл. 05.05.2021 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 13
Аннотация: Изобретение относится к технологиям получения материалов нанометрового размера, состоящих из биметаллических гибридных нанокристаллов Au3Fe1-x/Fe и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером и может применяться в биомедицине, информационных технологиях и катализе. Способ получения гибридных нанокристалллов Au3Fe1-x/Fe и интерметаллических нанокристаллов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером характеризуется тем, что на предварительно подготовленную поверхность аморфного оксида осаждают методом термического испарения в сверхвысоком вакууме в камере молекулярно-лучевой эпитаксии слой золота при температуре 250°С, затем осаждают слой железа на поверхность аморфного оксида, активированную золотом при температуре 750°С, причем атомное соотношение золота к железу изменяется от более 0 до 3,22. Технический результат состоит в возможности контролируемого изменения латерального размера получаемых биметаллических гибридных Au3Fe1-x/Fe нанокристаллов и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x за счет изменения количества атомов Au, предварительно осажденных на аморфную оксидную поверхность при одинаковом количестве осажденных атомов.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

20.

Описание изобретения к патенту 2560148 Российская Федерация

Способ измерения магнитооптических эффектов in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. ; патентообладатель Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - № 2014118809/28 ; Заявл. 08.05.2014 ; Опубл. 20.08.2015 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 23
Аннотация: Изобретение относится к области магнитных и магнитооптических измерений. Способ заключается в том, что исследуемый образец освещают линейно поляризованным световым пучком и измеряют изменение поляризации при отражении, используя разделение отраженного луча на p- и s-компоненты с разложением по амплитуде и фазе, получая на выходе четыре световых пучка. При этом к исследуемому образцу во время проведения измерений прикладывают переменное магнитное поле, при измерении меридионального эффекта Керра поляризатор фиксируют в положении P=0, а анализаторы в амплитудном и фазовом каналах A1,2=45°. Перемагничивание образца осуществляют с помощью вращающегося постоянного магнита и величину поворота плоскости поляризации α, пропорциональную проекции намагниченности на плоскость падения света, определяют по формуле. Изобретение обеспечивает повышение точности измерения и информативности.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие