Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Волошин, Александр Сергеевич$<.>)
Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-47 
1.


   
    Наклонное падение электромагнитной волны на плоский резонатор из двух диэлектрических слоев с субволновыми решетками полосковых проводников на границах / Б. А. Беляев, А. С. Волошин, С. А. Ходенков, Р. Г. Галеев // Изв. вузов. Физика. - 2024. - Т. 67, № 2. - С. 25-35, DOI 10.17223/00213411/67/2/3. - Библиогр.: 36. - Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание FEFE-2023-0004 . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая пластина -- плоская электромагнитная волна -- наклонное падение волны -- амплитудно-частотная характеристика -- полуволновой резонанс -- добротность -- угол Брюстера
Аннотация: Определены параметры резонатора, состоящего из двух диэлектрических пластин с решетками полосковых проводников между слоями в виде квадратов, а на наружных поверхностях в виде квадратных сеток, имеющих одинаковый субволновой период. Добротность резонатора, измеренная при нормальном падении волны, определяется соотношением ширин внутренних и наружных проводников. С помощью электродинамического анализа 3D-модели резонатора исследовано распространение плоских линейно-поляризованных электромагнитных волн при отклонении их угла падения φ от нормали к плоскости слоистой структуры. Обнаружено, что при параллельной поляризации волны добротность наблюдаемого полуволнового резонанса с ростом φ сначала падает до минимума при приближении к углу Брюстера, а затем растет при φ → 90°. В случае перпендикулярной поляризации волны добротность полуволнового резонанса с ростом φ постоянно увеличивается, приближаясь к максимальной величине при φ → 90°.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, г. Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, г. Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН, г. Красноярск, Россия
АО «НПП «Радиосвязь», г. Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; Ходенков, С. А.; Галеев, Р. Г.
}
Найти похожие
2.
Описание изобретения к патенту 2794303

   
    Микрополосковый полосно-пропускающий фильтр на двухмодовых кольцевых резонаторах / Н. М. Боев, А. С. Волошин, Т. Ю. Шумилов [и др.]. - № 2022133021 ; Заявл. 16.12.2022 ; Опубл. 14.04.2023 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2023. - № 11
   Перевод заглавия: Microstrip bandpass filter based on two-mode ring resonators
Аннотация: Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для фильтрации сигналов. Микрополосковый полосно-пропускающий фильтр на двухмодовых кольцевых резонаторах содержит трубчатую диэлектрическую подложку, внешняя поверхность которой полностью металлизирована и является заземляемым основанием. На внутренней поверхности трубчатой подложки параллельно друг другу расположены полосковые металлические проводники резонаторов, которые имеют форму кольца. Резонаторы имеют скачки ширины кольцевого полоскового проводника в виде прямоугольных выступов, изменением размеров которых достигают требуемой формы характеристики фильтра. При этом внешние линии передачи 4 с волновым сопротивлением 50 Ом подключены к кольцевым проводникам через сосредоточенные емкости. Техническим результатом изобретения является повышение избирательности и уменьшение вносимых потерь в полосе пропускания фильтра. 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Боев, Никита Михайлович; Boev, N. M.; Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; Шумилов, Тимофей Юрьевич; Шабанов, Дмитрий Александрович; Shabanov, D. A.; Грушевский, Евгений Олегович; Grushevskii, Ye. O.; Подшивалов, Иван Валерьевич; Podshivalov, I. V.; Завьялов, Ярослав Борисович; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие
3.


   
    Распространение электромагнитной волны при наклонном падении на плоскопараллельную диэлектрическую пластину / Б. А. Беляев, А. С. Волошин, Г. Е. Селютин [и др.] // Изв. вузов. Физика. - 2023. - Т. 66, № 1. - С. 36-44, DOI 10.17223/00213411/66/1/36. - Библиогр.: 24. - Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание FEFE-2020-0013 . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая пластина -- плоская электромагнитная волна -- наклонное падение волны -- амплитудно-частотная характеристика -- полуволновой резонанс -- добротность -- угол Брюстера
Аннотация: С помощью электродинамического анализа 3D-модели плоскопараллельной идеальной диэлектрической пластины исследовано распространение плоских линейно-поляризованных электромагнитных волн при отклонении их угла падения j от перпендикуляра к плоскости пластины. Обнаружено, что при параллельной поляризации, когда вектор электрического поля волны располагается в плоскости падения, а вектор магнитного поля параллелен плоскости пластины, добротность наблюдаемого полуволнового резонанса с ростом φ сначала падает до минимума при приближении к углу Брюстера, а затем растет, стремясь к бесконечности при φ ➝ 90°. В случае перпендикулярной поляризации, когда в плоскости падения располагается вектор магнитного поля, а вектор электрического поля параллелен плоскости пластины, добротность полуволнового резонанса с ростом j постоянно увеличивается, также стремясь к бесконечности при φ ➝ 90°. Однако зависимости наблюдаемого монотонного увеличения резонансных частот с ростом угла падения идентичны для обеих поляризаций. Результаты эксперимента на плоскопараллельной пластине из сверхвысокомолекулярного полиэтилена, имеющего относительную диэлектрическую проницаемость 2.5, проведенного с использованием широкополосных рупорных антенн, хорошо согласуются с электродинамическим расчетом 3D-модели.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, г. Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, г. Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН, г. Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии ФИЦ КНЦ СО РАН, г. Красноярск, Россия
АО «НПП «Радиосвязь», г. Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; Селютин, Геннадий Егорович; Говорун, Илья Валерьевич; Govorun, I. V.; Галеев, Ринат Гайсеевич
}
Найти похожие
4.
Описание изобретения к патенту 2791860

   
    Спектрометр ферромагнитного резонанса / А. А. Горчаковский, И. В. Подшивалов, Н. М. Боев [и др.]. - № 2022130884 ; Заявл. 28.11.2022 ; Опубл. 14.03.2023 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2023. - № 8
   Перевод заглавия: Microstrip bandpass filter based on two-mode ring resonators
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике. Спектрометр ферромагнитного резонанса содержит чувствительный элемент – СВЧ-головку, столик, на котором размещается исследуемый образец тонкой магнитной пленки, кольца Гельмгольца, цифровые блоки формирования сигналов развертки и модуляции, автоматизированную систему позиционирования столика, при этом кольца Гельмгольца подключены к блоку развертки, который является работающим в классе D усилителем, а питание СВЧ-головки осуществляется от управляемого источника питания, включающего соединенные последовательно повторитель, интегрирующий усилитель ошибки, ограничитель напряжения и усилитель тока. Технический результат – повышение точности и скорости измерений, снижение уровня собственных шумов. 5 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Горчаковский, Александр Антонович; Подшивалов, Иван Валерьевич; Podshivalov, I. V.; Боев, Никита Михайлович; Boev, N. M.; Клешнина, Софья Андреевна; Kleshnina, S. A.; Соловьев, Платон Николаевич; Solovev, P. N.; Изотов, Андрей Викторович; Izotov, A. V.; Крёков, Сергей Дмитриевич; Бурмитских, Антон Владимирович; Burmitskikh, A. V.; Негодеева, Ирина Александровна; Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие
5.


    Волошин, Александр Сергеевич.
    Исследование полосно-пропускающих фильтров на слоистых диэлектрических структурах / А. С. Волошин, А. Ю. Ефимов, С. А. Ходенков // Ural Radio Eng. J. - 2022. - Vol. 6, Is. 3. - P. 231-258, DOI 10.15826/urej.2022.6.3.001. - Библиогр.: 25. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования России по госзаданию No FEFE-2020-0013 «Развитие теории самоконфигурирующихся алгоритмов машинного обучения для моделирования и прогнозирования характеристик компонентов сложных систем» . - ISSN 2588-0454. - ISSN 2588-0462
   Перевод заглавия: Investigation of bandpass filters based on layered dielectric structures
Кл.слова (ненормированные):
полосно-пропускающий фильтр -- резонатор -- относительная диэлектрическая проницаемость -- волновое сопротивление -- bandpass filter -- resonator -- dielectric constant -- characteristic impedance
Аннотация: Исследованы конструкции полосно-пропускающих фильтров на мультислойных диэлектрических структурах, состоящих исключительно из полуволновых резонаторов, а также с четвертьволновыми резонаторами по краям рассмотренных конструкций. Описаны принципы построения устройств с заданными характеристиками и объяснены основные закономерности поведения частотно-селективных свойств мультислойных структур от их конструктивных параметров. Впервые показано, что в многослойных полосно-пропускающих фильтрах на одномерных диэлектрических структурах амплитудно-частотные характеристики остаются неизменными при инверсии скачков волнового сопротивления между соседними слоями конструкции. Определены границы реализуемых характеристик фильтров с использованием имеющегося набора современных широко распространенных в радиотехнике материалов (1 ≤ ε ≤ 1000). Обнаружено, что достижимые значения относительных полос пропускания в конструкциях, состоящих исключительно из полуволновых слоев, составили от 21 до 93 %, при этом самые узкополосные фильтры можно реализовать с интерфейсными средами, обладающими характеристиками Z0 ≈ 85 Ом (ε ≈ 19,7) в случае прямого скачка и Z0 ≈ 53 Ом (ε ≈ 50,4) – в случае обратного. Показано, что для конструкций с крайними четвертьволновыми слоями (все внутренние слои – полуволновые) при прочих равных условиях селективные свойства становятся лучше, однако относительная ширина полосы пропускания может изменяться лишь от 45 до 115 %, при этом нижняя граница достижима только в случае с интерфейсными средами из воздуха (Z0 ≈ 377 Ом, ε = 1).
The designs of band-pass filters on multilayer dielectric structures consisting of half-wave resonators exclusively, as well as with quarterwave resonators at the edges of the considered structures are investigated. The principles of constructing devices with specified characteristics are described and the basic laws of the behavior of frequency-selective properties of multilayer structures on their design parameters are explained. It is shown for the first time that in multilayer bandpass filters on one-dimensional dielectric structures, the frequency responses remain unchanged when the steps of the characteristic impedance between adjacent layers of the structure are inverted. The boundaries of the realized characteristics of filters are determined using the existing set of modern materials widely used in radio engineering (1 ≤ ε ≤ 1000). It was found that the achievable values of relative passband in constructions consisting exclusively of half-wave layers ranged from 21% to 93%, while the most narrow-band filters can be realized with interface media having characteristics of Z0 ≈ 85 Ohm (ε ≈ 19.7) in the case of a forward step of the characteristic impedance at the edge interfaces of the structure and Z0 ≈ 53 Ohm (ε ≈ 50.4) – in the case of the reverse step (inversely proportional to the original). It is demonstrated that for the structures with the edge quarter-wave layers (all the inner layers are half-wave), other things being equal, the selective properties become better, but the relative passband can vary from only 45% to 115%, while the lower limit is achievable only in the case of air interface media (Z0 ≈ 377 Ohm, ε = 1).

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Россия, 660037, г. Красноярск, ул. им. Газеты «Красноярский рабочий»
Сибирский федеральный университет, Россия, 660041, г. Красноярск, Проспект Свободный, 79
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Россия, 660036, г. Красноярск, Академгородок 50, строение 38

Доп.точки доступа:
Ефимов, Артем Юрьевич; Efimov, A. Yu.; Ходенков, С. А.; Voloshin, A. S.
}
Найти похожие
6.


    Мацур, Г. А.
    Разработка методики автоматизированного контроля остаточной толщины металлического полотна с использованием лазерных трекеров / Г. А. Мацур, А. С. Волошин. - Электрон. дан. (32 мб.) // Современные проблемы радиоэлектроники : материалы XXIII науч.-техн. конф. с междунар. участием, посвящ. 127-й годовщине Дня радио, Красноярск, 11–14 мая 2022 г. - Красноярск : СФУ, 2022. - Секция: Информационные спутниковые системы и технологии. - С. 187-193. - Библиогр.: 2 . - ISBN 978-5-7638-4728-4
Аннотация: Предложена методика автоматизированного контроля остаточной толщины «вафельного фона» полотна обечаек (корпусных деталей ракетно-космической техники) с помощью лазерных трекеров. Описана реализация координатоопределяющего принципа размерного контроля. Представлено решение задач высокопроизводительных и точных измерений с применением лазерного трекера, а также автоматизации процесса контрольных операций в ходе измерений.

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнёва
Институт Физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ

Доп.точки доступа:
Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; "Современные проблемы радиоэлектроники", Всероссийская научно-техническая конференция(23 ; 2022 ; май ; Красноярск); Сибирский федеральный университет
}
Найти похожие
7.
Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2022684100 Российская Федерация

   
    Программа построения частотной зависимости эффективности экранировки электромагнитного излучения оптически прозрачных образцов / А. О. Афонин, А. С. Волошин, А. С. Воронин [и др.]. - № 2022683714 ; Заявл. 07.12.2022 ; Опубл. 12.12.2022 // Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2022. - № 12
Аннотация: Программа предназначена для построения частотной зависимости эффективности экранировки электромагнитного излучения оптически прозрачных образцов. Входными данными программы является таблица с частотными зависимостями амплитуды и фазы S-параметров двухполюсника; результат – частотная зависимость эффективности экранировки электромагнитного излучения оптически прозрачных образцов. Тип ЭВМ: IBM PC - совмест. ПК; ОС: Windows 7/8/10.

Смотреть свидетельство,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Афонин, Алексей Олегович; Afonin, A. O.; Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; Воронин, Антон Сергеевич; Подшивалов, Иван Валерьевич; Podshivalov, I. V.; Говорун, Илья Валерьевич; Govorun, I. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие
8.
Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2022685067 Российская Федерация

   
    Программа обработки результатов измерения эффективности экранировки электромагнитного излучения оптически прозрачных образцов / А. С. Волошин, А. С. Воронин, И. В. Подшивалов [и др.]. - № 2022683750 ; Заявл. 06.12.2022 ; Опубл. 20.12.2022 // Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2022. - № 12
Аннотация: Программа предназначена для обработки результатов измерения эффективности экранировки электромагнитного излучения оптически прозрачных образцов. Входными данными программы является одномерный массив таблиц с частотными зависимостями амплитуды и фазы S-параметров двухполюсника; результат – семейство частотных зависимостей эффективности экранировки электромагнитного излучения оптически прозрачных образцов. Тип ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК; ОС: Microsoft Windows 7/8/10.

Смотреть свидетельство,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; Воронин, Антон Сергеевич; Подшивалов, Иван Валерьевич; Podshivalov, I. V.; Говорун, Илья Валерьевич; Govorun, I. V.; Угрюмов, Андрей Витальевич; Ugryumov, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие
9.


   
    Прозрачное радиоэкранирующее покрытие, полученное при помощи самоорганизованного шаблона / А. С. Воронин, Ю. В. Фадеев, И. В. Говорун [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2021. - Т. 47, Вып. 5. - С. 31-34, DOI 10.21883/PJTF.2021.05.50674.18496. - Библиогр.: 10 . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
самоорганизованный шаблон -- микросетчатое покрытие -- экранирование электромагнитного излучения
Аннотация: Представлена простая и доступная технология получения тонкопленочного прозрачного радиоэкранирующего материала. Материал представляет собой серебряное микросетчатое покрытие, полученное при помощи самоорганизованного шаблона. Представлены результаты исследования радиоэкранирующих свойств данных покрытий в X- и K-диапазонах. Показано, что микросетчатое покрытие с поверхностным сопротивлением 6.8 Ω/sq и интегральным оптическим пропусканием 83.6% характеризуется эффективностью экранирования 28.4 dB на частоте 8 GHz, что соответствует экранированию 99.85% излучения. Основным механизмом экранирования радиоизлучения микросетчатыми покрытиями является отражение.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия A transparent radio frequency shielding coating obtained using a self-organized template [Текст] / A. S. Voronin, Y. V. Fadeev, I. V. Govorun [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2021. - Vol. 47 Is. 3.- P.259-262

Держатели документа:
Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнёва, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Воронин, А. С.; Фадеев, Ю. В.; Говорун, Илья Валерьевич; Govorun, I. V.; Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Симунин, М. М.; Хартов, С. В.
}
Найти похожие
10.
Описание изобретения к патенту 2743321 Российская Федерация

   
    Магнитометр на тонкой магнитной пленке / А. Н. Бабицкий, Б. А. Беляев, Н. М. Боев [и др.]. - № 2020121274 ; Заявл. 22.06.2020 ; Опубл. 17.02.2021 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 5
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике, а именно предназначено для измерения величин и направлений слабых магнитных полей в широком диапазоне частот, и может применяться в магнитометрии. Магнитометр на тонкой магнитной пленке содержит печатную плату с расположенным на ней СВЧ-генератором, нагрузкой которого являются СВЧ-резонаторы, тонкую магнитную пленку, амплитудные детекторы, подключенные к СВЧ-резонаторам, операционные усилители, магнитную систему, формирующую постоянное магнитное поле, при этом тонкая магнитная пленка находится снаружи СВЧ-резонаторов, но в непосредственной близости над их индуктивными частями, которые выполнены в виде полосковых проводников на печатной плате, постоянное магнитное поле направлено вдоль оси трудного намагничивания тонкой магнитной пленки, а высокочастотное магнитное поле направлено под углом к оси легкого намагничивания, при этом направление максимальной чувствительности совпадает с направлением оси легкого намагничивания. Технический результат - повышение чувствительности магнитометра на тонкой магнитной пленке. 5 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бабицкий, Александр Николаевич; Babitskii, A. N.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Боев, Никита Михайлович; Boev, N. M.; Изотов, Андрей Викторович; Izotov, A. V.; Бурмитских, Антон Владимирович; Burmitskikh, A. V.; Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.; Афонин, Алексей Олегович; Afonin, A. O.; Угрюмов, Андрей Витальевич; Ugryumov, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-47 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)