Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кобяков, Александр Васильевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 51
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-51 51-51

   В37
   К 55

    Кобяков, Александр Васильевич.
    Синтез и физические свойства трехслойных пленок в системе Co-Ge [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. В. Кобяков ; науч. рук. Г. С. Патрин ; Сиб. федер. ун-т, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2016. - 112 с. - Библиогр.: 100 назв. -

ГРНТИ

29.19.16

29.19.37

ББК В371.25я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович \науч. рук.\; Patrin, G. S.; Kobyakov, A. V.; Сибирский федеральный университет; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

   В37

    Кобяков, Александр Васильевич.
    Синтез и физические свойства трехслойных пленок в системе Co-Ge : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. В. Кобяков ; науч. рук. Г. С. Патрин ; офиц. опп.: Г. В. Курляндская, Ю. Ю. Логинов ; Сиб. федер. ун-т, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг. Юж. федер. ун-т. - Красноярск, 2016. - 22 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.19.16

29.19.37

Смотреть автореферат
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович \науч. рук.\; Patrin, G. S.; Курляндская, Галина Владимировна \офиц. опп.\; Логинов, Юрий Юрьевич \офиц. опп.\; Kobyakov, A. V.; Сибирский федеральный университет; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Южный федеральный университет
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2691357 Российская Федерация

Устройство для ионно-плазменного напыления / В. И. Юшков [и др.]. - № 2018125087 ; Заявл. 09.07.2018 ; Опубл. 11.06.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 17
Аннотация: Изобретение относится к области нанесения металлических и полупроводниковых пленок в вакууме поочередным или одновременным распылением наносимого материала и может быть использовано для покрытия деталей, используемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической отраслях промышленности. Устройство для ионно-плазменного напыления пленок содержит вакуумную камеру, в которой расположены анод, термокатод, мишень и подложкодержатель, и магнитную систему, расположенную снаружи вакуумной камеры и выполненную в виде колец Гельмгольца. Анод и термокатод размещены в отдельных нишах, при этом в открытом торце ниши термокатода установлен экран, имеющий узкое отверстие размером 80×15 мм, подложка расположена параллельно мишени и снабжена магнитоуправляемой заслонкой. Над мишенью установлен экран, оснащенный передвижной заслонкой. Мишень имеет систему охлаждения. Обеспечивается увеличение функциональных возможностей установки, что приводит к увеличению качества пленок, росту производительности, обеспечивает большую экономичность процесса, в том числе дает возможность в одном технологическом цикле напылять три различных материала как отдельными монослоями, так и их сплавами. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Получение, структура и магнитные свойства тонкопленочной системы AL2O3/GE-P/AL2O3/CO / А. В. Кобяков [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2019. - Т. 83, № 7. - С. 947-949, DOI 10.1134/S0367676519070226. - Библиогр.: 5 . - ISSN 0367-6765
Аннотация: В работе представлены экспериментальные результаты структурных и магнитных измерений для пленочной системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co. Структура получена методом ионно-плазменного распыления и перспективна в качестве туннельной гетероструктуры. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления и скорости напыления предшествующих слоев.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Synthesis, Structure, and Magnetic Properties of an Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co Thin-Film System [Текст] / A. V. Kobyakov [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2019. - Vol. 83 Is. 7.- P.864-865

Держатели документа:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Сибирский федеральный университет”, Красноярск, Россия
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики имени Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I. A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.
}
Найти похожие

The influence of the semiconductor layer on the magnetic properties in a three-layer structure CoNi/Si/FeNi / A. V. Kobyakov [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. C.P30. - P. 319. - Cited References: 2. - These studies are conducted with financial support from the Russian Foundation for Basic Research (grant # 18-02-00161-a) . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, prospect Svobodny, 79, Krasnoyarsk, 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Yarikov, S. A.; Яриков, Станислав Алексеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zhivaya, Ya. A.; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

    The role of the semiconductor layer in the exchange-bias film structure of CoNi / Si / FeNi / Si with a spin spring effect / A. V. Kobyakov [et al.] // J. Phys. Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1389, Is. 1. - Ст. 012028, DOI 10.1088/1742-6596/1389/1/012028. - Cited References: 13. - These studies are conducted with financial support from the Russian Foundation for Basic Research (grant No.18-02-00161-a). . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596
   Перевод заглавия: Роль полупроводникового слоя в структуре пленок обменного смещения CoNi / Si / FeNi / Si с эффектом спиновой пружины
Аннотация: CoNi / Si / FeNi / Si structures were synthesized by ion-plasma sputtering. A negative hysteresis loop bias was detected at the thickness of the silicon layer was less than 2 nm and the temperature was less than 100 K. A positive hysteresis loop bias was detected at the thickness of the silicon layer was more than 2 nm and the temperature greater than 100K.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
Scopus,
WOS
Держатели документа:
Siberian Federal University, prospect Svobodny, 79, Krasnoyarsk, 660041, Russia
L.V. Kirensky Institute of Physics of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Yarikov, S. A.; Яриков, Станислав Алексеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zhivaya, Ya. A.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
}
Найти похожие

Solid-state synthesis of the cobalt germanides in the epitaxial Ge/βCo(001) and Ge/α-Co(110) nanofilms / L. E. Bykova [et al.] // Workshop "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering" : book of abstracts / предс. сем. K. S. Aleksandrov ; зам. предс. сем.: G. S. Patrin, S. G. Ovchinnikov ; чл. лок. ком.: N. N. Kosyrev, A. S. Fedorov [et al]. - 2009. - P. 29

Материалы семинара

Доп.точки доступа:
Aleksandrov, K. S. \предс. сем.\; Александров, Кирилл Сергеевич; Patrin, G. S. \зам. предс. сем.\; Патрин, Геннадий Семёнович; Ovchinnikov, S. G. \зам. предс. сем.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N. \чл. лок. ком.\; Косырев, Николай Николаевич; Fedorov, A. S. \чл. лок. ком.\; Федоров, Александр Семенович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Lee, L. A.; Ли, Людмила Алексеевна; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering", workshop(2009 ; Aug. ; 24-28 ; Krasnoyarsk); Сибирский федеральный университет; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure / G. S. Patrin [et al.] // JETP Letters. - 2019. - Vol. 109, Is. 5. - P. 320-324, DOI 10.1134/S0021364019050126. - Cited References: 26. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 18-02-00161-a). . - ISSN 0021-3640. - ISSN 1090-6487
Рубрики:
MEDIA
Аннотация: Films consisting of a hard magnetic ferromagnet CoNi and a soft magnetic ferromagnet FeNi interacting through a nonmagnetic Si semiconductor spacer are experimentally studied. The temperature and field dependences of the magnetic properties of film structures with different silicon thicknesses are examined. It is found that the multilayer structure has the properties inherent in magnetic springs and exhibits positive exchange bias as a function of the silicon thickness.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi [Текст] / Г. С. Патрин [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 109 Вып. 5-6. - С. 325-330

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Patrin, K. G.; Yurkin, G. Yu.; Zhivaya, Ya A.; Russian Foundation for Basic Research [18-02-00161-a]
}
Найти похожие

Structural and Magnetic Properties of the Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co System / A. V. Kobyakov [et al.] // Tech. Phys. - 2019. - Vol. 64, Is. 2. - P. 236-241, DOI 10.1134/S1063784219020087. - Cited References: 18. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 18-02-00161-a. . - ISSN 1063-7842. - ISSN 1090-6525

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
LAYER-DEPOSITED AL2O3
MAGNETORESISTANCE
GAAS
Аннотация: The Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co system with an Al2O3 buffer layer deposited by ion-plasma sputtering has been experimentally investigated. The dependences of the magnetic properties of cobalt on the rate of its deposition by ion-plasma sputtering and rate of deposition of preceding layers have been established. It is shown that the technique used to obtain buffer layers can significantly reduce the surface roughness of the next layers. The obtained buffer layers can be used as artificial substrates for growing heterostructures with tunnel junctions.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Структурные и магнитные свойства систем Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co [Текст] / А. В. Кобяков [и др.] // Журн. техн. физ. - 2019. - Т. 89 Вып. 2. - С. 268-273

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Fed Res Ctr, Krasnoyarsk Sci Ctr,Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Krasnoyarsk State Agrarian Univ, Achinsk Branch, Krasnoyarsk 662150, Krasnoyarsk Kra, Russia.

Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Rudenko, R. Yu.; Руденко, Роман Юрьевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Russian Foundation for Basic Research [18-02-00161-a]
}
Найти похожие

10.

Получение, структура и магнитные свойства системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co / В. А. Орлов, Г. С. Патрин // Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXIII международной конференции / прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2018. - С. 580-581. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 18-02-00161-а)

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция(23 ; 2018 ; 30 июня - 5 июля ; Москва); Научный совет по физике конденсированных сред РАН; МИРЭА - Российский технологический университет; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Магнитное общество России; Образовательная компания "Альбион"
}
Найти похожие