Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Мацынин, Алексей Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 85
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Mikhlin Yu. L., Matsynin A. A., Bykova L. E., Bondarenko G. N., Bondarenko G. N., Patrin G. S., Velikanov D. A.
Заглавие : Solid-state formation of ferromagnetic germanides in 40gE/60mNetamagnetism, giant magnetostriction and magnetocaloric
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 211. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мягков, Виктор Григорьевич, Жигалов, Виктор Степанович, Мацынин, Алексей Александрович, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Геннадий Васильевич, Бондаренко, Галина Николаевна, Патрин, Геннадий Семёнович, Великанов, Дмитрий Анатольевич
Заглавие : Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 96, Вып. 1-2. - С. 42-45. - ISSN 0370-274X
Примечания : Библиогр.: 36 назв.
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования твердофазных реакций в Ge/Mn поликристаллических пленках 80Ge : 20Mn атомного состава методом рентгеновской дифракции, магнитных и электрических измерений. Показано, что ферромагнитная Mn5Ge3-фаза формируется первой на Ge/Mn-интерфейсе после отжигов при ～ 120 °C. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 300 °C приводит к началу синтеза Mn11Ge8-фазы, которая становится доминирующей при 400 °C. На основании анализа приведенных результатов и результатов, полученных ранее при исследовании твердофазных реакций в различных пленочных структурах, предсказано существование новых структурных переходов в Mn-Ge системе в районе ～ 120 и ～ 300 °C. Обосновывается предположение об общих химических механизмах синтеза Mn5Ge3- и Mn11Ge8-фаз при твердофазных реакциях в Ge/Mn-пленках 80Ge : 20Mn атомного состава и при фазовом расслоении в GexMn1-x (x 0.95) разбавленных полупроводниках.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Мацынин, Алексей Александрович, Мягков, Виктор Григорьевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Галина Николаевна, Жигалов, Виктор Степанович
Заглавие : Магнитные свойства пленок MnGe разного состава, полученных твердофазным синтезом
Коллективы : Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (18; 2012 ; 25 март.-5 апр.; Красноярск)
Место публикации : Восемнадцатая Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных: материалы конф., информ. бюллетень. - Красноярск, 2012. - С. 621-622
Материалы конференции,
Обложка
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Bykova L. E., Mikhlin Y. L., Bondarenko G. N., Patrin G. S., Yurkin G. Yu.
Заглавие : Formation of ferromagnetic germanides by solid-state reactions in 20Ge/80Mn films
Место публикации : Thin Solid Films: Elsevier Science, 2014. - Vol. 552. - P.86-91. - ISSN 0040-6090, DOI 10.1016/j.tsf.2013.12.029
Примечания : Cited References: 53
Предметные рубрики: PHASE-FORMATION
MAGNETIC-PROPERTIES
Mn5Ge3 FILMS
X-RAY
Ge(111)
TRANSFORMATIONS
DIFFUSION
SPECTRA
SYSTEM
LAYERS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): manganite-germanium--solid state reaction--first phase--mn5ge3 alloy--carbon impurity--oxygen impurity--annealing--magnetic anisotropy
Аннотация: Solid state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy, and magnetic and electrical measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 20:80 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~ 120°C, the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is the first phase to form at the 20Ge/80Mn interface. As the annealing temperature increases to 300°C, the weak magnetic Mn5Ge 2 + Mn3Ge phases simultaneously begin to grow and they become dominant at 400°C. Increasing the annealing temperature to 500°C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 350-360 K and magnetization 14-25 kA/m at room temperature. The X-ray diffraction study of the samples shows the reflections from the Mn 5Ge3 phase, and the photoelectron spectra contain the oxygen and carbon peaks. The homogeneous distribution of oxygen and carbon over the sample thickness suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn 5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5Ge3CxOy. The initiation temperature (~ 120 C) is the same in the Mn5Ge3 phase with the solid-state reactions in the Ge/Mn films as well as in the phase separation in the GexMn1 - x diluted semiconductors. Thus, we conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn 1 - x diluted semiconductors.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Bykova L. E., Bondarenko G. V., Bondarenko G. N., Patrin G. S., Velikanov D. A.
Заглавие : Phase transformations in the Mn-Ge system and in Ge x Mn1-x diluted semiconductors
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 96, Is. 1. - P.40-43. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364012130097
Примечания : Cited References: 36
Предметные рубрики: HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
MAGNETIC-PROPERTIES
THIN-FILMS
Аннотация: Results of an X-ray diffraction study as well as magnetic and electrical measurements of the solid-state reactions in Ge/Mn polycrystalline films of an 80/20 atomic composition have been presented. It has been shown that the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is formed first on the Ge/Mn interface after annealing at similar to 120A degrees C. The further increase in the annealing temperature to 300A degrees C leads to the beginning of the synthesis of the Mn11Ge8 phase, which becomes dominating at 400A degrees C. The existence of new structural transitions in the Mn-Ge system in the region of similar to 120 and similar to 300A degrees C has been predicted on the basis of the presented results and results obtained earlier when studying solid-state reactions in different film structures. The supposition about the general chemical mechanisms of the synthesis of the Mn5Ge3 and Mn11Ge8 phases during the solid-state reactions in the Ge/Mn films of the 80/20 atomic composition and the phase separation in Ge (x) Mn1 - x (x 0.95) diluted semiconductors has been substantiated.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Matsunin A. A., Mikhlin Y. L., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Tambasov I. A., Bondarenko G. N., Patrin G. S., Velikanov D. A.
Заглавие : Synthesis of ferromagnetic germanides in 40Ge/60Mn films: Magnetic and structural properties
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed. S. G. Ovchinnikov: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P.167-172. - ISSN 978-303835054-5, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.167. - ISSN 1662-9779
Примечания : Cited References: 28
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): diluted semiconductors--manganese germanides--solid-state reactions--spinodal decomposition
Аннотация: Solid-state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy and magnetic measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 40:60 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~120 °C, the ferromagnetic Mn5Ge phase is the first phase to form at the 40Ge/60Mn interface. Increasing the annealing temperature to 500 °C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 360 K and magnetization MS ~ 140-200 emu/cc at room temperature. Analysis of X-ray diffraction patterns and the photoelectron spectra suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5GeXCxOy. The initiation temperature (~120 °C) of the Mn5Ge3 phase is the same both for solid-state reactions in Ge/Mn films, as well as for phase separation in GexMn1-x diluted semiconductors. We conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn1-x diluted semiconductors. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 36 рукописный текст
Автор(ы) : Мацынин, Алексей Александрович
Заглавие : Фазовые, структурные и магнитные превращения в пленочных системах Fe/Mn и Mn/Ge при вакуумном отжиге : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2014
Колич.характеристики :110 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 135 назв.
ГРНТИ : 29.19.16
ББК : В371.26я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bykova L. E., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Tambasov I. A., Zharkov S. M., Matsynin A. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : Solid state synthesis and characterization of Fe-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films
Место публикации : J. Alloys Compd.: Elsevier Science, 2015. - Vol. 636. - P.223-228. - ISSN 0925, DOI 10.1016/j.jallcom.2015.02.012. - ISSN 18734669(eISSN)
Примечания : Cited References:48
Предметные рубрики: HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
ENERGETIC MATERIALS
MAGNETIC-PROPERTIES
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): thermite reactions--reactive films--ferromagnetic nanocomposite films--zro2
Аннотация: Fe-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films are successfully synthesized using a thermite reaction between the Zr and Fe2O3 layers. The initial Zr/Fe2O3 bilayers were obtained by the deposition of Zr layers on alpha-Fe2O3 films at room temperature. The mixing at the Zr/Fe2O3 interface and synthesis of alpha-Fe and the amorphous ZrO2 phases start at a temperature above the initiation temperature T-in similar to 250 degrees C. Together with the formation of alpha-Fe, partial transformation from Fe2O3 to Fe3O4 occurs after annealing at 300 degrees C. The secondary reaction between Fe3O4 and Zr starts soon after the Fe2O3 is converted to the Fe3O4 phase. The crystallization of amorphous ZrO2 and the formation of the ZrO2 cubic/tetragonal phase occurs above 400 degrees C. After annealing at 500 degrees C the reaction products contain (110) textured alpha-Fe nanocrystals with a diameter of about 34 nm embedded in an insulating c-ZrO2 (or t-ZrO2) matrix. The synthesized Fe-ZrO2 nanocomposite films possess soft magnetic behavior, high magnetization and good chemical stability. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bykova L. E., Zhigalov V. S., Tambasov I. A., Bondarenko G. N., Matsynin A. A., Rybakova A. N.
Заглавие : Solid-state synthesis, structural and magnetic properties of CoPd films
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [15-02-00948]
Место публикации : Phys. Solid State: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 57, Is. 5. - P.1014-1022. - ISSN 1063, DOI 10.1134/S1063783415050236. - ISSN 10906460(eISSN)
Примечания : Cited References:57. - This study was supported in part by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 15-02-00948).
Предметные рубрики: HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
EPITAXIAL THIN-FILMS
CENTERED-CUBIC CO
MARTENSITIC TRANSFORMATIONS
PHASE SYNTHESIS
SINGLE-CRYSTAL
FE FILMS
CO/PD MULTILAYERS
RECORDING MEDIA
ANISOTROPY
Аннотация: The results of the investigation of the structural and magnetic properties of CoPd films with equiatomic composition have been presented. The films have been synthesized by vacuum annealing of polycrystalline Pd/Co and epitaxial Pd/α-Co(110) and Pd/β-Co(001) bilayer samples. It has been shown that, for all samples, the annealing to 400°C does not lead to the mixing of layers and the formation of compounds. A further increase in the annealing temperature results in the formation of a disordered CoPd phase at the Pd/Co interface, which is fully completed after annealing at 650°C. The epitaxial relationships between the disordered CoPd phase and the MgO(001) substrate are determined as follows: CoPd(110)〈1¯11|| MgO(001)〈100〉 and CoPd(001)[100] || MgO(001)[100], which are formed in the Pd/αCo(110) and Pd/βCo(001) films, respectively. According to the calculations, the first magnetocrystalline anisotropy constants of the disordered CoPd phase for Pd/αCo(110) and Pd/βCo(001) samples have close values: = –(1.6 ± 0.4) × 105 erg/cm3. A possible mechanism of the solidstate synthesis of the CoPd alloy is proposed.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мягков, Виктор Григорьевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Жигалов, Виктор Степанович, Тамбасов, Игорь Анатольевич, Бондаренко, Галина Николаевна, Мацынин, Алексей Александрович, Рыбакова, Александра Николаевна
Заглавие : Твердофазный синтез, структурные и магнитные свойства пленок CoPd
Место публикации : Физ. тверд. тела: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2015. - Т. 57, Вып. 5. - С. 999-1006. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: 57. - Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта РФФИ No 15-02-00948.Авторы благодарят Л.А. Соловьева за помощь в проведении рентгенографических исследований эпитаксиальной ориентации фаз в образцах Pd/α-Co(110) и Pd/β-Co(001).
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств пленок CoPd эквиатомного состава, полученных путем отжига в вакууме поликристаллических Pd/Сo и эпитаксиальных Pd/alpha-Сo(110) и Pd/beta-Co(001) двухслойных образцов. Показано, что для всех образцов при отжиге до 400oC не происходит перемешивания слоев и формирования соединений. Дальнейшее повышение температуры отжига приводит к образованию на интерфейсе Pd/Co неупорядоченной фазы CoPd, синтез которой полностью завершается после отжига при 650o. Определены эпитаксиальные соотношения между неупорядоченной фазой CoPd и подложкой MgO(001): CoPd(110)111||MgO(001)100 и CoPd(001)[100]||MgO(001)[100], формирующиеся в пленках Pd/alpha-Co(110) и Pd/beta-Co(001) соответственно. Расчеты первой константы магнитокристаллической анизотропии неупорядоченной фазы CoPd для образцов Pd/alpha-Co(110) и Pd/beta-Co(001) дали близкие значения KCoPd1=-(1.6±0.4)· 105 erg/cm3. Предложен возможный механизм твердофазного синтеза сплава CoPd.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мягков, Виктор Григорьевич, Жигалов, Виктор Степанович, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Галина Николаевна, Рыбакова, Александра Николаевна, Мацынин, Алексей Александрович, Тамбасов, Игорь Анатольевич, Волочаев, Михаил Николаевич, Великанов, Дмитрий Анатольевич
Заглавие : Большая магнитная вращающаяся анизотропия в эпитаксиальных L10CoPt(111) тонких пленках
Место публикации : Письма в ЖЭТФ: Наука, 2015. - Т. 102, Вып. 5-6. - С. 393-398. - ISSN 0370-274X, DOI 10.7868/S0370274X15180071
Примечания : Библиогр.: 25 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ ф 15-02-00948 и, частично, Совета по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программы Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научнотехнической сфере (УМНИК).
Аннотация: Представлена эволюция структурных и магнитных свойств в эпитаксиальных пленочных системах Co/Pt(111) эквиатомного состава в процессе вакуумного отжига. Отжиг до температуры 400 °C не приводит к изменению структурных и магнитных свойств пленок, что указывает на отсутствие значительного перемешивания на Co/Pt интерфейсе. С повышением температуры отжига от 400 до 750 °C происходит формирование нанокластеров, содержащих основную магнитотвердую фазу L10CoPt, эпитаксиально сросшуюся с фазой CoPt3. В полученных пленках обнаружена большая магнитная вращающаяся анизотропия. В магнитных полях выше коэрцитивной силы (H HC = 8 кЭ) легкая ось анизотропии с учетом угла отставания может быть ориентирована в любом пространственном направлении. Обсуждаются возможные механизмы формирования магнитной вращающейся анизотропии. Сделано предположение о том, что большая магнитная вращающаяся анизотропия вносит основной вклад в магнитную перпендикулярную анизотропию в CoxPt1-x пленках.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bykova L. E., Zhigalov V. S., Tambasov I. A., Bondarenko G. N., Matsynin A. A.
Заглавие : Fourfold magnetic anisotropy of CoPd alloy, obtained by solid state reactions in epitaxal Pd/hcp-Сo and Pd/fcc-Co bilayers
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: N. Perov, A. Semisalova: Trans Tech Publications Ltd, 2015. - Vol. 233-234: Achievements in Magnetism. - P.571-574. - ISSN 1662-9779, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.233-234.571. - ISSN 978-3-03835-482-6
Предметные рубрики: Achievements in magnetism
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): copd alloys--epitaxial growth--epitaxial relationship--magnetic anisotropy--solid-state reaction
Аннотация: The solid-state reaction between epitaxial hcp-Co (110) and fcc-Co (001) thin films and Pd layers was investigated at annealing temperatures between 250 and 650 °C using X-ray diffraction and magnetic measurements. No significant intermixing of the layers occurs at annealing temperatures below 400 °C. For the atomic composition 1Co:1Pd after annealing at 450 °C the disordered solid solution fcc-CoxPd1-x is formed on the Pd/hcp-Co (110) and Pd/fcc-Co (001) interfaces. Epitaxial relationships CoPd (110)〈-111〉 || MgO(001)〈100〉 and CoPd (001)〈100〉 || MgO(001)〈100〉 between the nucleated disordered phase CoPd and the substrate MgO(001) were determined for Pd/hcp-Co (110) and Pd/fcc-Co (001) bilayers, respectively. The first magnetocrystalline anisotropy constant of the disordered CoPd phase K1CoPd = - (1.8 ± 0.4)·104 J/m3 for the (110) and (001) orientations was obtained.
Смотреть статью,
Материалы конференции,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Gornakov K. O., Myagkov V. G., Bykova L. E., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Yozhikova E. V.
Заглавие : Room temperature magneto-transport properties of nanocomposite Fe–In2O3 thin films
Место публикации : Physica B. - 2015. - Vol. 478. - P.135-137. - ISSN 0921-4526, DOI 10.1016/j.physb.2015.08.054
Примечания : Cited References: 28. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Grants # 15-02-00948-A,), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-317.2015.1), and by the program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology (No 6662 FY2015) ("UMNIK" program).
Предметные рубрики: Doped In2O3 Films
High-performance
Indium oxide
Transistors
Magnetoresistance
Ferromagnetism
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): indium oxide--fe-in2o3 thin films--weak localization--disordered semiconductors
Аннотация: A ferromagnetic Fe–In2O3 nanocomposite thin film has been synthesized by the thermite reaction Fe2O3+In→Fe–In2O3. Measurements of the Hall carrier concentration, Hall mobility and magnetoresistance have been conducted at room temperature. The nanocomposite Fe–In2O3 thin film had n=1.94·1020 cm−3, μ=6.45 cm2/Vs and negative magnetoresistance. The magnetoresistance for 8.8 kOe was ~−0.22%.The negative magnetoresistance was well described by the weak localization and model proposed by Khosla and Fischer.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Bondarenko G. N., Rybakova A. N., Matsynin A. A., Tambasov I. A., Volochaev M. N., Velikanov D. A.
Заглавие : High rotatable magnetic anisotropy in epitaxial L10CoPt(111) thin films
Место публикации : JETP Letters. - 2015. - Vol. 102, Is. 6. - P.355-360. - ISSN 00213640 (ISSN), DOI 10.1134/S0021364015180101
Примечания : Cited References: 51. - A We are grateful to L.A. Solov'ev for the help in X-ray studies of the epitaxial orientation of phases in L10CoPt(111) samples. This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 15-02-00948), in part by the Council the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project no. SP-317.2015.1), and by the Foundation for the Assistance of the Development of Small Innovative Scientific and Engineering Enterprises (UMNIK).
Предметные рубрики: Co-Pt ALLOYS
ROOM-TEMPERATURE
COERCIVITY
ORIGIN
ORDER
STATE
Аннотация: The evolution of the structural and magnetic properties in epitaxial film systems Co/Pt(111) of equiatomic composition during vacuum annealing has been presented. Annealing to the temperature of 400°C does not lead to the variation of the structural and magnetic properties of the films, which indicates the absence of considerable mixing of the Co/Pt interface. With the increase in the annealing temperature from 400 to 750°C, nanoclusters containing the main magnetically hard L10CoPt(111) phase epitaxially intergrown with the CoPt3 phase are formed. High rotatable magnetic anisotropy has been found in the prepared films. In magnetic fields above the coercive force (H > HC = 8 kOe), the easy anisotropy axis with the angle of lag taken into account can be oriented in any spatial direction. Possible mechanisms of the formation of the rotatable magnetic anisotropy have been discussed. It has been assumed that the high rotatable magnetic anisotropy makes the main contribution to the magnetic perpendicular anisotropy in CoxPt1–x films. © 2015, Pleiades Publishing, Inc.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Gornakov K. O., Maygkov V. G., Bykova L. E., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Yozhikova E. V.
Заглавие : Magneto-transport properties of the nanocomposite of the nanocomposite Fe-In2O3 thin films
Коллективы : "Деформация и разрушение материалов и наноматериалов", международная конференция, Российская академия наук, Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, "Деформация и разрушение материалов", журнал, Межгосударственный координационный совет по физике прочности и пластичности, "INSTRON" (ООО "НОВАТЕСТ"), корпорация
Место публикации : VI междунар. конф. "Деформация и разрушение материалов и наноматериалов" (DFMN-15): сборник материалов. - М.: ИМЕТ РАН, 2015. - С. 521-522. - ISBN 2413-2209
Примечания : Библиогр.: 4 назв.
Материалы конференции
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Zharkov S. M., Matsynin A. A., Volochaev M. N., Tambasov I. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : Thermite synthesis and characterization of Co-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films
Место публикации : J. Alloys Compd.: Elsevier, 2016. - Vol. 665. - P.197-203. - ISSN 09258388 (ISSN), DOI 10.1016/j.jallcom.2015.12.257
Примечания : Cited References: 56. - This study was partially supported by the Russian Foundation for Basic Research (grants ##15-02-00948, 14-03-00515), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-317.2015.1), and by the program of the Foundation for Assistance to Small Innovative Enterprises in Science and Technology (“UMNIK” program). The TEM studies were carried out using the facilities of Electron Microscopy Laboratory of Siberian Federal University and the Performance Service at Krasnoyarsk Scientific Center.
Предметные рубрики: SOLID-STATE SYNTHESIS
PHASE-FORMATION
ZrO2
NANOPARTICLES
TRANSPORT
OXIDE
MICROSTRUCTURE
NANOTHERMITE
FABRICATION
PARTICLES
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): thermite reactions--reactive films--ferromagnetic nanocomposite films--zro2
Аннотация: Co-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films were successfully synthesized using a new thermite reaction between Zr and Co3O4 in layer geometry. The initial Zr/Co3O4 bilayers were obtained by the deposition of Zr layers onto Co3O4 films at room temperature. The process of mixing at the Zr/Co3O4 interface and synthesis of fine-crystalline Co and amorphous ZrO2 phases started at a temperature above the initiation temperature Tin ∼250 °C which did not depend on the bilayer thickness. For the bilayer thickness more than 300 nm high-temperature fcc-Co and cubic c-ZrO2 (or tetragonal t-ZrO2) phases were formed. For the bilayer thickness less than ∼50 nm stable low-temperature hexagonal hcp-Co and monoclinic m-ZrO2 phases were also present in the reaction product. A partial transformation from Co3O4 to CoO occurred after annealing at 300 °C. The secondary reaction between CoO and Zr started soon after Co3O4 had been converted to the CoO phase. After annealing at 500 °C more than 80% of Co was reduced and the final product contained Co nanoparticles above and below the superparamagnetic critical size embedded into a dielectric ZrO2 matrix. The synthesized Co-ZrO2 nanocomposite films possessed soft magnetic behavior, high magnetization and good chemical stability.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bykova L. E., Yakovchuk V. Yu., Zhigalov V. S., Volochaev M. N., Matsynin A. A., Tambasov I. A., Seredkin V. A., Patrin G. S., Bondarenko G. N.
Заглавие : Structural and magnetic features of solid-phase transformations in Mn/Bi and Bi/Mn films
Место публикации : JETP Letters. - 2016. - Vol. 103, Is. 4. - P.254-259. - ISSN 00213640 (ISSN), DOI 10.1134/S0021364016040111
Примечания : Cited References: 47. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 15-02-00948 and 16-03-00069), by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project no. SP-317.2015.1), and by the Foundation for Promotion of the Development of Small Scientific and Engineering Enterprises (project nos. 0011727 and 6662GU2015, program Umnik). The electron microscopy studies were performed on the equipment of the Shared Usage Center, Krasnoyarsk Research Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences.
Предметные рубрики: High-temperature synthesis
Epitaxial thin-films
State synthesis
Martensitic transformations
Vacuum depositions
MnBi filmsd
Bi
System
Anisotropy
Compound
Аннотация: Solid-phase transformations at different annealing temperatures in Mn/Bi (Mn on Bi) and Bi/Mn (Bi on Mn) films have been studied using X-ray diffraction, electron microscopy, and magnetic measurements. It has been shown that the synthesis of the α-MnBi phase in polycrystalline Mn/Bi films begins at a temperature of ~120°C and the Mn and Bi layers react completely at 300°C. The resulting α-MnBi(001) samples have a large perpendicular magnetic anisotropy (Ku ≃ 1.5 × 107 erg/cm3) and a coercive force H HC ~ 3 kOe. In contrast to Mn/Bi, the ferromagnetic α-MnBi phase in Bi/Mn films is not formed even at annealing processes up to 400°C and Mn clusters are formed in a Bi melt. This asymmetry in phase transformations occurs because chemosorbed oxygen existing on the surface of the Mn film in Bi/Mn films suppresses a solid-phase reaction between Mn and Bi. The analysis of the results obtained implies the existence of new low-temperature (~120°C) structural transformation in the Mn–Bi system. © 2016, Pleiades Publishing, Inc.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zhigalov V. S., Myagkov V. G., Bayukov O. A., Bykova L. E., Bondarenko G. N., Matsynin A. A.
Заглавие : Phase transformations in Mn/Fe(001) films: Structural and magnetic investigations
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [07-03-00190]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [2.1.1/4399]
Место публикации : JETP Letters. - 2009. - Vol. 89, Is. 12. - P.621-625. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364009120066
Примечания : Cited References: 36. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 07-03-00190) and by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (project no. 2.1.1/4399, program " Development of the Scientific Potentiality of Higher Education" in 2009- 2010).
Предметные рубрики: HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
SOLID-STATE SYNTHESIS
FE-MN
THIN-FILMS
MARTENSITIC TRANSFORMATIONS
KINETICS
ALLOY
Аннотация: The solid-phase synthesis in epitaxial Mn/Fe(001) bilayer film systems with 24 at % of Mn has been shown to start at a temperature of 220A degrees C with the formation of a gamma-austenite lattice and the Mn and Fe films react completely under annealing to 600A degrees C. In the sample cooling process after annealing below 220A degrees C, the gamma austenite undergoes a martensitic transformation to an oriented a(100) martensite. When the annealing temperature is increased above 600A degrees C, Mn atoms migrate from the gamma-lattice, which becomes unstable, and the film is partially again transformed to the epitaxial Fe(001) layer. The solid-phase synthesis in Mn/Fe(001) bilayer nanofilms and multilayers is assumingly determined by the inverse epsilon - gamma martensitic transformation in the Mn-Fe system. The existence of a new low-temperature (similar to 220A degrees C) structure transition in the Mn-Fe system with a high iron content is assumed.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мягков, Виктор Григорьевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Яковчук, Виктор Юрьевич, Жигалов, Виктор Степанович, Волочаев, Михаил Николаевич, Мацынин, Алексей Александрович, Тамбасов, Игорь Анатольевич, Середкин, Виталий Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович, Бондаренко, Галина Николаевна
Заглавие : Структурные и магнитные особенности твердофазных превращений в Mn/Bi и Bi/Mn пленках
Место публикации : Письма в ЖЭТФ: Наука, 2016. - Т. 103, Вып. 4. - С. 280-285. - ISSN 0370-274X, DOI 10.7868/S0370274X16040081
Примечания : Библиогр.: 47. - Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ # 15-02-00948, 16-03-00069 и, частично, Совета по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программы Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере "Умник" #0011727, 6662ГУ2015.
Аннотация: Твердофазные превращения в зависимости от температуры отжига в Mn/Bi (Mn на Bi) и Bi/Mn (Bi на Mn) пленках исследовались с использованием рентгеновской дифракции, электронной микроскопии и магнитных измерений. Показано, что синтез a-MnBi-фазы в поликристаллических Mn/Bi пленках начинается при температуре ~ 120 ° C и при 300 ° C слои Mn и Bi реагируют полностью. Полученные образцы a-MnBi(OOl) обладали большой перпендикулярной магнитной анизотропией (Ku ~ 1.5 • 107 эрг/см3) и коэрцитивной силой H HC ~ 3кЭ. В отличие от Mn/Bi в пленках Bi/Mn даже при отжигах до 400°C ферромагнитная a-MnBi-фаза не образовывалась, а наблюдалось формирование кластеров Mn в расплаве Bi. Данная асимметрия в фазовых превращениях объясняется существованием в пленках Bi/Mn на поверхности пленки Mn хемосорбированного кислорода, который подавляет твердофазную реакцию между Mn и Bi. На основании анализа результатов проведенных исследований предполагается существование нового низкотемпературного (~ 120° C) структурного превращения в Mn-Bi-системе.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие