Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (20)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Мягков, Виктор Григорьевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 190
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Б 95 рукописный текст
Автор(ы) : Быкова, Людмила Евгеньевна
Заглавие : Твердофазный синтез в двухслойных тонких металлических пленках, связанный с мартенситными превращениями в продуктах реакции : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2005
Колич.характеристики :105 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: с.98-105
ГРНТИ : 29.19.16
ББК : В371.26я031
Экземпляры :Дс(1)
Свободны : Дс(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 99 рукописный текст
Автор(ы) : Мягков, Виктор Григорьевич
Заглавие : Исследование особенностей твёрдофазных реакций в двухслойных Al/Ni, Al/Fe, Al/Co, Al/Mn, Al/Fe2O3, Pt/Co, Dy/Co, Ni3N/SiO тонких плёнках, проходящих в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2004
Колич.характеристики :101 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 119 назв.
ГРНТИ : 29.19.16
ББК : В371.26я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Галина Николаевна, Mikhlin Y. L., Максимов И. А., Иванов В. В., Балашов С. В., Карпенко Д. С.
Заглавие : Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Физ. и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550
Аннотация: Пленки кубической фазы In2O3 получены автоволновой реакцией окисления. Электронно-микроскопические исследования и фотоэлектронная спектроскопия профилей распределения показали, что образцы однородны по всей площади и толщине, характерный размер зерна 20--40 нм. Проведены исследования оптических и электрических свойств пленок In2O3, полученных при различном давлении в вакуумной камере. В диапазоне длины волн 400--1100 нм пленки имели прозрачность более 85% и удельное сопротивление 1.8· 10-2 Ом·см.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Tambasov I. A., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Nemtsev I. V., Bykova L. E., Bondarenko G. N.
Заглавие : Magnetic and structural properties of nanocomposite fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]]-ZnO films prepared by solid-state synhesis
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism. [[b]]EASTMAG – 2013[[/b]]: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 134. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич
Заглавие : Влияние ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких I2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Коллективы : Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Российская конференция по физике полупроводников (11; 2013 ; сент. ; 16–20; Санкт-Петербург)
Место публикации : XI Рос. конф. по физ. полупроводников: Тезисы докладов. - СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2013. - Ст.Вт-2.8с (Rep_0061). - С. 161. - ISBN 978-5-93634-033-3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поверхность--пленки--слои
Смотреть тезисы
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Mikhlin Yu. L., Matsynin A. A., Bykova L. E., Bondarenko G. N., Bondarenko G. N., Patrin G. S., Velikanov D. A.
Заглавие : Solid-state formation of ferromagnetic germanides in 40gE/60mNetamagnetism, giant magnetostriction and magnetocaloric
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 211. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Ежикова Е. В., Максимов И. А., Иванов В. В.
Заглавие : Влияние фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Физ. и техника полупроводников: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2014. - Т. 48, Вып. 2. - С. 220-224. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: 42 назв. - Работа выполнена при поддержке ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2007-2013 годы" (госконтракт № 14.513.11.0023).
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52% при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения: 15Ом/с первые 30 с и 7Ом/с в остальное время. Результаты ИК спектроскопии пленок оксида индия показали, что фотооблучение приводит к уменьшению на 2.4% коэффициента пропускания на длине волны 6.3 мкм. После прекращения облучения наблюдалось постепенное увеличение коэффициента пропускания со скоростью 0.006%/с. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения электрических и оптических свойств In2O3-пленок.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мягков, Виктор Григорьевич, Жигалов, Виктор Степанович, Мацынин, Алексей Александрович, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Геннадий Васильевич, Бондаренко, Галина Николаевна, Патрин, Геннадий Семёнович, Великанов, Дмитрий Анатольевич
Заглавие : Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 96, Вып. 1-2. - С. 42-45. - ISSN 0370-274X
Примечания : Библиогр.: 36 назв.
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования твердофазных реакций в Ge/Mn поликристаллических пленках 80Ge : 20Mn атомного состава методом рентгеновской дифракции, магнитных и электрических измерений. Показано, что ферромагнитная Mn5Ge3-фаза формируется первой на Ge/Mn-интерфейсе после отжигов при ～ 120 °C. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 300 °C приводит к началу синтеза Mn11Ge8-фазы, которая становится доминирующей при 400 °C. На основании анализа приведенных результатов и результатов, полученных ранее при исследовании твердофазных реакций в различных пленочных структурах, предсказано существование новых структурных переходов в Mn-Ge системе в районе ～ 120 и ～ 300 °C. Обосновывается предположение об общих химических механизмах синтеза Mn5Ge3- и Mn11Ge8-фаз при твердофазных реакциях в Ge/Mn-пленках 80Ge : 20Mn атомного состава и при фазовом расслоении в GexMn1-x (x 0.95) разбавленных полупроводниках.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Мягков, Виктор Григорьевич, Жигалов, Виктор Степанович, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Галина Николаевна, Патрин, Геннадий Семёнович, Великанов, Дмитрий Анатольевич, Ли, Людмила Алексеевна
Заглавие : Стуктурные и магнитные свойства ферромагнитных φ-Ga[[d]]7.7[[/d]]Mn[[d]]2.3[[/d]] и δ-Mn[[d]]0.6[[/d]]Ga[[d]]0.4[[/d]] тонких пленок
Коллективы : Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Восточно-сибирская государственная академия образования, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. V Байкал. междунар. конф. BICMM-2012/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov. - Иркутск, 2012. - Ст.I-4. - С. 164. - ISBN 978-5-85827-756-9
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич
Заглавие : Магнитные и структурные свойства композитных In[[d]]2[[/d]]O3 – Fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]] пленок
Коллективы : Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Восточно-сибирская государственная академия образования, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. V Байкал. междунар. конф. BICMM-2012/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov. - Иркутск, 2012. - С. 14. - ISBN 978-5-85827-756-9
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Коньков В. А., Мягков, Виктор Григорьевич, Бондаренко, Галина Николаевна, Жигалов, Виктор Степанович
Заглавие : Структура и магнитные свойства β-Fe[[d]]1,6[[/d]]Ge эпитаксиальных тонких пленок
Коллективы : Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (18; 2012 ; 25 март.-5 апр.; Красноярск)
Место публикации : Восемнадцатая Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных: материалы конф., информ. бюллетень. - Красноярск, 2012. - С. 136-137
Материалы конференции,
Обложка
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Мацынин, Алексей Александрович, Мягков, Виктор Григорьевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Галина Николаевна, Жигалов, Виктор Степанович
Заглавие : Магнитные свойства пленок MnGe разного состава, полученных твердофазным синтезом
Коллективы : Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (18; 2012 ; 25 март.-5 апр.; Красноярск)
Место публикации : Восемнадцатая Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных: материалы конф., информ. бюллетень. - Красноярск, 2012. - С. 621-622
Материалы конференции,
Обложка
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Прохоров П. В., Мягков, Виктор Григорьевич, Бондаренко, Галина Николаевна, Жигалов, Виктор Степанович, Быкова, Людмила Евгеньевна
Заглавие : Твердофазный синтез CoPd эпитаксиальных тонких пленок: структурные и магнитные свойства
Коллективы : Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (18; 2012 ; 25 март.-5 апр.; Красноярск)
Место публикации : Восемнадцатая Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных: материалы конф., информ. бюллетень. - Красноярск, 2012. - С. 311-313
Материалы конференции,
Обложка
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Семячков В. А., Жигалов, Виктор Степанович, Мягков, Виктор Григорьевич
Заглавие : Влияние твердофазных реакций на свойства тонкопленочных структур Fe/Pd
Коллективы : Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (18; 2012 ; 25 март.-5 апр.; Красноярск)
Место публикации : Восемнадцатая Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных: материалы конф., информ. бюллетень. - Красноярск, 2012. - С. 171-172
Материалы конференции,
Обложка
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Семячков В. А., Рыбакова, Александра Николаевна, Жигалов, Виктор Степанович, Мягков, Виктор Григорьевич
Заглавие : Твердофазные реакции в пленочных двухслойных структурах переходных металлов
Место публикации : Вестник СиБГАУ. - 2012. - № 1. - С. 138-142. - ISSN 1816-9724
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Bykova L. E., Mikhlin Y. L., Bondarenko G. N., Patrin G. S., Yurkin G. Yu.
Заглавие : Formation of ferromagnetic germanides by solid-state reactions in 20Ge/80Mn films
Место публикации : Thin Solid Films: Elsevier Science, 2014. - Vol. 552. - P.86-91. - ISSN 0040-6090, DOI 10.1016/j.tsf.2013.12.029
Примечания : Cited References: 53
Предметные рубрики: PHASE-FORMATION
MAGNETIC-PROPERTIES
Mn5Ge3 FILMS
X-RAY
Ge(111)
TRANSFORMATIONS
DIFFUSION
SPECTRA
SYSTEM
LAYERS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): manganite-germanium--solid state reaction--first phase--mn5ge3 alloy--carbon impurity--oxygen impurity--annealing--magnetic anisotropy
Аннотация: Solid state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy, and magnetic and electrical measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 20:80 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~ 120°C, the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is the first phase to form at the 20Ge/80Mn interface. As the annealing temperature increases to 300°C, the weak magnetic Mn5Ge 2 + Mn3Ge phases simultaneously begin to grow and they become dominant at 400°C. Increasing the annealing temperature to 500°C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 350-360 K and magnetization 14-25 kA/m at room temperature. The X-ray diffraction study of the samples shows the reflections from the Mn 5Ge3 phase, and the photoelectron spectra contain the oxygen and carbon peaks. The homogeneous distribution of oxygen and carbon over the sample thickness suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn 5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5Ge3CxOy. The initiation temperature (~ 120 C) is the same in the Mn5Ge3 phase with the solid-state reactions in the Ge/Mn films as well as in the phase separation in the GexMn1 - x diluted semiconductors. Thus, we conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn 1 - x diluted semiconductors.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Жарков, Сергей Михайлович, Моисеенко, Евгений Тимофеевич, Алтунин, Роман Русланович, Николаева Н. С., Жигалов, Виктор Степанович, Мягков, Виктор Григорьевич
Заглавие : Исследование процессов твердофазных реакций и переходов порядок-беспорядок в тонких пленках Pd/α-Fe(001)
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Наука, 2014. - Т. 99, Вып. 7-8. - С. 472-477. - DOI 10.7868/S0370274X14070108
Примечания : Библиогр.: 20 назв. - Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (грант # 14-03-00515a) и Министерства образования и науки Российской Федерации (в рамках госзадания СФУ на 2014г.).
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования формирования магнитотвердой атомно-упорядоченной фазы L10-FePd в тонких двухслойных пленках Pd/α-Fe(001). Методами in situ дифракции электронов исследованы процессы твердофазных реакций, инициированных термическим нагревом, в отделенных от подложки двухслойных пленках Pd/α-Fe(001) толщиной 50-60 нм (атомное соотношение Pd:Fe 50:50). Показано, что процесс твердофазной реакции между слоями палладия и железа в Pd/α-Fe(001) начинается при 400 °С с формирования атомно-неупорядоченной фазы Fe-Pd. При 480 °С наблюдается формирование атомно-упорядоченной фазы L10-FePd. Исследован фазовый переход порядок-беспорядок. Установлено, что переход атомно-упорядоченной фазы L10-FePd в атомно-неупорядоченную фазу FePd начинается при 725 °С. При 740 °С во всем объеме пленки присутствует только атомно-неупорядоченная фаза FePd. Наблюдаемая температура фазового перехода порядок-беспорядок смещена на 35 °С в сторону более высоких температур по сравнению с равновесным значением. Предполагается, что этот эффект связан с более высокой концентрацией атомов палладия на границах кристаллических зерен Fe-Pd за счет зернограничной адсорбции.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Belyaev B. A., Bykova L. E., Solovyov L. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : Solid-state synthesis and magnetic properties of epitaxial FePd3(0 0 1) films
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science BV, 2012. - Vol. 324, Is. 8. - P.1571-1574. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2011.12.005
Примечания : Cited References: 23. - This study was supported by the Analytical Departmental Target Program: Development of Scientific Potential of Higher School 2009-2011, Project no. 2.1.1/9193.
Предметные рубрики: HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
DISORDER PHASE-TRANSITION
THIN-FILMS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): fe-pd system--thin film--solid-state synthesis--order-disorder transformation--magnetic anisotropy
Аннотация: The solid-state synthesis of magnetically soft phase FePd3 in epitaxial Pd(0 0 1)/Fe(0 0 1)/MgO(0 0 1) film systems was studied experimentally. The system had a Fe to Pd ratio of 1:3. An increase to 450 °C leads to the formation of three variants of ordered L10-FePd crystallites. At 500 °C, the solid-state reaction of unreacted Pd with L10-FePd crystallites initiates the growth of an ordered epitaxial L12-FePd3(0 0 1) layer. When annealing at 650 °С, a gradual disordering is observed. The magnetic anisotropy (K1=−2.0×103 erg/cm3) and the saturation magnetization (MS=650 emu/cm3) of the disordered FePd3 phase were determined.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Bondarenko G. N., Mikhlin Y. L., Patrin G. S., Velikanov D. A.
Заглавие : Solid-state formation of ferromagnetic δ-Mn0.6Ga0.4 thin films with high rotatable uniaxial anisotropy
Место публикации : Phys. Status Solidi B: Wiley-VCH Verlag GMBH, 2012. - Vol. 249, Is. 8. - P.1541-1545. - ISSN 0370-1972, DOI 10.1002/pssb.201248064
Примечания : Cited References: 39
Предметные рубрики: EPITAXIAL-GROWTH
PERPENDICULAR ANISOTROPY
MAGNETIC-PROPERTIES
PHASE-FORMATION
GAAS
GAN
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): high anisotropy constants--mnxga1-x alloys--rotatable magnetic anisotropies--thin films
Аннотация: Solid-state reactions in Ga/Mn polycrystalline films of the composition 1 Ga:3 Mn were experimentally investigated. Our X-ray study showed that the formation of the Ga/Mn → (250 °C) ϕ-Ga7.7Mn2.3 → (350 °C) δ-Mn0.6Ga0.4 phase sequence occurs when the annealing temperature is increased to 400 °C. δ-Mn0.6Ga0.4 samples were found to have high rotatable uniaxial anisotropy. We also showed that magnetic fields with coercivities above H HC = 8.3 kOe can be used to orient the easy anisotropy axis in any spatial direction while taking the angle of the lag into account.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Bykova L. E., Bondarenko G. V., Bondarenko G. N., Patrin G. S., Velikanov D. A.
Заглавие : Phase transformations in the Mn-Ge system and in Ge x Mn1-x diluted semiconductors
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 96, Is. 1. - P.40-43. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364012130097
Примечания : Cited References: 36
Предметные рубрики: HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
MAGNETIC-PROPERTIES
THIN-FILMS
Аннотация: Results of an X-ray diffraction study as well as magnetic and electrical measurements of the solid-state reactions in Ge/Mn polycrystalline films of an 80/20 atomic composition have been presented. It has been shown that the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is formed first on the Ge/Mn interface after annealing at similar to 120A degrees C. The further increase in the annealing temperature to 300A degrees C leads to the beginning of the synthesis of the Mn11Ge8 phase, which becomes dominating at 400A degrees C. The existence of new structural transitions in the Mn-Ge system in the region of similar to 120 and similar to 300A degrees C has been predicted on the basis of the presented results and results obtained earlier when studying solid-state reactions in different film structures. The supposition about the general chemical mechanisms of the synthesis of the Mn5Ge3 and Mn11Ge8 phases during the solid-state reactions in the Ge/Mn films of the 80/20 atomic composition and the phase separation in Ge (x) Mn1 - x (x 0.95) diluted semiconductors has been substantiated.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие