Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

    Квантово-химическое исследование атомной и электронной структуры интерфейсов LSMO с углеродными нанотрубками различной хиральности / Е. А. Ковалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 729-734. - Библиогр.: 31. - Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант No 16.1500.2014/K). Авторы выражают благодарность Институту вычислительного моделирования СО РАН, г. Красноярск; Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, г. Москва; Центру коллективного пользования СФУ, г. Красноярск; а также Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН, г. Новосибирск, за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Atomic and electronic structure of CNT/LSMO-based nanocomposites: a DFT study
Кл.слова (ненормированные):
углеродные нанотрубки -- спиновая поляризация -- спинтроника -- LSMO -- GGA+U -- carbon nanotubes -- spin polarization -- spintronics
Аннотация: Замещенные манганиты лантана с общей формулой La1-xSrxMnO3 (LSMO) являются перспективными материалами спинтроники и спинкалоритроники, что обусловлено практически стопроцентной спиновой поляризацией данных материалов. На основе интерфейсов LSMO-графен были созданы высокоэффективные органические светодиоды (ОLED) и спиновые клапаны. Многостенные углеродные нанотрубки, соединяющие электроды на основе La0,7Sr0,3MnO3, являющегося полуметаллом, демонстрируют высокое магнитное сопротивление, большое время жизни ориентированного спина, высокую скорость Ферми. Полученные экспериментальные результаты подтверждаются также данными квантово-химических расчетов. Тем не менее интерфейсы замещенных манганитов лантана с углеродными нанотрубками в настоящее время изучены недостаточно. В ходе квантово-химического исследования взаимодействия углеродных нанотрубок различной хиральности с поверхностью замещенного манганита лантана La0,67Sr0,33MnO3 при помощи теории функционала плотности в обобщенно-градиентном приближении с использованием поправки Хаббарда и коррекции вандерваальсова взаимодействия рассмотрены различные варианты расположения нанотрубок относительно атомов пластины. Рассмотрены нанотрубки как конфигурации «зигзаг» (хиральности (9,0)), так и конфигурации «кресло» (хиральности (5,5)). Построены парциальные плотности состояний атомов нанотрубок, исследовано влияние подложки на электронную структуру нанотрубок, а также возможность применения исследуемых нанокомпозитов в устройствах спинтроники. Показано, что при взаимодействии углеродных нанотрубок с поверхностью LSMO (001) вследствие несовпадения структурных параметров наблюдается деформация нанотрубок по сравнению с исходной структурой. Нанотрубка хиральности (9,0) после взаимодействия с пластиной оказывается сжатой примерно на 9 %, в то время как нанотрубка хиральности (5,5) растягивается примерно на 5 %. Установлено, что указанная деформация приводит к значительному изменению электронной структуры нанотрубок и смещению уровня Ферми. Однако несмотря на то, что композиты в целом оказываются практически полностью спин-поляризованными, данный эффект обусловлен присутствием LSMO в составе системы, в то время как различия в заселенности разных спиновых подсистем для нанотрубок практически отсутствуют.
Complex half-metallic manganites La1-xSrxMnO3 (LSMO) are promising materials for spintronic and spicaloritronic applications due to 100 % of spin polarization. Using spin-polarized currents through LSMO-graphene interfaces a number of LSMO-based high-efficiency organic LED and spin-valve nanodevices have been developed. Large magnetoresistance effects bonded with large output signals were detected in a nanodevice. The device of multiwall carbon nanotube that spans a gap between spin-polarized half-metallic La0.7Sr0.3MnO3 electrodes demonstrated long spin lifetime and high Fermi velocity in the nanotube, the high spin polarization of the manganite electrodes and the resistance of the interfacial barrier for spin injection. The experimental results were supported by density functional theory calculations. Interfaces of La0,67Sr0,33MnO3 with armchair and zigzag carbon nanotubes (CNT) were studied by means of quantum chemistry within density functional theory. All calculations were performed using generalized gradient approximation with Hubbard correction (GGA+U) and Grimme correction of dispersion interaction. Different configurations of composite compartments mutual arrangement were considered. The analysis of partial densities of states (PDOS) reveals the influence of substrate on nanotube’s electronic structure. The possibility of nanotubes’ spin polarization and utilization of such nanocomposites in spintronics is also discussed. It was found that interaction between carbon nanotubes and LSMO slab lead to major deformation of the tube due to the difference in structural parameters of composite compartments. Zigzag (9,0) nanotube is contracted by 9% while armchair (5,5) nanotube is stretched by 5 %. Although this deformation results in significant change in nanotube’s electronic structure, there is no visible difference between spin-up and spin-down PDOSes of the tubes. Composites are then almost totally spin-polarized due to the presence of LSMO.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ковалева, Евгения Андреевна; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Куклин, Артем Валентинович; Kuklin A. V.; Михалев, Юрий Глебович; Mikhalev, Yu. G.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович
}
Найти похожие

Structure, optical, and magnetooptical properties of magnetic silicide Fe3Si and Fe5Si3 / S. N. Varnakov, I. A. Yakovlev [и др.] // Int. Conf. on Adv. in Funct. Mater. . - 2015

Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Conference on Advances in Functional Materials(1 ; 2015 ; June 29 - 3 July ; Stony Brook, USA)
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие

Molecular dynamical modelling of endohedral fullerenes formation in plasma / A. S. Fedorov [et al.] // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2016. - Vol. 110, Is. 1, DOI 10.1088/1757-899X/110/1/012078
Аннотация: The initial stages of fullerene and endohedral metallofullerene (EMF) synthesis in carbon-helium plasma at 1500 K and 2500 K have been simulated with quantum chemical molecular dynamics (MD) based on density-functional tight-binding (DFTB). The cases of formation of large (>100 atoms) sp2-carbon clusters with scandium atoms inside were observed. These clusters are considered as precursors of fullerenes or EMFs, and thus it is shown that formation of EMFs can be explained within the framework of »shrinking hot giant« mechanism. Also, the dependence of formation rates on plasma parameters, including temperature, buffer gas and metal atoms concentrations, has been studied.

Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kovaleva, E. A.; Lubkova, T. A.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Visotin, M. A.; Irle, S.; International Scientific Conference on Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials(11 ; 31 Aug. - 10 Sept. 2015)
}
Найти похожие

Исследование структурных, оптических и магнитооптических свойств магнитных силицидов Fe3Si и Fe5Si3 / С. С. Аплеснин [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XIX междунар. симп. - 2015. - Т. 1. - С. 142-143. - Библиогр.: 13 назв.
Аннотация: Методом многоугловой спектральной эллипсометрии экспериментально измерена дисперсия комплексного коэффициента преломления плёнок Fe5Si3 и Fe3Si в диапазоне 250–1000 нм. Показано, что энергии обнаруженных пиков соответствуют межзонным переходам электронов для рассчитанных из первых принципов спин-поляризованных плотностей электронных состояний (DOS) для объёмных Fe5Si3 и Fe3Si.

Материалы симпозиума
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(19 ; 2015 ; март. ; 10-14 ; Нижний Новгород)
}
Найти похожие

Prediction and theoretical investigation of new 2D and 3D periodical structures, having graphene-like bandstructures / A. S. Fedorov [et al.] // Phys. Status Solidi B. - 2015. - Vol. 252, Is. 11. - P. 2407-2411, DOI 10.1002/pssb.201552226. - Cited References: 27. - This work was supported by the Ministry of Education and Science of Russia (Russian-Japanese joined project, Agreement No. 14.613.21.0010, ID RFMEFI61314 x 0010). The authors are grateful to the Joint Supercomputer Center of Russian Academy of Sciences, Moscow and Siberian Supercomputer Center (SSCC) of SB RAS, Novosibirsk for the opportunity of using their computer clusters to perform the calculations . - ISSN 0370-1972

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
   INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   DIRAC FERMIONS
   ELECTRON-GAS
   TRANSITION
   POINTS
Кл.слова (ненормированные):
DFT calculations -- Dirac cones -- Graphene -- Nanoparticles
Аннотация: A new family of planar nanostructures having graphene-like electronic band structure is theoretically investigated by density functional theory (DFT). Based on general perturbation theory and a tight-binding model, it was shown that graphene-like planar structures, consisting of identical nanoparticles with relatively weak contacts between them, should have an electronic band structure with Dirac cones. Two such structures, consisting of 71- or 114-silicon atom nanoparticles, were investigated by DFT using VASP software package. The band-structure calculations show the presence of Dirac cones with electron group velocity equal to 1.05 × 105 and 0.53 × 105 m/s, respectively. By generalizing the theory, a new family of 3D structures having intersecting areas with linear dispersion in the band structures was derived. As an example, the band structure of identical 25-atom silicon nanoclusters arranged in a simple cubic lattice was calculated. It was shown that the band structure has features similar to the Dirac cones.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, av. Svobodny 79, Krasnoyarsk, Russian Federation
National University of Science and Technology MISiS, av. Leninskiy 4, Moscow, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

Analysis of optical and magnetooptical spectra of Fe5Si3 and Fe3Si magnetic silicides using spectral magnetoellipsometry / S. A. Lyashchenko [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2015. - Vol. 120, Is. 5. - P. 886-893, DOI 10.1134/S1063776115050155. - Cited References:31. - This study was financially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state assignment no. 16.663.2014K, agreement no. 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), and contract no. 02.G25.31.0043), the Program is Support of Leading Scientific Schools (project no. NSh-2886.2014.2), and the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-01265 and 14-02-31309). . - ISSN 1063. - ISSN 1090-6509. -

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   FILMS
   ELLIPSOMETRY
Аннотация: The optical, magnetooptical, and magnetic properties of polycrystalline (Fe5Si3/SiO2/Si(100)) and epitaxial Fe3Si/Si(111) films are investigated by spectral magnetoellipsometry. The dispersion of the complex refractive index of Fe5Si3 is measured using multiangle spectral ellipsometry in the range of 250–1000 nm. The dispersion of complex Voigt magnetooptical parameters Q is determined for Fe5Si3 and Fe3Si in the range of 1.6–4.9 eV. The spectral dependence of magnetic circular dichroism for both silicides has revealed a series of resonance peaks. The energies of the detected peaks correspond to interband electron transitions for spin-polarized densities of electron states (DOS) calculated from first principles for bulk Fe5Si3 and Fe3Si crystals.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии [Текст] / С. А. Лященко [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2015. - Т. 147 Вып. 5. - С. 1023–1031

Держатели документа:
Reshetnikov Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Rzhanov Inst Semicond Phys, Siberian Branch, Novosibirsk 630090, Russia.
Russian Acad Sci, Inst Automat & Control Proc, Far East Branch, Vladivostok 690041, Russia.
Far Eastern State Transport Univ, Khabarovsk 680021, Russia.

Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Popov, E. A.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Shamirzaev, T. S.; Latyshev, A. V.; Saranin, A. A.; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [16.663.2014K, 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), 02.G25.31.0043]; Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265, 14-02-31309]
}
Найти похожие

Теоретическое исследование нитридов железа γ'-Fe4N и ε-FexN при давлениях до 500 ГПа / З. И. Попов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2015. - Т. 101, Вып. 5-6. - С. 405-409, DOI 10.7868/S0370274X15060028. - Библиогр.: 27. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект #14-17-00601), грантов Президента РФ для молодых ученых MD- 500.2013.5, НШ-2886.2014.2, в рамках программы Министерства образования и науки Российской Федерации (ф 14.В25.31.0032), проекта 2.16 президиума РАН . - ISSN 0370-274X
Аннотация: При помощи ab initio расчетов определены параметры уравнений состояний стехиометрических и нестехиометрических фаз нитридов железа γ'-Fe4N, ε-Fe3N0.75, ε-Fe3N, ε-Fe3N1.25, ε-Fe3N1.5 в интервале давлений до 500 ГПа. Найдены точки резкого падения и исчезновения магнитного момента на атомах железа. Показано, что некоторые изменения магнитного момента сопровождаются изменением объема элементарной ячейки исследованных нитридов. Рассчитанные параметры уравнений состояния демонстрируют, что с увеличением содержания азота сжимаемость как магнитных, так и немагнитных нитридов железа закономерно уменьшается.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of γ′-Fe4N and ɛ-FexN iron nitrides at pressures up to 500 GPa [Текст] / Z. I. Popov [et al.] // JETP Letters. - 2015. - Vol. 101 Is. 6.- P.371-375

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Литасов, Константин Дмитриевич; Гаврюшкин, Павел Николаевич; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.
}
Найти похожие

Ab initio and empirical modeling of lithium atoms penetration into silicon / N. S. Mikhaleva [et al.] // Comput. Mater. Sci. - 2015. - Vol. 109. - P. 76-83, DOI 10.1016/j.commatsci.2015.06.024. - Cited References: 69. - The authors would like to thank the Institute of Computational Modeling SB RAS, Krasnoyarsk, Information Technology Centre Novosibirsk State University, for providing access to their computational resources. The reported study was supported by RFBR, research project No. 14-02-31071, 14-02-31309, 12-02-00640, by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project No. NSh-2886.2014.2), Increase Competitiveness Program of NUST "MISiS" (No. K2-2015-033). The authors also would like to thank Prof. Stephan Irle and L.R. Moskvina for fruitful discussions and helpful ideas. . - ISSN 0927-0256

РУБ Materials Science, Multidisciplinary
Рубрики:
LONG CYCLE LIFE
   CORE-LEVEL SPECTROSCOPY
   CARBON-COATED SILICON
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   ION BATTERIES
   MOLECULAR-DYNAMICS
   INTERATOMIC POTENTIALS
   ELECTRONIC-STRUCTURE
   CRYSTALLINE SILICON
   SI(100)2X1 SURFACE
Кл.слова (ненормированные):
Li-ion batteries -- Silicon -- Surface diffusion -- Li diffusion -- Density functional theory -- Molecular dynamics
Аннотация: A process of lithium atoms penetration into silicon (1 0 0) subsurface layers was investigated with the help of DFT method. It was shown that, while the concentration of lithium adatoms on reconstructed (1 0 0) silicon surface is low, the bonding energy of lithium atoms in the subsurface layers is smaller than the bonding energy on the surface, so lithium atoms are unlikely to migrate into the crystal. When the (1 0 0) silicon surface is covered by 2 layers of lithium, migration into the subsurface layer becomes favorable. In addition to this, the reconstruction of the surface changes to the form with symmetric dimers as the concentration increases. Thus, all possible lithium migration paths become energy-wise equal, so the rate of lithium atom transfer into silicon crystal rises. In addition to the ab initio calculations, an ad-hoc empirical interatomic potential was developed and the kinetics of lithium diffusion into silicon were studied. It was shown that lithium penetration proceeds in a layer-by-layer way with a sharp border between undoped and lithiated silicon. This is accounted for the fact that, once a tetrahedral interstice is occupied by a lithium atom, the migration barriers between the adjacent interstices become lower and the rate of diffusion increases. © 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
L.V. Kirensky Institute of Physics SB RAS, 50 bld. 38 Akademgorodok, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, 79 Svobodny pr., Krasnoyarsk, Russian Federation
National University of Science and Technology MISiS, 4 Leninskiy pr., Moscow, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Mikhaleva, N. S.; Михалева, Наталья Сергеевна; Visotin, M. A.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович
}
Найти похожие

10.

Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии / С. А. Лященко [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2015. - Т. 147, Вып. 5. - С. 1023–1031, DOI 10.7868/S004445101505016X. - Библиогр.: 31. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (Государственное задание № 16.663.2014К, Соглашение № 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002) и Договор 02.G25.31.0043), в рамках программы поддержки ведущих научных школ (проект НШ-2886.2014.2) и РФФИ (гранты №№ 13-02-01265, 14-02-31309). . - ISSN 0044-4510
Аннотация: Исследованы оптические, магнитооптические и магнитные свойства поликристаллической Fe5Si3/SiO2/Si(100) и эпитаксиальной Fe3Si/Si(111) пленок методом спектральной магнитоэллипсометрии. Методом многоугловой спектральной эллипсометрии измерена дисперсия комплексного коэффициента преломления пленки Fe5Si3 в диапазоне 250-1000 нм. Определены дисперсии комплексных магнитооптических параметров Фохта Q для Fe5Si3 и Fe3Si в диапазоне 1.6-4.9 эВ. Спектральная зависимость магнитного кругового дихроизма для обоих силицидов выявила наличие серий резонансных пиков. Энергии обнаруженных пиков соответствуют межзонным переходам электронов для рассчитанных из первых принципов спин-поляризованных плотностей электронных состояний (DOS) объемных кристаллов Fe5Si3 и Fe3Si.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Analysis of optical and magnetooptical spectra of Fe5Si3 and Fe3Si magnetic silicides using spectral magnetoellipsometry [Текст] / S. A. Lyashchenko [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 120 Is. 5.- P.886-893

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Попов, Евгений Александрович; Popov E. A.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Шамирзаев, T. C.; Латышев, А. В.; Саранин, А. А.
}
Найти похожие