Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Литасов, Константин Дмитриевич, Шацкий А. Ф., Овчинников, Сергей Геннадьевич, Попов, Захар Иванович, Пономарев Д. С., Отани Е.
Заглавие : Фазовые превращения нитридов железа Fe3N–Fe4N при давлении до 30 ГПа, исследованные методом in situ рентгеновской дифрактометрии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 98, Вып. 11-12. - С. 907-911. - ISSN 0370-274X, DOI 10.7868/S0370274X13240090
Примечания : Библиогр.: 23 назв. - Исследование выполнено при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (соглашения # 14.B37.21.1261 и 14.В25.31.0032), а также при частичной поддержке интеграционного проекта СО РАН #97 на 2012—2014 гг. Эксперименты проводились в рамках сотрудничества между Институтом геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН и Университетом Тохоку по программе GCOE "Advanced Science and Technology Center for the Dynamic Earth".
Аннотация: В работе определены параметры ɛ-Fe3Nx (где x = 0.8), стабильность нитрида в системе Fe–N при давлениях до 30 ГПа и температурах до 1273 К. В результате приближения P−V−T - данных с помощью уравнения состояния Винэ и термических параметров в рамках подхода Ми-Грюнайзена-Дебая найдены следующие величины для ɛ-Fe3N0.8: V0 = 81.48(2)Å[[p]]3[[/p]], KT = 162(3) ГПА, KT = 4.0 = 1.66(2), ɣ0 = 555 К и q = 1. Аномального изменения объема ячейки в связи с возможными магнитными переходами не обнаружено. Установлена нестабильность Fe4N при высоком давлени и Fe3N в условиях дефицита азота в системе. При этом в интервале температур 300–673 К и давлений 20–30 ГПа стабильной фазой вместо ɛ-Fe3N0.8 становится как раз ɛ-Fe3N.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Сержантова, Мария Викторовна, Денисов, Виктор Михайлович, Томилин, Феликс Николаевич
Заглавие : Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736. - DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Попов, Захар Иванович, Литасов, Константин Дмитриевич, Гаврюшкин, Павел Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Федоров, Александр Семенович
Заглавие : Теоретическое исследование нитридов железа γ'-Fe4N и ε-FexN при давлениях до 500 ГПа
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Наука, 2015. - Т. 101, Вып. 5-6. - С. 405-409. - ISSN 0370-274X, DOI 10.7868/S0370274X15060028
Примечания : Библиогр.: 27. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект #14-17-00601), грантов Президента РФ для молодых ученых MD- 500.2013.5, НШ-2886.2014.2, в рамках программы Министерства образования и науки Российской Федерации (ф 14.В25.31.0032), проекта 2.16 президиума РАН
Аннотация: При помощи ab initio расчетов определены параметры уравнений состояний стехиометрических и нестехиометрических фаз нитридов железа γ'-Fe4N, ε-Fe3N0.75, ε-Fe3N, ε-Fe3N1.25, ε-Fe3N1.5 в интервале давлений до 500 ГПа. Найдены точки резкого падения и исчезновения магнитного момента на атомах железа. Показано, что некоторые изменения магнитного момента сопровождаются изменением объема элементарной ячейки исследованных нитридов. Рассчитанные параметры уравнений состояния демонстрируют, что с увеличением содержания азота сжимаемость как магнитных, так и немагнитных нитридов железа закономерно уменьшается.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163. - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Наука, 2012. - Т. 95, Вып. 3-4. - С. 159-163. - ISSN 0370-274X
Примечания : Библиогр.: 26 назв. - Работа была поддержана Федеральной целевой программой "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы". Авторы выражают благодарность Институту компьютерного моделирования СО РАН, Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, а также компьютерному центру Сибирского федерального университета за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых и были произведены все расчеты.
ГРНТИ : 29.19.17
Предметные рубрики: SJB
SJR
SJF
SJH
Аннотация: Методом аb initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. С использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Михалева Н. С., Кузубов, Александр Александрович, Попов, Захар Иванович, Еремина А. Д., Высотин, Максим Александрович
Заглавие : Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 55
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--dft--diffusion--lithium--silicon
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г5
Автор(ы) : Попов, Захар Иванович
Заглавие : Теоретическое исследование материалов для сорбции водорода и лития : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск: ИФ СО РАН, 2013
Колич.характеристики :22 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 31.15.35 + 44.31.39 + 31.01.77
Предметные рубрики: Водород, аккумулирование-- Теоретическая химия-- Автоматизация расчетов
энергетика водородная-- источники-- исследование
Смотреть автореферат
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г5/П 58 рукописный текст
Автор(ы) : Попов, Захар Иванович
Заглавие : Теоретическое исследование материалов для сорбции водорода и лития : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2013
Колич.характеристики :106 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 152 назв.
ГРНТИ : 31.15.35 + 44.31.39 + 31.01.77
ББК : Г583я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Федоров Д. А., Попов, Захар Иванович, Ананьева Ю. Е., Елисеева Н. С., Кузубов, Александр Александрович
Заглавие : Подвижность вакансии при деформации и их влияние на упругие свойства графена
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, № 5. - С. 938-942. - ISSN 0044-4510
Аннотация: Методом ab initio в рамках формализма функционала плотности проведено исследование влияния изолированных вакансий на упругие свойства листа графена. Обнаружена почти линейная отрицательная зависимость модулей Юнга от концентрации вакансий. Рассчитана зависимость высоты потенциальных барьеров для движения вакансий в различных направлениях от величины различных независимых приложенных деформаций. На основе теории переходного состояния вычислены зависимости скорости движения вакансий от приложенных деформаций при различных температурах.
РИНЦ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Литасов, Константин Дмитриевич, Попов, Захар Иванович, Гаврюшкин, Павел Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Федоров, Александр Семенович
Заглавие : Первопринципные расчеты уравнений состояния и относительной стабильности карбидов железа при давлениях ядра земли
Место публикации : Геол. и геофиз. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2015. - Т. 56, № 1-2. - С. 214-223. - ISSN 0016-7886, DOI 10.15372/GiG20150110
Примечания : Библиогр.: 50. - Исследование выполнено при поддержке Российского научного фонда (грант 14-17-00601), гранта Президента РФ для молодых ученых MD-500.2013.5 и проводилось в рамках проекта Министерства образования и науки РФ (№ 14.B25.31.0032). Работа З. Попова и С. Овчинникова частично поддержана грантом научных школ (№ НШ-2886.2014.2).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид железа--ядро земли--первопринципные расчеты (или квантово-химический)--плотность--модуль сжатия--магнитный момент
Аннотация: Недавние экспериментальные исследования показали предпочтительную устойчивость Fe 3C при параметрах ядра Земли по отношению к Fe 7C 3. Теоретический расчет при 0 К, в свою очередь, показывает возможную стабильность карбида Fe 2C при давлениях ядра Земли. В связи с этим было проведено теоретическое моделирование карбидов железа при давлениях до 500 ГПа. Установлены давления магнитных переходов и энергетически устойчивые фазы при 0 К. Для карбидов Fe 7C 3 и Fe 3C параметры магнитных переходов согласуются с предыдущими данными. Фазовый переход в карбиде Fe 2C от пространственной группы Pnnm к Pnma определен при давлении 28 ГПа. Выше давления 100 ГПа у Fe 2C будет наблюдаться исчезновение магнитного момента. При допущении, что углерод является единственным легким элементом в системе, данные первопринципных расчетов показывают содержание углерода 2.7-2.9 и 2.0-2.2 мас. % при 5000 и 7000 К соответственно на границе внутреннего ядра.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания :
Автор(ы) : Орешонков, Александр Сергеевич, Попов, Захар Иванович
Заглавие : DFT-моделирование спектров КРС монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O)
Коллективы : Сибирский федеральный университет, Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Всероссийская научная конференция с международным участием "Енисейская фотоника-2022", "Енисейская фотоника", Всероссийская научная конференция с международным участием
Место публикации : Енисейская фотоника-2022: тезисы докладов : в 2-х т./ Сиб. федер. ун-т [и др.]. - Красноярск, 2022. - Т. 1, Секция 1: Новые оптические материалы. - С. 89. - ISBN 978-5-6045250-1-2
Примечания : Библиогр.: 2
Аннотация: В работе выполнено численное моделирование спектров комбинационного рассеяния света монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O). Валидность используемого подхода подтверждена путём сравнения полученных спектров с имеющимися экспериментальными данными. Проанализированы как графеноподобные 1H и 1T фазы, так и монослои со структурами 1Tʹ, 1Hʹ, 1Aʹ и 1S.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Орешонков, Александр Сергеевич, Суханова Е. В., Попов, Захар Иванович
Заглавие : DFT моделирование спектров КРС монослойных дихалькогенидов молибдена со структурой типа «Янус»
Коллективы : "Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований", Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света, Школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света (с участием иностранных ученых), Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Место публикации : Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований: тезисы докл./ сопредс. конф. В. Ф. Шабанов, зам. предс. конф., чл. орг. ком. А. Н. Втюрин, чл. орг. ком. А. С. Крылов, чл. орг. ком. С. Н. Крылова. - Новосибирск, 2023. - С. 58. - DOI 10.34077/SCATTERING95-58
Примечания : Библиогр.: 3. - РНФ №21-73-20183
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тарасов, Иван Анатольевич, Попов, Захар Иванович, Варнаков, Сергей Николаевич, Молокеев, Максим Сергеевич, Федоров, Александр Семенович, Яковлев, Иван Александрович, Федоров, Дмитрий Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Оптические свойства эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si/Si(111)
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99, Вып. 10. - С. 651-655. - DOI 10.7868/S0370274X14100026
Примечания : Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты # 13-02-01265, 14-02-31309), гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-2886.2014.2), Министерства образования и науки Российской Федерации (госконтракт # 02.G25.31.0043) и программы президиума РАН # 24.34
Аннотация: Методом спектральной эллипсометрии измерена дисперсия диэлектрической проницаемости \varepsilon эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si толщиной 27 нм в области энергий E=(1.16-4.96) эВ. Результаты сравниваются с дисперсией диэлектрической проницаемости, вычисленной в рамках метода функционала плотности с аппроксимацией GGA-PBE. Рассчитаны электронная структура Fe3Si и плотность электронных состояний (DOS). Анализ частот теоретически рассчитанных оптических переходов между пиками DOS дает качественное согласие с экспериментально измеренными пиками поглощения. Анализ данных одноволновой лазерной эллипсометрии, полученных в процессе синтеза пленки, показывает, что формирование сплошного слоя пленки силицида железа Fe3Si происходит при достижении ее толщиной в 5 нм.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Лященко, Сергей Александрович, Попов, Захар Иванович, Варнаков, Сергей Николаевич, Молокеев, Максим Сергеевич, Яковлев, Иван Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Магнитооптические свойства плёнок Fe3Si/Si(111) и Fe5Si3/SiO2/Si(001)
Коллективы : Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская Международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VI Байкал. междунар. конф. BICMM-2014. - Иркутск, 2014. - С. 141. - ISBN 978-5-9624-1024-1
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ковалева, Евгения Андреевна, Кузубов, Александр Александрович, Куклин, Артем Валентинович, Михалев, Юрий Глебович, Popov Z. I.
Заглавие : Квантово-химическое исследование атомной и электронной структуры интерфейсов LSMO с углеродными нанотрубками различной хиральности
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 729-734. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 31. - Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант No 16.1500.2014/K). Авторы выражают благодарность Институту вычислительного моделирования СО РАН, г. Красноярск; Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, г. Москва; Центру коллективного пользования СФУ, г. Красноярск; а также Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН, г. Новосибирск, за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): углеродные нанотрубки--спиновая поляризация--спинтроника--lsmo--gga+u--carbon nanotubes--spin polarization--spintronics
Аннотация: Замещенные манганиты лантана с общей формулой La1-xSrxMnO3 (LSMO) являются перспективными материалами спинтроники и спинкалоритроники, что обусловлено практически стопроцентной спиновой поляризацией данных материалов. На основе интерфейсов LSMO-графен были созданы высокоэффективные органические светодиоды (ОLED) и спиновые клапаны. Многостенные углеродные нанотрубки, соединяющие электроды на основе La0,7Sr0,3MnO3, являющегося полуметаллом, демонстрируют высокое магнитное сопротивление, большое время жизни ориентированного спина, высокую скорость Ферми. Полученные экспериментальные результаты подтверждаются также данными квантово-химических расчетов. Тем не менее интерфейсы замещенных манганитов лантана с углеродными нанотрубками в настоящее время изучены недостаточно. В ходе квантово-химического исследования взаимодействия углеродных нанотрубок различной хиральности с поверхностью замещенного манганита лантана La0,67Sr0,33MnO3 при помощи теории функционала плотности в обобщенно-градиентном приближении с использованием поправки Хаббарда и коррекции вандерваальсова взаимодействия рассмотрены различные варианты расположения нанотрубок относительно атомов пластины. Рассмотрены нанотрубки как конфигурации «зигзаг» (хиральности (9,0)), так и конфигурации «кресло» (хиральности (5,5)). Построены парциальные плотности состояний атомов нанотрубок, исследовано влияние подложки на электронную структуру нанотрубок, а также возможность применения исследуемых нанокомпозитов в устройствах спинтроники. Показано, что при взаимодействии углеродных нанотрубок с поверхностью LSMO (001) вследствие несовпадения структурных параметров наблюдается деформация нанотрубок по сравнению с исходной структурой. Нанотрубка хиральности (9,0) после взаимодействия с пластиной оказывается сжатой примерно на 9 %, в то время как нанотрубка хиральности (5,5) растягивается примерно на 5 %. Установлено, что указанная деформация приводит к значительному изменению электронной структуры нанотрубок и смещению уровня Ферми. Однако несмотря на то, что композиты в целом оказываются практически полностью спин-поляризованными, данный эффект обусловлен присутствием LSMO в составе системы, в то время как различия в заселенности разных спиновых подсистем для нанотрубок практически отсутствуют.Complex half-metallic manganites La1-xSrxMnO3 (LSMO) are promising materials for spintronic and spicaloritronic applications due to 100 % of spin polarization. Using spin-polarized currents through LSMO-graphene interfaces a number of LSMO-based high-efficiency organic LED and spin-valve nanodevices have been developed. Large magnetoresistance effects bonded with large output signals were detected in a nanodevice. The device of multiwall carbon nanotube that spans a gap between spin-polarized half-metallic La0.7Sr0.3MnO3 electrodes demonstrated long spin lifetime and high Fermi velocity in the nanotube, the high spin polarization of the manganite electrodes and the resistance of the interfacial barrier for spin injection. The experimental results were supported by density functional theory calculations. Interfaces of La0,67Sr0,33MnO3 with armchair and zigzag carbon nanotubes (CNT) were studied by means of quantum chemistry within density functional theory. All calculations were performed using generalized gradient approximation with Hubbard correction (GGA+U) and Grimme correction of dispersion interaction. Different configurations of composite compartments mutual arrangement were considered. The analysis of partial densities of states (PDOS) reveals the influence of substrate on nanotube’s electronic structure. The possibility of nanotubes’ spin polarization and utilization of such nanocomposites in spintronics is also discussed. It was found that interaction between carbon nanotubes and LSMO slab lead to major deformation of the tube due to the difference in structural parameters of composite compartments. Zigzag (9,0) nanotube is contracted by 9% while armchair (5,5) nanotube is stretched by 5 %. Although this deformation results in significant change in nanotube’s electronic structure, there is no visible difference between spin-up and spin-down PDOSes of the tubes. Composites are then almost totally spin-polarized due to the presence of LSMO.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Варнаков, Сергей Николаевич, Яковлев, Иван Александрович, Лященко, Сергей Александрович, Тарасов, Иван Анатольевич, Попов, Захар Иванович, Молокеев, Максим Сергеевич, Беляев, Борис Афанасьевич, Жарков, Сергей Михайлович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Исследование структурных, оптических и магнитооптических свойств магнитных силицидов Fe3Si и Fe5Si3
Коллективы : "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум
Место публикации : Нанофизика и наноэлектроника: Труды XIX междунар. симп. - 2015. - Т. 1. - С. 142-143
Примечания : Библиогр.: 13 назв.
Аннотация: Методом многоугловой спектральной эллипсометрии экспериментально измерена дисперсия комплексного коэффициента преломления плёнок Fe5Si3 и Fe3Si в диапазоне 250–1000 нм. Показано, что энергии обнаруженных пиков соответствуют межзонным переходам электронов для рассчитанных из первых принципов спин-поляризованных плотностей электронных состояний (DOS) для объёмных Fe5Si3 и Fe3Si.
Материалы симпозиума
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лященко, Сергей Александрович, Попов, Захар Иванович, Варнаков, Сергей Николаевич, Попов, Евгений Александрович, Молокеев, Максим Сергеевич, Яковлев, Иван Александрович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Шамирзаев T. C., Латышев А. В., Саранин А. А.
Заглавие : Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии
Место публикации : Журн. эксперим. и теор. физ.: Наука, 2015. - Т. 147, Вып. 5. - С. 1023–1031. - ISSN 0044-4510, DOI 10.7868/S004445101505016X
Примечания : Библиогр.: 31. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (Государственное задание № 16.663.2014К, Соглашение № 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002) и Договор 02.G25.31.0043), в рамках программы поддержки ведущих научных школ (проект НШ-2886.2014.2) и РФФИ (гранты №№ 13-02-01265, 14-02-31309).
Аннотация: Исследованы оптические, магнитооптические и магнитные свойства поликристаллической Fe5Si3/SiO2/Si(100) и эпитаксиальной Fe3Si/Si(111) пленок методом спектральной магнитоэллипсометрии. Методом многоугловой спектральной эллипсометрии измерена дисперсия комплексного коэффициента преломления пленки Fe5Si3 в диапазоне 250-1000 нм. Определены дисперсии комплексных магнитооптических параметров Фохта Q для Fe5Si3 и Fe3Si в диапазоне 1.6-4.9 эВ. Спектральная зависимость магнитного кругового дихроизма для обоих силицидов выявила наличие серий резонансных пиков. Энергии обнаруженных пиков соответствуют межзонным переходам электронов для рассчитанных из первых принципов спин-поляризованных плотностей электронных состояний (DOS) объемных кристаллов Fe5Si3 и Fe3Si.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна
Заглавие : Исследование влияния концентрации лития на скорость диффузии в кристаллическом кремнии
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 2. - С. 225-228
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Чурилов, Григорий Николаевич, Черепахин, Александр Владимирович, Осипова, Ирина Владимировна, Томашевич, Евгений Владимирович, Глущенко, Гарий Анатольевич, Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Булина П. В., Верещагин С. П., Жижаев, Анатолий Михайлович
Заглавие : Гидрирование нанодисперсных порошков, образующихся в потоке углеродно-гелиевой плазмы при введении Ni и Mg
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - Москва: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука, 2011. - Т. 140, № 6. - С. 1211-1217. - ISSN 0044-4510
Аннотация: Представлены как теоретические, так и экспериментальные исследования композитных наночастиц, состоящих из магния, никеля и углерода. Расчеты, выполненные в рамках теории формализма функционала плотности, показали, что частота перескоков атомов водорода внутри гидрида магния, содержащего никель, вблизи примесных атомов никеля существенно возрастает, в связи с чем увеличивается скорость абсорбции водорода магнием. Также показано, что никель на поверхности магния адсорбируется по механизму островкового роста. Экспериментально с помощью плазмохимического синтеза в потоке углеродно-гелиевой плазмы были получены композитные порошки составов: Mg-C, Ni-C, Mg-Ni-C. Водород вводился в камеру в процессе синтеза. Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и термогравиметрического анализа было показано, что из трех рассмотренных композитов только Mg-Ni-C содержал магний в соединении Mgllj. Процесс такого «сверхбыстрого» гидрирования магния, происходящий за время образования наночастиц композита, можно объяснить каталитическим действием никеля, которое усиливается высокой температурой. В работе приведены фотографии, полученные на растровом электронном микроскопе, которые позволяют наблюдать динамику процесса дегидрирования частиц композита Mg-Ni-C при нагреве электронным пучком.
РИНЦ
Найти похожие