Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Юшков, Василий Иванович$<.>)
Общее количество найденных документов : 48
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-48 
1.


   
    Co/Pt multilayer structures on he crystal MgO and Si substrate as a media for perpendicular magnetic recording [Text] / P. D. Kim, I. A. Turpanov, S. V. Stolyar [et al.] // The Physics of Metals and Metallography. - 2006. - Vol. 102, Suppl. 1. - P. S83-S85DOI 10.1134/S0031918X06140213. - Библиогр.: 6
Аннотация: In this work, the crystal structure and hysteretic magnetic properties of equiatomic single-crystal CoPt/MgO films prepared by magnetron sputtering and their modifications after heat treatment are studied. A perpendicular magnetic anisotropy is obtained in annealed films in a film thickness range of 2 d≤16 nm. The correlation between the magnitude of magnetocrystalline anisotropy constant of CoPt films and the order parameter of the L10 superstructure of these alloys is ascertained. The influence of the single-crystal MgO substrate on the structure and magnetic properties of the films of equiatomic CoPt alloys is also investigated.

Читать в сети ИФ,
Смотреть статью
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036 Russia
Krasnoyarsk State University, Krasnoyarsk, 660041 Russia

Доп.точки доступа:
Kim, P. D.; Ким, Петр Дементьевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Stolyar, S. V.; Столяр, Сергей Викторович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Khalyapin, D. L.
Свободных экз. нет}
Найти похожие
2.


   
    Combined method of removing the natural oxide silicon / A. V. Kobyakov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P11.3. - P. 535 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
surface -- oxides -- high-frequency plasma


Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие
3.


   
    Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure / G. S. Patrin [et al.] // JETP Letters. - 2019. - Vol. 109, Is. 5. - P. 320-324, DOI 10.1134/S0021364019050126. - Cited References: 26. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 18-02-00161-a). . - ISSN 0021-3640. - ISSN 1090-6487
Рубрики:
MEDIA
Аннотация: Films consisting of a hard magnetic ferromagnet CoNi and a soft magnetic ferromagnet FeNi interacting through a nonmagnetic Si semiconductor spacer are experimentally studied. The temperature and field dependences of the magnetic properties of film structures with different silicon thicknesses are examined. It is found that the multilayer structure has the properties inherent in magnetic springs and exhibits positive exchange bias as a function of the silicon thickness.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi [Текст] / Г. С. Патрин [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 109 Вып. 5-6. - С. 325-330

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Patrin, K. G.; Yurkin, G. Yu.; Zhivaya, Ya A.; Russian Foundation for Basic Research [18-02-00161-a]
}
Найти похожие
4.


   
    Influence of a thin V2O3 spacer on interlayer interactions in Fe-Ni/V2O3/FeNi film structures / G. S. Patrin, A. V. Kobyakov, V. I. Yushkov [et al.] // Processes. - 2023. - Vol. 11, Is. 7. - Ст. 2084, DOI 10.3390/pr11072084. - Cited References: 25. - The research was conducted according to the state assignment of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation and the Federal State Autonomous Educational Institution of Higher Education Siberian Federal University (No. FSRZ-2023-0008) . - ISSN 2227-9717
   Перевод заглавия: Влияние тонкой прослойки V2O3 на межслоевое взаимодействие в пленочной структуре FeNi/V2O3/FeNi
Кл.слова (ненормированные):
ferromagnetic -- vanadium oxide -- interface anisotropy
Аннотация: In this paper, we explore the suggestions of the results of experimental studies on low-dimensional layered systems in FeNi/V2O3/FeNi film structures. The multifunctional material V2O3 is used as an interlayer between the magnetically active FeNi layers. The films were obtained by ultrahigh vacuum magnetron sputtering on a glass substrate with a base size of 10−10 Torr. It has been found that for V2O3 films, the decrease in the metal–semiconductor transition temperature increases significantly. Magnetic characteristics were studied on the MPMS-XL SQUID magnetometer. The exchange effect occurs both in the region where the oxide has a magnetic order and in the paramagnetic region. The latter is due to the effect of the magnetic panel in the oxide package. The phenomenon of oscillation of the exchange field occurs depending on the phenomenon of intermediate observation observed experimentally.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, 79 Svobodny Pr., 660041 Krasnoyarsk, Russia
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC Siberian Branch Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, Building 38, 660036 Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Anisimov, I. O.; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Semenov, S. V.; Семёнов, Сергей Васильевич; Moiseenko, Evgeniy T.
}
Найти похожие
5.


   
    Interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayers / A. V. Kobyakov [et al.] // Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P. 273-276, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.273 . - ISSN 1012-0394
Кл.слова (ненормированные):
electron magnetic resonance -- interlayer coupling -- magnetization -- magnetoresistance -- semiconductor spacer -- trilayer films -- electric resistance -- magnetic field effects -- magnetization -- magnetoelectronics -- magnetoresistance -- magnetic resonance -- magnetism -- magnetization -- magnetoresistance -- electron magnetic resonance -- exchange constants -- interlayer coupling -- semiconductor spacer -- squid magnetometry -- temperature dependent -- trilayer film -- trilayers -- magnetic resonance -- cobalt
Аннотация: The interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayer films has been experimentally studied by the SQUID magnetometry and electron magnetic resonance. It has been found that the interlayer coupling is temperature-dependent. The values of the exchange constants have been determined.

Scopus,
eLibrary,
eLibrary
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Li, L. A.; Ли, Людмила Алексеевна; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Petrakovskaya, E. A.; Петраковская, Элеонора Анатольевна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg)
}
Найти похожие
6.


   
    Magnetic and electric properties of trilayer Co/Ge/Co films / Patrin G.S., Turpanov I.A. [и др.] // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2008) : June 20-25, 2008, Moscow : book of abstract. - 2008. - Ст. 22PO-8-33. - p. 286-287. - The current investigations are being undertaken at financial support of the Russian Foundation for Basic Research (Grant No. 08-02-00937-a)

Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Moscow International Symposium on Magnetism(4 ; 2008 ; Jun. ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Российский фонд фундаментальных исследований
}
Найти похожие
7.


   
    Magnetic and electrical properties of Co/Ge bilayer films / G. S. Patrin [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 348-351, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.348. - Cited References: 8 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Bilayer structure ferromagnetic metal/semiconductor -- Cobalt -- Coercivity -- Germanium interface -- Magnetization -- Magnetoresistance -- Schottky barrier
Аннотация: The magnetic and electrical properties of Co/Ge bilayer films are experimentally studied. It is established that at the Co/Ge interface an intermediate magnetic layer forms. This layer affects the magnetic behavior and magnetoresistive effect in the investigated structures. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.


Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Alekseichik, E. A.; Алексейчик, Е. А.; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
8.


   
    Magnetic and electrical properties of Ge/Co bilayer films / G. S. Patrin [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2014. - Vol. 78, Is. 1. - P. 26-28, DOI 10.3103/S1062873814010134. - Cited References: 6 . - ISSN 1062-8738
Аннотация: We present the results from experimental studies of the magnetic and electrical properties of doublelayered films in a cobalt-germanium system. An intermediate magnetic layer was found to form at the interface and effect the films-magnetic behavior and magnetoresistive effect. © 2014 Allerton Press, Inc.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Магнитные и электрические свойства двухслойных пленок Ge/Go [Текст] / Г. С. Патрин [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2014. - Т. 78 № 1. - С. 46-48

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Alekseichik, E. A.; Алексейчик, Е. А.; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич
}
Найти похожие
9.


   
    Magnetic and magnetoresistance properties of (Co/Ge)n films / K. G. Patrin [et al.] // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-24. - P. 557 . - ISBN 978-5-91978-025-0

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Marushchenko, E. A.; Марущенко, Е. А.; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Maltsev, V. K.; Мальцев, Вадим Константинович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
}
Найти похожие
10.


   
    Magnetic and magnetoresistance properties of (Co/Ge)n films / G. S. Patrin [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2015. - Vol. 233-234: Achievements in Magnetism. - P. 423-426, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.233-234.423 . - ISSN 1662-9779. - ISSN 978-3-038
   Перевод заглавия: Магнитные и магниторезистивные свойства (Co/Ge)_n пленок
Рубрики:
Achievements in magnetism
   Spintronics and magnetotransport

Кл.слова (ненормированные):
bilayer structure magnetization -- cobalt -- coercivity -- ferromagnetic metal/semiconductor films -- germanium interface -- magnetoresistance -- schottky barrier
Аннотация: The magnetic and electrical properties of (Co/Ge)nfilms are experimentally studied. It is established that at the Co/Ge interfacean intermediate magnetic layer forms. Twophases of cobalt, one is a face-centered cubic phase and the other ispresumably a Co–Ge alloy with a weakly ferromagnetic order, have been found toexist. A “dead” layer no more than 2 nm in thickness is formed at the interface.This layer affects the magnetic behavior andmagnetoresistive effect in the investigated structures.

Смотреть статью,
Материалы конференции,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Perov, N. \ed.\; Semisalova, A. \ed.\; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Marushchenko, E. A.; Марущенко, Е. А.; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Maltsev, V. K.; Мальцев, Вадим Константинович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
}
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-48 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)