Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Юшков, Василий Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 48
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-48

    The role of the semiconductor layer in the exchange-bias film structure of CoNi / Si / FeNi / Si with a spin spring effect / A. V. Kobyakov [et al.] // J. Phys. Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1389, Is. 1. - Ст. 012028, DOI 10.1088/1742-6596/1389/1/012028. - Cited References: 13. - These studies are conducted with financial support from the Russian Foundation for Basic Research (grant No.18-02-00161-a). . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596
   Перевод заглавия: Роль полупроводникового слоя в структуре пленок обменного смещения CoNi / Si / FeNi / Si с эффектом спиновой пружины
Аннотация: CoNi / Si / FeNi / Si structures were synthesized by ion-plasma sputtering. A negative hysteresis loop bias was detected at the thickness of the silicon layer was less than 2 nm and the temperature was less than 100 K. A positive hysteresis loop bias was detected at the thickness of the silicon layer was more than 2 nm and the temperature greater than 100K.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
Scopus,
WOS
Держатели документа:
Siberian Federal University, prospect Svobodny, 79, Krasnoyarsk, 660041, Russia
L.V. Kirensky Institute of Physics of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Yarikov, S. A.; Яриков, Станислав Алексеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zhivaya, Ya. A.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
}
Найти похожие

The influence of the semiconductor layer on the magnetic properties in a three-layer structure CoNi/Si/FeNi / A. V. Kobyakov [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. C.P30. - P. 319. - Cited References: 2. - These studies are conducted with financial support from the Russian Foundation for Basic Research (grant # 18-02-00161-a) . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, prospect Svobodny, 79, Krasnoyarsk, 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Yarikov, S. A.; Яриков, Станислав Алексеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zhivaya, Ya. A.; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Описание полезной модели к патенту 198976 Российская Федерация

Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления / изобр. : В. И. Юшков [и др.]. - № 2020109637 ; Заявл. 04.03.2020 ; Опубл. 05.08.2020 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 22
Аннотация: Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления относится к элементам внутрикамерных устройств и может быть использован при нанесении металлических и полупроводниковых пленок для покрытия деталей, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической промышленностей. Устройство позволяет увеличивать количество образцов без механического вмешательства в «тело» образца. Техническим результатом полезной модели является рост производительности и качества напыляемых образцов, который достигается тем, что в съемном контейнере для подложкодержателя установки вакуумного напыления, состоящем из основания с ячейками для образцов и системы фиксации, новым является то, что содержит кольцо фиксации подложек по внешнему краю и шайбу для крепления по внутреннему, при этом ячейки для расположения образцов выполнены в теле основания в виде двухуровневого углубления, нижний уровень которого по размерам меньше верхнего. Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления позволяет максимально быстро производить загрузку-выгрузку образцов, сокращая время их пребывания на воздухе, что значительно повышает качество получаемых материалов, а простота конструкции способствует росту производительности процесса напыления.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayers / A. V. Kobyakov [et al.] // Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P. 273-276, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.273 . - ISSN 1012-0394
Кл.слова (ненормированные):
electron magnetic resonance -- interlayer coupling -- magnetization -- magnetoresistance -- semiconductor spacer -- trilayer films -- electric resistance -- magnetic field effects -- magnetization -- magnetoelectronics -- magnetoresistance -- magnetic resonance -- magnetism -- magnetization -- magnetoresistance -- electron magnetic resonance -- exchange constants -- interlayer coupling -- semiconductor spacer -- squid magnetometry -- temperature dependent -- trilayer film -- trilayers -- magnetic resonance -- cobalt
Аннотация: The interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayer films has been experimentally studied by the SQUID magnetometry and electron magnetic resonance. It has been found that the interlayer coupling is temperature-dependent. The values of the exchange constants have been determined.

Scopus,
eLibrary,
eLibrary
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Li, L. A.; Ли, Людмила Алексеевна; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Petrakovskaya, E. A.; Петраковская, Элеонора Анатольевна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg)
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2754147 Российская Федерация

Подвижная заслонка для формирования тонких пленок переменной толщины, получаемых методом вакуумного напыления / В. И. Юшков, Г. С. Патрин, А. В. Кобяков, И. А. Турпанов. - № 2020124770 ; Заявл. 16.07.2020 ; Опубл. 30.08.2021 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 25
Аннотация: Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано при нанесении металлических и полупроводниковых пленок для покрытия деталей, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической промышленности. Подвижная заслонка для формирования тонких пленок переменной толщины в установках вакуумного напыления, снабженных узлом ввода механизма движения подвижной заслонки и контроля скорости её перемещения внутри вакуумной камеры, содержит корпус, направляющие полозья движения корпуса, регулируемый нож 2 и калибровочную вставку. Корпус выполнен с отверстиями, одно из которых предназначено для крепления пружины обратного движения, а второе - для крепления троса прямой тяги. В корпусе также проточены два сквозных соприкасающихся окна. Окно 13 предназначено для постепенного открывания поверхности подложки в процессе движения заслонки. Окно 14 предназначено для поддержания в постоянно открытом положении поверхности «свидетеля». Изобретение позволяет получить образец с переменной толщиной слоёв, что исключает необходимость многократного напыления образцов с одинаковыми составами, но с разной толщиной слоёв. 6 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Сибирский федеральный университет; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2691357 Российская Федерация

Устройство для ионно-плазменного напыления / В. И. Юшков [и др.]. - № 2018125087 ; Заявл. 09.07.2018 ; Опубл. 11.06.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 17
Аннотация: Изобретение относится к области нанесения металлических и полупроводниковых пленок в вакууме поочередным или одновременным распылением наносимого материала и может быть использовано для покрытия деталей, используемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической отраслях промышленности. Устройство для ионно-плазменного напыления пленок содержит вакуумную камеру, в которой расположены анод, термокатод, мишень и подложкодержатель, и магнитную систему, расположенную снаружи вакуумной камеры и выполненную в виде колец Гельмгольца. Анод и термокатод размещены в отдельных нишах, при этом в открытом торце ниши термокатода установлен экран, имеющий узкое отверстие размером 80×15 мм, подложка расположена параллельно мишени и снабжена магнитоуправляемой заслонкой. Над мишенью установлен экран, оснащенный передвижной заслонкой. Мишень имеет систему охлаждения. Обеспечивается увеличение функциональных возможностей установки, что приводит к увеличению качества пленок, росту производительности, обеспечивает большую экономичность процесса, в том числе дает возможность в одном технологическом цикле напылять три различных материала как отдельными монослоями, так и их сплавами. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Структурные и магнитные свойства систем Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co / А. В. Кобяков [и др.] // Журн. техн. физ. - 2019. - Т. 89, Вып. 2. - С. 268-273, DOI 10.21883/JTF.2019.02.47082.198-18. - Библиогр.: 18. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 18-02-00161-а). . - ISSN 0044-4642
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты для системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co с буферным слоем из Al2O3, полученные методом ионно-плазменного распыления. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления ионно-плазменным методом распыления и скорости напыления ему предшествующих слоев. Показано, что метод получения буферных слоев позволяет значительно снизить шероховатость поверхности последующих слоев. Полученные буферные слои могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания гетероструктур с туннельными переходами.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Structural and Magnetic Properties of the Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co System [Текст] / A. V. Kobyakov [et al.] // Tech. Phys. - 2019. - Vol. 64 Is. 2.- P.236-241

Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Ачинский филиал Красноярского государственного аграрного университета, 662150 Ачинск, Красноярский край, Россия

Доп.точки доступа:
Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.
}
Найти похожие

Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure / G. S. Patrin [et al.] // JETP Letters. - 2019. - Vol. 109, Is. 5. - P. 320-324, DOI 10.1134/S0021364019050126. - Cited References: 26. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 18-02-00161-a). . - ISSN 0021-3640. - ISSN 1090-6487
Рубрики:
MEDIA
Аннотация: Films consisting of a hard magnetic ferromagnet CoNi and a soft magnetic ferromagnet FeNi interacting through a nonmagnetic Si semiconductor spacer are experimentally studied. The temperature and field dependences of the magnetic properties of film structures with different silicon thicknesses are examined. It is found that the multilayer structure has the properties inherent in magnetic springs and exhibits positive exchange bias as a function of the silicon thickness.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi [Текст] / Г. С. Патрин [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 109 Вып. 5-6. - С. 325-330

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Patrin, K. G.; Yurkin, G. Yu.; Zhivaya, Ya A.; Russian Foundation for Basic Research [18-02-00161-a]
}
Найти похожие

Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi / Г. С. Патрин [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 109, Вып. 5-6. - С. 325-330, DOI 10.1134/S0370274X19050084. - Библиогр.: 26. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант # 18-02-00161-а). . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований пленок в системе магнитожесткий ферромагнетик (CoNi) - магнитомягкий ферромагнетик (FeNi), взаимодействующих через немагнитную полупроводниковую прослойку кремния (Si). Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различными толщинами кремния. Обнаружено, что многослойная структура наряду со свойствами, присущими магнитным пружинам, проявляет эффект положительного обменного смещения, зависящим от толщины кремния.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure [Текст] / G. S. Patrin [et al.] // JETP Letters. - 2019. - Vol. 109 Is. 5.- P.320-324

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Турпанов, И. А.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Патрин, К. Г.; Юркин, Глеб Юрьевич; Yurkin G. Yu.; Живая, Я. А.
}
Найти похожие

10.

Получение, структура и магнитные свойства тонкопленочной системы AL2O3/GE-P/AL2O3/CO / А. В. Кобяков [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2019. - Т. 83, № 7. - С. 947-949, DOI 10.1134/S0367676519070226. - Библиогр.: 5 . - ISSN 0367-6765
Аннотация: В работе представлены экспериментальные результаты структурных и магнитных измерений для пленочной системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co. Структура получена методом ионно-плазменного распыления и перспективна в качестве туннельной гетероструктуры. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления и скорости напыления предшествующих слоев.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Synthesis, Structure, and Magnetic Properties of an Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co Thin-Film System [Текст] / A. V. Kobyakov [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2019. - Vol. 83 Is. 7.- P.864-865

Держатели документа:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Сибирский федеральный университет”, Красноярск, Россия
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики имени Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I. A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.
}
Найти похожие