Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Юшков, Василий Иванович$<.>)
Общее количество найденных документов : 48
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-48 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Kim P. D., Turpanov I. A., Stolyar S. V., Yushkov V. I., Khalyapin D. L.
Заглавие : Co/Pt multilayer structures on he crystal MgO and Si substrate as a media for perpendicular magnetic recording
Место публикации : The Physics of Metals and Metallography. - 2006. - Vol. 102, Suppl. 1. - P.S83-S85. - DOI 10.1134/S0031918X06140213
Примечания : Библиогр.: 6
Аннотация: In this work, the crystal structure and hysteretic magnetic properties of equiatomic single-crystal CoPt/MgO films prepared by magnetron sputtering and their modifications after heat treatment are studied. A perpendicular magnetic anisotropy is obtained in annealed films in a film thickness range of 2 d≤16 nm. The correlation between the magnitude of magnetocrystalline anisotropy constant of CoPt films and the order parameter of the L10 superstructure of these alloys is ascertained. The influence of the single-crystal MgO substrate on the structure and magnetic properties of the films of equiatomic CoPt alloys is also investigated.
Читать в сети ИФ,
Смотреть статью
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Kobyakov A. V., Yushkov V. I., Rautskii M. V., Volochaev M. N., Patrin G. S.
Заглавие : Combined method of removing the natural oxide silicon
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P11.3. - P.535. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): surface--oxides--high-frequency plasma
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Turpanov I. A., Yushkov V. I., Kobyakov A. V., Patrin K. G., Yurkin, G. Yu., Zhivaya, Ya A.
Заглавие : Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [18-02-00161-a]
Место публикации : JETP Letters. - 2019. - Vol. 109, Is. 5. - P.320-324. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364019050126. - ISSN 1090-6487(eISSN)
Примечания : Cited References: 26. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 18-02-00161-a).
Предметные рубрики: MEDIA
Аннотация: Films consisting of a hard magnetic ferromagnet CoNi and a soft magnetic ferromagnet FeNi interacting through a nonmagnetic Si semiconductor spacer are experimentally studied. The temperature and field dependences of the magnetic properties of film structures with different silicon thicknesses are examined. It is found that the multilayer structure has the properties inherent in magnetic springs and exhibits positive exchange bias as a function of the silicon thickness.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Kobyakov A. V., Yushkov V. I., Anisimov I. O., Zharkov S. M., Semenov S. V., Moiseenko, Evgeniy T.
Заглавие : Influence of a thin V2O3 spacer on interlayer interactions in Fe-Ni/V2O3/FeNi film structures
Колич.характеристики :10 с
Место публикации : Processes. - 2023. - Vol. 11, Is. 7. - Ст.2084. - ISSN 22279717 (eISSN), DOI 10.3390/pr11072084
Примечания : Cited References: 25. - The research was conducted according to the state assignment of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation and the Federal State Autonomous Educational Institution of Higher Education Siberian Federal University (No. FSRZ-2023-0008)
Аннотация: In this paper, we explore the suggestions of the results of experimental studies on low-dimensional layered systems in FeNi/V2O3/FeNi film structures. The multifunctional material V2O3 is used as an interlayer between the magnetically active FeNi layers. The films were obtained by ultrahigh vacuum magnetron sputtering on a glass substrate with a base size of 10−10 Torr. It has been found that for V2O3 films, the decrease in the metal–semiconductor transition temperature increases significantly. Magnetic characteristics were studied on the MPMS-XL SQUID magnetometer. The exchange effect occurs both in the region where the oxide has a magnetic order and in the paramagnetic region. The latter is due to the effect of the magnetic panel in the oxide package. The phenomenon of oscillation of the exchange field occurs depending on the phenomenon of intermediate observation observed experimentally.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kobyakov A. V., Patrin G. S., Turpanov I. A., Li L. A., Patrin K. G., Yushkov V. I., Petrakovskaya E. A., Rautskii M. V.
Заглавие : Interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayers
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P.273-276. - ISSN 10120394 ; 9783037850213, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.273
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electron magnetic resonance--interlayer coupling--magnetization--magnetoresistance--semiconductor spacer--trilayer films--electric resistance--magnetic field effects--magnetization--magnetoelectronics--magnetoresistance--magnetic resonance--magnetism--magnetization--magnetoresistance--electron magnetic resonance--exchange constants--interlayer coupling--semiconductor spacer--squid magnetometry--temperature dependent--trilayer film--trilayers--magnetic resonance--cobalt
Аннотация: The interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayer films has been experimentally studied by the SQUID magnetometry and electron magnetic resonance. It has been found that the interlayer coupling is temperature-dependent. The values of the exchange constants have been determined.
Scopus,
eLibrary,
eLibrary
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Turpanov I. A., Velikanov D. A., Yushkov V. I., Patrin K. G., Kobyakov A. V.
Заглавие : Magnetic and electric properties of trilayer Co/Ge/Co films
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Российский фонд фундаментальных исследований
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2008): June 20-25, 2008, Moscow : book of abstract. - 2008. - Ст.22PO-8-33. - p.286-287
Примечания : The current investigations are being undertaken at financial support of the Russian Foundation for Basic Research (Grant No. 08-02-00937-a)
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Turpanov I. A., Patrin K. G., Alekseichik E. A., Kobyakov A. V., Yushkov V. I.
Заглавие : Magnetic and electrical properties of Co/Ge bilayer films
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: S. G. Ovchinnikov, A. Samardak: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P.348-351. - ISSN 978-303835054-5, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.348. - ISSN 1662-9779
Примечания : Cited References: 8
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): bilayer structure ferromagnetic metal/semiconductor--cobalt--coercivity--germanium interface--magnetization--magnetoresistance--schottky barrier
Аннотация: The magnetic and electrical properties of Co/Ge bilayer films are experimentally studied. It is established that at the Co/Ge interface an intermediate magnetic layer forms. This layer affects the magnetic behavior and magnetoresistive effect in the investigated structures. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Turpanov I. A., Patrin K. G., Alekseichik E. A., Yushkov V. I., Kobyakov A. V.
Заглавие : Magnetic and electrical properties of Ge/Co bilayer films
Место публикации : Bull. Russ. Acad. Sci. Phys.: Springer, 2014. - Vol. 78, Is. 1. - P.26-28. - ISSN 1062-8738, DOI 10.3103/S1062873814010134
Примечания : Cited References: 6
Аннотация: We present the results from experimental studies of the magnetic and electrical properties of doublelayered films in a cobalt-germanium system. An intermediate magnetic layer was found to form at the interface and effect the films-magnetic behavior and magnetoresistive effect. © 2014 Allerton Press, Inc.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin K. G., Turpanov I. A., Marushchenko E. A., Patrin K. G., Kobyakov A. V., Maltsev V. K., Yushkov V. I.
Заглавие : Magnetic and magnetoresistance properties of (Co/Ge)n films
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014): Book of abstracts. - 2014. - Ст.1PO-K-24. - P.557. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Turpanov I. A., Patrin K. G., Marushchenko E. A., Kobyakov A. V., Maltsev V. K., Yushkov V. I.
Заглавие : Magnetic and magnetoresistance properties of (Co/Ge)n films
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: N. Perov, A. Semisalova: Trans Tech Publications Ltd, 2015. - Vol. 233-234: Achievements in Magnetism. - P.423-426. - ISSN 1662-9779, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.233-234.423. - ISSN 978-3-03835-482-6
Предметные рубрики: Achievements in magnetism
Spintronics and magnetotransport
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): bilayer structure magnetization--cobalt--coercivity--ferromagnetic metal/semiconductor films--germanium interface--magnetoresistance--schottky barrier
Аннотация: The magnetic and electrical properties of (Co/Ge)nfilms are experimentally studied. It is established that at the Co/Ge interfacean intermediate magnetic layer forms. Twophases of cobalt, one is a face-centered cubic phase and the other ispresumably a Co–Ge alloy with a weakly ferromagnetic order, have been found toexist. A “dead” layer no more than 2 nm in thickness is formed at the interface.This layer affects the magnetic behavior andmagnetoresistive effect in the investigated structures.
Смотреть статью,
Материалы конференции,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-48 
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор

Другие библиотеки

Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)