Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Юшков, Василий Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 48
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-48

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kobyakov A. V., Turpanov I. A., Patrin G. S., Yushkov V. I., Yarikov S. A., Volochaev M. N., Zhivaya Ya. A.
Заглавие : The role of the semiconductor layer in the exchange-bias film structure of CoNi / Si / FeNi / Si with a spin spring effect
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"
Место публикации : J. Phys. Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1389, Is. 1. - Ст.012028. - ISSN 1742-6588, DOI 10.1088/1742-6596/1389/1/012028. - ISSN 1742-6596 (eISSN)
Примечания : Cited References: 13. - These studies are conducted with financial support from the Russian Foundation for Basic Research (grant No.18-02-00161-a).
Аннотация: CoNi / Si / FeNi / Si structures were synthesized by ion-plasma sputtering. A negative hysteresis loop bias was detected at the thickness of the silicon layer was less than 2 nm and the temperature was less than 100 K. A positive hysteresis loop bias was detected at the thickness of the silicon layer was more than 2 nm and the temperature greater than 100K.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
Scopus,
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Kobyakov A. V., Turpanov I. A., Patrin G. S., Yushkov V. I., Yarikov S. A., Volochaev M. N., Zhivaya Ya. A.
Заглавие : The influence of the semiconductor layer on the magnetic properties in a three-layer structure CoNi/Si/FeNi
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.C.P30. - P.319. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 2. - These studies are conducted with financial support from the Russian Foundation for Basic Research (grant # 18-02-00161-a)
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание полезной модели к патенту 198976!-162397303
Автор(ы) : Юшков, Василий Иванович, Турпанов, Игорь Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович, Кобяков, Александр Васильевич
Заглавие : Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 22
Аннотация: Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления относится к элементам внутрикамерных устройств и может быть использован при нанесении металлических и полупроводниковых пленок для покрытия деталей, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической промышленностей. Устройство позволяет увеличивать количество образцов без механического вмешательства в «тело» образца. Техническим результатом полезной модели является рост производительности и качества напыляемых образцов, который достигается тем, что в съемном контейнере для подложкодержателя установки вакуумного напыления, состоящем из основания с ячейками для образцов и системы фиксации, новым является то, что содержит кольцо фиксации подложек по внешнему краю и шайбу для крепления по внутреннему, при этом ячейки для расположения образцов выполнены в теле основания в виде двухуровневого углубления, нижний уровень которого по размерам меньше верхнего. Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления позволяет максимально быстро производить загрузку-выгрузку образцов, сокращая время их пребывания на воздухе, что значительно повышает качество получаемых материалов, а простота конструкции способствует росту производительности процесса напыления.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kobyakov A. V., Patrin G. S., Turpanov I. A., Li L. A., Patrin K. G., Yushkov V. I., Petrakovskaya E. A., Rautskii M. V.
Заглавие : Interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayers
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P.273-276. - ISSN 10120394 ; 9783037850213, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.273
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electron magnetic resonance--interlayer coupling--magnetization--magnetoresistance--semiconductor spacer--trilayer films--electric resistance--magnetic field effects--magnetization--magnetoelectronics--magnetoresistance--magnetic resonance--magnetism--magnetization--magnetoresistance--electron magnetic resonance--exchange constants--interlayer coupling--semiconductor spacer--squid magnetometry--temperature dependent--trilayer film--trilayers--magnetic resonance--cobalt
Аннотация: The interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayer films has been experimentally studied by the SQUID magnetometry and electron magnetic resonance. It has been found that the interlayer coupling is temperature-dependent. The values of the exchange constants have been determined.
Scopus,
eLibrary,
eLibrary
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2754147!-316094328
Автор(ы) : Юшков, Василий Иванович, Патрин, Геннадий Семёнович, Кобяков, Александр Васильевич, Турпанов, Игорь Александрович
Заглавие : Подвижная заслонка для формирования тонких пленок переменной толщины, получаемых методом вакуумного напыления .-
Коллективы : Сибирский федеральный университет, Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 25
Аннотация: Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано при нанесении металлических и полупроводниковых пленок для покрытия деталей, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической промышленности. Подвижная заслонка для формирования тонких пленок переменной толщины в установках вакуумного напыления, снабженных узлом ввода механизма движения подвижной заслонки и контроля скорости её перемещения внутри вакуумной камеры, содержит корпус, направляющие полозья движения корпуса, регулируемый нож 2 и калибровочную вставку. Корпус выполнен с отверстиями, одно из которых предназначено для крепления пружины обратного движения, а второе - для крепления троса прямой тяги. В корпусе также проточены два сквозных соприкасающихся окна. Окно 13 предназначено для постепенного открывания поверхности подложки в процессе движения заслонки. Окно 14 предназначено для поддержания в постоянно открытом положении поверхности «свидетеля». Изобретение позволяет получить образец с переменной толщиной слоёв, что исключает необходимость многократного напыления образцов с одинаковыми составами, но с разной толщиной слоёв. 6 ил.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2691357!-337529477
Автор(ы) : Юшков, Василий Иванович, Турпанов, Игорь Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович, Кобяков, Александр Васильевич
Заглавие : Устройство для ионно-плазменного напыления .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 17
Аннотация: Изобретение относится к области нанесения металлических и полупроводниковых пленок в вакууме поочередным или одновременным распылением наносимого материала и может быть использовано для покрытия деталей, используемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической отраслях промышленности. Устройство для ионно-плазменного напыления пленок содержит вакуумную камеру, в которой расположены анод, термокатод, мишень и подложкодержатель, и магнитную систему, расположенную снаружи вакуумной камеры и выполненную в виде колец Гельмгольца. Анод и термокатод размещены в отдельных нишах, при этом в открытом торце ниши термокатода установлен экран, имеющий узкое отверстие размером 80×15 мм, подложка расположена параллельно мишени и снабжена магнитоуправляемой заслонкой. Над мишенью установлен экран, оснащенный передвижной заслонкой. Мишень имеет систему охлаждения. Обеспечивается увеличение функциональных возможностей установки, что приводит к увеличению качества пленок, росту производительности, обеспечивает большую экономичность процесса, в том числе дает возможность в одном технологическом цикле напылять три различных материала как отдельными монослоями, так и их сплавами. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кобяков, Александр Васильевич, Турпанов, Игорь Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович, Руденко, Роман Юрьевич, Юшков, Василий Иванович, Косырев, Николай Николаевич
Заглавие : Структурные и магнитные свойства систем Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co
Место публикации : Журн. техн. физ. - 2019. - Т. 89, Вып. 2. - С. 268-273. - ISSN 0044-4642, DOI 10.21883/JTF.2019.02.47082.198-18
Примечания : Библиогр.: 18. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 18-02-00161-а).
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты для системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co с буферным слоем из Al2O3, полученные методом ионно-плазменного распыления. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления ионно-плазменным методом распыления и скорости напыления ему предшествующих слоев. Показано, что метод получения буферных слоев позволяет значительно снизить шероховатость поверхности последующих слоев. Полученные буферные слои могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания гетероструктур с туннельными переходами.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Turpanov I. A., Yushkov V. I., Kobyakov A. V., Patrin K. G., Yurkin, G. Yu., Zhivaya, Ya A.
Заглавие : Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [18-02-00161-a]
Место публикации : JETP Letters. - 2019. - Vol. 109, Is. 5. - P.320-324. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364019050126. - ISSN 1090-6487(eISSN)
Примечания : Cited References: 26. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 18-02-00161-a).
Предметные рубрики: MEDIA
Аннотация: Films consisting of a hard magnetic ferromagnet CoNi and a soft magnetic ferromagnet FeNi interacting through a nonmagnetic Si semiconductor spacer are experimentally studied. The temperature and field dependences of the magnetic properties of film structures with different silicon thicknesses are examined. It is found that the multilayer structure has the properties inherent in magnetic springs and exhibits positive exchange bias as a function of the silicon thickness.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Патрин, Геннадий Семёнович, Турпанов И. А., Юшков, Василий Иванович, Кобяков, Александр Васильевич, Патрин К. Г., Юркин, Глеб Юрьевич, Живая Я. А.
Заглавие : Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi
Место публикации : Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 109, Вып. 5-6. - С. 325-330. - ISSN 0370-274X, DOI 10.1134/S0370274X19050084
Примечания : Библиогр.: 26. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант # 18-02-00161-а).
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований пленок в системе магнитожесткий ферромагнетик (CoNi) - магнитомягкий ферромагнетик (FeNi), взаимодействующих через немагнитную полупроводниковую прослойку кремния (Si). Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различными толщинами кремния. Обнаружено, что многослойная структура наряду со свойствами, присущими магнитным пружинам, проявляет эффект положительного обменного смещения, зависящим от толщины кремния.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кобяков, Александр Васильевич, Турпанов, Игорь Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович, Руденко, Роман Юрьевич, Юшков, Василий Иванович, Косырев, Николай Николаевич
Заглавие : Получение, структура и магнитные свойства тонкопленочной системы AL2O3/GE-P/AL2O3/CO
Место публикации : Изв. РАН. Сер. физич. - 2019. - Т. 83, № 7. - С. 947-949. - ISSN 0367-6765, DOI 10.1134/S0367676519070226
Примечания : Библиогр.: 5
Аннотация: В работе представлены экспериментальные результаты структурных и магнитных измерений для пленочной системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co. Структура получена методом ионно-плазменного распыления и перспективна в качестве туннельной гетероструктуры. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления и скорости напыления предшествующих слоев.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие