Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Bondarev, I. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 73
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Features of the behavior of the barocaloric effect near ferroelectric phase transition close to the tricritical point / E. A. Mikhaleva, I. N. Flerov, M. V. Gorev [et al.] // Crystals. - 2020. - Vol. 10, Is. 1. - Ст. 51, DOI 10.3390/cryst10010051. - Cited References: 28. - The reported study was supported by the Russian Science Foundation (project no. 19-72-00023) . - ISSN 2073-4352
Кл.слова (ненормированные):
polymorphic phase transformation -- phase diagram -- order-disorder phenomena -- entropy -- barocaloric effect
Аннотация: A detailed study of the effect of temperature and pressure on heat capacity, entropy and hysteresis phenomena near the ferroelectric phase transition in ammonium sulfate (AS) was performed. An analysis of experimental results within the framework of the phenomenological theory showed that taking into account the temperature-dependent part of the anomalous entropy leads to a significant increase in the barocaloric effect (BCE). The maximum values of extensive and intensive BCE near the tricritical point are outstanding: ΔSmaxBCE≈85 J/kgK, ΔTmaxAD≈12 K and can be achieved at low pressure ∼0.5 GPa.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radioelectronics, Siberian Federal University, 660074 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Systems and Energy, Krasnoyarsk State Agrarian University, 660049 Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Mikhaleva, E. A.; Михалева, Екатерина Андреевна; Flerov, I. N.; Флёров, Игорь Николаевич; Gorev, M. V.; Горев, Михаил Васильевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bogdanov, E. V.; Богданов, Евгений Витальевич
}
Найти похожие

Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46, Is. 7. - P. 665-668, DOI 10.1134/S1063785020070135. - Cited References: 17. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk krai, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities (project no. 18-42-243022), and a Grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Level Laboratories (agreement no. 075-15-2019-1886) . - ISSN 1063-7850. - ISSN 1090-6533

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
TRANSPORT
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- ferromagnet/semiconductor structures -- Hanle effect -- spin accumulation -- electric spin injection
Аннотация: The electrical injection of the spin-polarized current into silicon in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure is demonstrated. The spin accumulation effect is examined by measuring the local and nonlocal voltage in a special four-terminal device. The observed effect of the electric bias on the spin signal is discussed and compared with the results obtained for ferromagnet/semiconductor structures.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения [Текст] / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46 № 13. - С. 43-46

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Krasnoyarsk Sci Ctr, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Luk'yanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Government of Krasnoyarsk krai; Krasnoyarsk Territorial Foundation [18-42-243022]; Grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Level Laboratories [075-15-2019-1886]
}
Найти похожие

Study of lateral photovoltaic effect in Mn/SlO2/n-SI hybrid structure / M. V. Rautskii [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. A.P16. - P. 105. - Cited References: 1. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 17-02-00302 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

    Magnetotransport phenomena and spin accumulation in MIS structures / N. V. Volkov [et al.] // J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1347, Is. 1. - Ст. 012006, DOI 10.1088/1742-6596/1347/1/012006. - Cited References: 32. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, project No 17-02-00302. . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596
   Перевод заглавия: Магнитотранспортные эффекты и спиновая аккумуляция в МДП структурах

РУБ Functional materials

Аннотация: The present work is devoted to magnetic transport in Fe/SiO2/p-Si, Mn/SiO2/p-Si and Fe3Si/p-Si hybrid structure. For Mn/SiO2/p-Si diode extremely large values of magnetoresistance were observed (105 % for AC and 107 % for DC) which is explained by impact ionization process that can be suppressed by the magnetic field. Lateral photovoltaic effect in Fe/SiO2/p-Si have also shown a strong dependence on the magnetic field in low-temperature region (the relative change of photovoltage exceeded 103 %). In Fe3Si/p-Si spin accumulation was found via 3-terminal Hanle measurements. We believe that the magnetic field affects electric transport through Lorentz force and through the interface states which are localized at the insulator/semiconductor or metal/semiconductor interfaces. Such states play a decisive role in magnetotrasnport as their energy can be controlled by a magnetic field. In Fe3Si/p-Si they also participate in spin-dependent tunneling, causing spin injection from the Fe3Si film into the silicon.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of physics of the Krasnoyarsk Scientific Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia
Institute of engineering physics and radio electronics, Siberian Federal University, 660041, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Russian-Chinese Symposium "New Materials and Technologies"(XV ; 16-19 October 2019 ; Sochi, Russian Federation)
}
Найти похожие

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106. - Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
силицид железа -- структуры ферромагнетик/полупроводник -- эффект Ханле -- спиновая аккумуляция -- электрическая спиновая инжекция
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46 Is. 7.- P.665-668

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Luk'yanenko, A. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

Optically tunable magnetoimpedance in Fe/Al2O3/p-Si / M. V. Rautskii, D. A. Smolyakov, I. A. Bondarev [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.31.11p. - P. 120. - The work was partially supported by the Ministry of Education and Science, Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies». The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project № 18-42-243022. . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Masyugin, A. N.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15, Is. 1. - P. 65-69, DOI 10.1134/S1027451021010109. - Cited References: 15. - This study was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, the Presidium of the Russian Academy of Sciences (Program no. 32 “Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, and Fundamentals of Technologies”), and the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243 022 . - ISSN 1027-4510
Кл.слова (ненормированные):
silicon on insulator -- transistor -- Schottky barrier -- electron lithography -- nanowire -- reactive ion etching -- electron transport
Аннотация: Semiconductor nanowires are unique materials for studying nanoscale phenomena; the possibility of forming silicon nanowires on bulk silicon-on-insulator substrates in a top-down process ensures complete incorporation of this technology into integrated electronic systems. In addition, the use of ferromagnetic contacts in combination with the high quality of ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, spin transistors. A simple approach is proposed to create semiconductor nanowire-based active devices, specifically, bottom-gate Schottky-barrier field-effect transistors with a metal (Fe) source and drain synthesized on a silicon-on-insulator substrate and the transport characteristics of the designed transistors are investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства [Текст] / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Tarasov, I. A.
α-FeSi2 as a buffer layer for β-FeSi2 growth: analysis of orientation relationships in silicide/Silicon, silicide/silicide heterointerfaces / I. A. Tarasov, I. A. Bondarev, A. I. Romanenko // J. Surf. Ingestig. - 2020. - Vol. 14, Is. 4. - P. 851-861, DOI 10.1134/S1027451020040357. - Cited References: 74. - The work was supported by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project no. 18-42-243013. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) . - ISSN 1027-4510. - ISSN 1819-7094

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
β-FeSi2 thin-films
Thermal-expansion
Phase-transformation
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- interface structure -- orientation relationship -- near coincidence site lattice -- edge-to-edge matching -- plane-to-plane matching
Аннотация: In this manuscript, we attempt to clarify the capability of utilisation of α-FeSi2 nanocrystals as a buffer layer for growth of monocrystalline/high-quality β-FeSi2 direct-gap semiconductor from the point of view of the crystal lattice misfits and near coincidence site (NCS) lattices. Iron silicides-based nanostructures have a wide spectrum of possible industrial applications in different fields. Mainly, interest in these functional materials is caused by their ecological safety and Earth’s core abundance that give us the opportunity for greener future with highly effective electronic devices. β-FeSi2 phase due to its allowed direct transition with energy close to 0.87 eV can be used as active material in light emission diodes (LED). Utilisation of buffer layers between silicon substrate and give one more tool to engineer the band structure of semiconducting β‑FeSi2 phase. We attempt to clarify the capability of the utilisation of the α-FeSi2 phase as a buffer layer for the growth of β-FeSi2 direct-gap semiconductor from the point of view of the crystal lattice misfits and near coincidence site (NCS) lattices. Possible β-FeSi2/α-,γ-,s-FeSi2/Si orientation relationships (ORs) and habit planes were examined with crystallogeometrical approaches and compared with β-FeSi2/Si ones. The lowest interplanar and interatomic spacing misfits between silicon lattice and a silicide one are observed for the pair of s-FeSi2{011}[200]/Si{022}[100] at room temperature and equal to –0.57%. The least interplanar and interatomic spacing misfit of 1.7 and 1.88%, respectively, for β-FeSi2/Si, can be decreased as low as –0.67 (interplanar) and 0.87 (interatomic) % by placing an α-FeSi2 layer between silicon and β-FeSi2 phase. It is stated that the growth of metastable γ-FeSi2 is also favourable on silicon due to low interplanar and interatomic spacing misfit (–0.77%) and a higher density of NCS in comparison with s-FeSi2. Design and technological procedure for the synthesis of possible β-FeSi2/α-FeSi2/Si heterostructure have been proposed based on the results obtained.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
RAS, Kirensky Inst Phys, Fed Res Ctr, KSC,SB, Krasnoyarsk 660036, Russia.
RAS, Nikolaev Inst Inorgan Chem, SB, Novosibirsk 630090, Russia.

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Romanenko, A. I.; Тарасов, Иван Анатольевич; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science [18-42-243013]; Ministry of Education and Science of the Russian FederationMinistry of Education and Science, Russian Federation; Siberian Branch of the Russian Academy of SciencesRussian Academy of Sciences [II.8.70]
}
Найти похожие

Magnetic and transport properties of trilayered Fe3Si/Ge/Fe3Si hybrid structures synthesized on Si(111) / A. S. Tarasov, I. A. Bondarev, M. V. Rautskii [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.03.07o. - P. 107 . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

10.

    Silicon nanowire field-effect transistors. Technology and characterization / A. V. Lukyanenko [et al.] // Fourth Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2018) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2018. - P. 111
   Перевод заглавия: Полевые транзисторы на базе кремниевых нанопроволок. Технология и характеризация

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Zelenov, F. V.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(4 ; 2018 ; Sept. ; 23-28 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(4 ; 2018 ; сент. ; 23-28 ; Владивосток); Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН; Дальневосточный федеральный университет
}
Найти похожие