Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Krasnov, P. O.$<.>)
Общее количество найденных документов : 38
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-38 
1.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Krasnov P. O., Milyutina Y. M.
Заглавие : Exited electronic states of porphyrin-fullerene dyads with different type of bonding
Коллективы : "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering", workshop, Сибирский федеральный университет, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : Workshop "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering" : book of abstracts/ предс. сем. K. S. Aleksandrov ; зам. предс. сем.: G. S. Patrin, S. G. Ovchinnikov ; чл. лок. ком.: N. N. Kosyrev, A. S. Fedorov [et al]. - 2009. - P.34
Материалы семинара
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Krasnov P. O., Kozhevnikova T. A.
Заглавие : Theoretical study of interaction of transfer metals (Co, Fe) with Si (001) surface
Коллективы : "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering", workshop, Сибирский федеральный университет, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : Workshop "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering": book of abstracts/ предс. сем. K. S. Aleksandrov ; зам. предс. сем.: G. S. Patrin, S. G. Ovchinnikov ; чл. лок. ком.: N. N. Kosyrev, A. S. Fedorov [et al]. - 2009. - P.15
Материалы семинара
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Krasnov P.O., Visotin M. A., Ågren H.
Заглавие : Study of plasmons and thermoelectric properties of nanoparticles connected by thin conductive bridges
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.VI.30.03o. - P.168. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 16-13-00060.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Krasnov P. O., Visotin M. A., Tomilin F. N., Polyutov S. P., Ågren H.
Заглавие : Charge-transfer plasmons with narrow conductive molecular bridges: A quantum-classical theory
Место публикации : J. Chem. Phys. - 2019. - Vol. 150, Is. 24. - Ст.244125. - ISSN 0021-9606, DOI 10.1063/1.5131734. - ISSN 1089-7690(eISSN)
Примечания : Cited References: 56. - This study was supported by the Russian Science Foundation, Project No. 18-13-00363.
Аннотация: We analyze a new type of plasmon system arising from small metal nanoparticles linked by narrow conductive molecular bridges. In contrast to the well-known charge-transfer plasmons, the bridge in these systems consists only of a narrow conductive molecule or polymer in which the electrons move in a ballistic mode, showing quantum effects. The plasmonic system is studied by an original hybrid quantum-classical model accounting for the quantum effects, with the main parameters obtained from first-principles density functional theory simulations. We have derived a general analytical expression for the modified frequency of the plasmons and have shown that its frequency lies in the near-infrared (IR) region and strongly depends on the conductivity of the molecule, on the nanoparticle–molecule interface, and on the size of the system. As illustrated, we explored the plasmons in a system consisting of two small gold nanoparticles linked by a conjugated polyacetylene molecule terminated by sulfur atoms. It is argued that applications of this novel type of plasmon may have wide ramifications in the areas of chemical sensing and IR deep tissue imaging.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Krasnov P. O., Kozhevnikov T. A., Popov M. A.
Заглавие : Calculation of the energy of binding of titanium and scandium complexes to the surface of carbon nanotubes
Коллективы : Analytical departmental program "Development of Higher Education Potential" [2.1.1/2584]; Russian Foundation for Basic Research [09-02-00324-a]
Место публикации : Russ. J. Phys. Chem. B. - 2009. - Vol. 3, Is. 4. - P.679-683. - ISSN 1990-7931, DOI 10.1134/S1990793109040289
Примечания : Cited References: 27. - This work was supported by the analytical departmental program "Development of Higher Education Potential (2009-2100)" (grant 2.1.1/2584) and by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 09-02-00324-a.
Предметные рубрики: MOLECULAR-HYDROGEN COMPLEXES
STORAGE
TEMPERATURE
TRANSITION
DYNAMICS
METALS
Аннотация: Complexes of zigzag-type carbon nanotubes (CNTs) with transition metal atoms, scandium and titanium, were studied. It was demonstrated that the energy of binding of both atoms with a carbon surface decreases whereas the rate of diffusion along the surface increases with increasing nanotube diameter. The rate constant of migration of scandium atoms over a CNT surface are several orders of magnitude higher than that for titanium atoms, because the CNT surface-Sc atom binding energy is substantially lower.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kovaleva E. A., Kuzubov A. A., Avramov P. V., Kuklin A. V., Mikhaleva N. S., Krasnov P. O.
Заглавие : Characterization of LSMO/C60 spinterface by first-principle calculations
Место публикации : Org. Electron.: Phys. Mater. Appl.: Elsevier, 2016. - Vol. 37. - P.55-60. - ISSN 15661199 (ISSN), DOI 10.1016/j.orgel.2016.06.021
Примечания : Cited References: 40. - This work was supported by the Russian Scientific Fund (Project No. 14-13-00139). The authors would like to thank Institute of Computational Modeling of SB RAS, Krasnoyarsk; Joint Supercomputer Center of RAS, Moscow; Center of Equipment for Joint Use of Siberian Federal University, Krasnoyarsk; ICC of Novosibirsk State University and Siberian Supercomputer Center (SSCC) of SB RAS, Novosibirsk for providing the access to their supercomputers.
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
AUGMENTED-WAVE METHOD
ORGANIC SPIN-VALVES
BASIS-SET
SEMICONDUCTORS
INJECTION
SPINTRONICS
TEMPERATURE
ALGORITHM
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): c60--lsmo--spinterface--dft--magnetic ordering
Аннотация: Spinterface between fullerene C60 and La0 7Sr0 3MnO3 (LSMO) was studied by means of density functional theory. Co-existence of many different configurations was shown, and probabilities of their appearance were estimated. Dependence of composite properties on configuration and temperature was also investigated. Key role of transition metal atoms in both binding between composite compartments and magnetic ordering in C60 molecule was discussed. The latter was suggested to be responsible for spin-polarized charge transport while overall magnetic moment of fullerene molecule is relatively small. © 2016 Elsevier B.V.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Krasnov P. O., Kozhevnikova T. A., Popov M. N., Artyushenko P. V.
Заглавие : Peculiarities of the decoration of carbon nanotubes with transition metal atoms
Место публикации : Russ. J. Phys. Chem. B: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 2011. - Vol. 5, Is. 1. - P163-167. - ISSN 1990-7931, DOI 10.1134/S1990793111010076
Примечания : Cited References: 12. - The authors thank Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences, for the possibility of using a cluster computer, and Siberian Federal University for providing a supercomputer, on which quantum-chemical calculations were performed. This work was financially supported by the Analytic Departmental Special-Purpose Program "The Development of the Scientific Potential of the Higher School (2009-2010)" (project no. 2.1.1/2584).
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
SURFACE
ENERGY
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): carbon nanotubes--decoration--transition metal atoms--carbon nanotubes--decoration--transition metal atoms
Аннотация: Carbon nanotubes decorated with transition metal, in particular, scandium, titanium, and vanadium, atoms offer promise for use in various applied science fields. We report the results of quantum-chemical calculations of the structure of the metallic layer of atoms of these metals coating the surface of (9, 0) and (10, 0) carbon nanotubes. It was shown that uniform one-layer coating by scandium and titanium could form on nanotubes with diameters no less than the diameter of (10, 0) nanotubes. Vanadium atoms could not uniformly cover nanotubes irrespective of their diameters.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Serzhantova M. V., Kuzubov A. A., Fedorov A. S., Krasnov P. O., Tomilin F. N.
Заглавие : Theoretical study of the influence of vacancies on the electronic structure of a hexagonal boron nitride monolayer
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 2011. - Vol. 112, Is. 4. - P664-667. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/S1063776111030150
Примечания : Cited References: 19
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
TRANSITION
ALGORITHM
METALS
ENERGY
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): defect type--divacancies--forbidden band--hexagonal boron nitride--inhomogeneous distribution--nitrogen vacancies--spin densities--theoretical study--vacant levels--boron nitride--defects--deformation--density functional theory--electronic properties--electronic structure--magnetic moments--monolayers--nitrides--boron
Аннотация: The influence of boron and nitrogen vacancies and divacancies on the electronic structure of a hexagonal boron nitride h-BN monolayer is studied. In the presence of vacancies in the structure, the introduced states appear in the forbidden band. The position of an introduced state with respect to the upper occupied level and the lower vacant level depends on deformation. Calculations show that, depending on the defect type and the magnitude of the applied deformation, the introduced state can be both localized and not localized on atoms surrounding the defect. When the state is localized in the system, the inhomogeneous distribution of the spin density is observed, resulting in the appearance of the magnetic moment in the system.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Романенко, Гавриил Александрович, Панкин, Павел Сергеевич, Бузин, Даниил Сергеевич, Краснов, Павел Олегович, Сутормин, Виталий Сергеевич, Наболь, Степан Васильевич, Тамбасов, Игорь Анатольевич, Зеленов Ф. В., Масюгин, Альберт Николаевич, Волочаев, Михаил Николаевич, Тимофеев, Иван Владимирович
Заглавие : Металл-диэлектрический оптический микрорезонатор с управляемой добротностью [Электронный ресурс]
Коллективы : Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Волны-2022, Всероссийская школа-семинар "Волновые явления: физика и применения" имени А. П. Сухорукова, "Волновые явления: физика и применения", Всероссийская школа-семинар имени А. П. Сухорукова
Место публикации : XXXIII Всероссийская школа-семинар "Волновые явления: физика и применения" имени профессора А.П. Сухорукова (Волны-2022): сборник трудов. - 2022. - Секция: Нанофотоника, метаматериалы и фотонные кристаллы. - С. 33-34
Примечания : Библиогр.: 3. - Исследование было поддержано Российским научным фондом (проект № 22-42-08003)
Материалы конференции,
Материалы конференции
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-38 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)