Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Lukyanenko, A. V.$<.>)

Общее количество найденных документов : 128
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : The magnetoimpedance effect in the Fe3Si/p-Si structure
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.161
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Anisotropy of the magnetoimpedance in hybrid hetero structure FeNi/SiO2/p-Si
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.111
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Ferromagnetic resonance characterization of the single-crystal epitaxial Fe3Si film on the Si(111) substrate
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conf. on physics and technol. of nanostructured mater. (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.III.24.04p. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Примечания : Библиогр.: 3. - The work was supported in part by the Grant of the President of the Pussian Federation and the Pussian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : The dc magnetotransport properties of the Mn/SiO2/p-Si diode
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.173
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Bondarev I. A., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Dorofeev N. V., Rautckii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetoresistance of the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.IX.24.02p. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Lukyanenko A. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Frequency-dependent magnetotransport properties of the schottky diode based on the Fe3Si/p-Si hybrid structure
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.III.22.02o. - P. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Bondarev I. A., Dorofeev N. V., Ovchinnikov S. G., Varnakov S. N., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic and transport properties of Fe3Si on the Si (111) substrate
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.59
Примечания : Библиогр.: 2. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device
Место публикации : J. Surf. Invest.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P.984-994. - ISSN 1027-4510, DOI 10.1134/S1027451015050432
Примечания : Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetoresistance--magnetotransport properties--photoconductivity--bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Volochaev M. N., Eremin E. V., Korobtsov V .V., Balashev V. V., Vikulov V. A., Solovyov L. A., Volkov N. V.
Заглавие : Characterization and magnetotransport properties of textured Fe3O4 films
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.O10.21. - P.465. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 2. - This work was partially supported by RFBR project no. 14-02-00234, the RAS «Far East» Program No 0262-2015-0057
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetite--texture film--spin-dependent transport
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Volochaev M. N., Bondarev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : FIB and photolithography fabrication of low-dimensional devices based on the Co/Al2O3/Ge/Al2O3/Si hybrid structures
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P10.17. - P.485. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): spin injection--hybrid structures--fib
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Tarasov I. A., Varnakov S. N., Bondarev I. A., Lukyanenko A. V., Volkov N. V.
Заглавие : Ferromagnetic Resonance Study of the epitaxial Fe3Si(111) film on the Si(111) substrate
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.O5.5. - P.253. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): iron silicide--fmr--magnetic anisotropy
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Volochaev M. N., Eremin E. V., Korobtsov V. V., Balashev V. V., Vikulov V. A., Solovyov L. A., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic, transport, and magnetotransport properties of the textured Fe3O4 thin films reactively deposited onto SiO2/Si
Место публикации : J. Alloys Compd.: Elsevier, 2016. - Vol. 688. - P.1095-1100. - ISSN 09258388 (ISSN), DOI 10.1016/j.jallcom.2016.07.138
Примечания : Cited References: 40. - This work was supported in part by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234; the Russian Academy of Sciences, Program “Far East” no. 0262-2015-0057; and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, state order no. 16.663.2014K. The XRD study was supported by the state budget allocated to the Russian Academy of Sciences, fundamental research project no. V. 45.3.1. The authors are grateful to the Krasnoyarsk Regional Fund for Science and Technical Activity Support and the Council of the President of the Russian Federation on Grants.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetite--magnetoresistance--reactive deposition
Аннотация: The structural, magnetic, transport, and magnetotransport properties of Fe3O4 thin films with thicknesses from 38 nm to 95 nm are systematically investigated. The occurrence of the Verwey transition in these films at a temperature of about 120 K is established. It is found that the temperature dependences of the magnetic moment have a feature near 40 K, which can be attributed to the multiferroic phase. According to the X-ray diffraction data, the film structure represents a (001) texture. As was established using transmission electron microscopy, the height and width of texture crystallites increase with film thickness. Analysis of the temperature dependences of the resistivity showed that the dominant carrier transport mechanism in the films is thermoactivated tunneling. The thermoactivation energy, along with the room-temperature resistivity, decreases with increasing film thicknesses, which is most likely related to the variation in the crystallite size, especially in the crystallite width. The field dependence of magnetoresistance behaves similarly over the entire temperature range and has a positive MR peak in weak fields, which is related to spin-dependent tunneling through Fe3O4 grains and antiferromagnetically coupled antiphase boundaries. © 2016 Elsevier B.V.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetic-field-driven electron transport in ferromagnetic/insulator/semiconductor hybrid structures
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.I4.4. - P.214. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structures--magnetoresistance--magnetoimpedance
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Tarasov I. A., Rautskii M. V., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Patrin G. S., Volkov N. V.
Заглавие : Multiterminal planar devices based on hybrid structures: fabrication and spin-dependent transport
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Российский фонд фундаментальных исследований
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2017): 1-7 July 2017 : book of abstracts. - 2017. - Ст.2PO-2PO-I1-19. - P.172
Примечания : Cited References: 1. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, projects nos. 16-42-243046 and 16-42-243060
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Bondarev I. A., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Study of the lateral photovoltaic effect in the FE3SI/SI hybrid structure
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Российский фонд фундаментальных исследований
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2017): 1-7 July 2017 : book of abstracts. - 2017. - Ст.2PO-I1-20. - P.173
Примечания : Cited References: 1. - This study is supported by the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, Travel Grant Competition for Young Scientists (Moscow International Symposium on Magnetism MISM'2017, Moscow, July 1−5, 2017)
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Visotin M. A., Aleksandrovsky A. S., Kosyrev N. N., Yakovlev I. A., Molokeev M. S., Lukyanenko A. V., Krylov A. S., Fedorov A. S., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Si/Fe flux ratio influence on growth and physical properties of polycrystalline β-FeSi2 thin films on Si(100) surface
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН , Russian Science Foundation [16-13-00060]
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science, 2017. - Vol. 440. - P.144-152. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2016.12.084. - ISSN 1873-4766(eISSN)
Примечания : Cited References:39. - This work was supported by the Russian Science Foundation, project no. 16-13-00060
Предметные рубрики: SEMICONDUCTING FESI2 FILMS
SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY
EPITAXIAL-FILMS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): β-fesi2 iron disilicide--optical properties--reflection high-energy--electron diffraction--raman spectroscopy--ab initio calculation
Аннотация: This work investigates the Si/Fe flux ratio (2 and 0.34) influence on the growth of β-FeSi2 polycrystalline thin films on Si(100) substrate at 630 °C. Lattice deformations for the films obtained are confirmed by X-ray diffraction analysis (XRD). The volume unit cell deviation from that of β-FeSi2 single crystal are 1.99% and 1.1% for Si/Fe =2 and Si/Fe =0.34, respectively. Absorption measurements show that the indirect transition (~ 0.704 eV) of the Si/Fe =0.34 sample changes to the direct transition with a bandgap value of ~0.816 eV for the sample prepared at Si/Fe =2. The absorption spectrum of the Si/Fe =0.34 sample exhibits an additional peak located below the bandgap energy value with the absorption maximum of ~0.36 eV. Surface magneto-optic Kerr effect (SMOKE) measurements detect the ferromagnetic behavior of the β-FeSi2 polycrystalline films grown at Si/Fe =0.34 at T=10 K, but no ferromagnetism was observed in the samples grown at Si/Fe =2. Theoretical calculations refute that the cell deformation can cause the emergence of magnetization and argue that the origin of the ferromagnetism, as well as the lower absorption peak, is β-FeSi2 stoichiometry deviations. Raman spectroscopy measurements evidence that the film obtained at Si/Fe flux ratio equal to 0.34 has the better crystallinity than the Si/Fe =2 sample.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Smolyarova T. E., Kosyrev N. N., Komarov V. A., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Solovyov L. A., Shemukhin A. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Patrin G. S., Volkov N. V.
Заглавие : Approach to form planar structures based on epitaxial Fe1 − xSix films grown on Si(111)
Место публикации : Thin Solid Films: Elsevier, 2017. - Vol. 642. - P.20-24. - ISSN 00406090 (ISSN), DOI 10.1016/j.tsf.2017.09.025
Примечания : Cited References: 29. - We thank V.S. Zhigalov for assistance with the electron microscopy studies. The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research projects Nos. 16-42-243046, 16-42-242036 and 16-42-243060. The work was also supported by the Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 7559.2016.2).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): iron silicides--wet etching--planar structures--moke microscopy
Аннотация: An approach to form planar structures based on ferromagnetic Fe1 − xSix films is presented. Epitaxial Fe1 − xSix iron‑silicon alloy films with different silicon content (x = 0–0.4) were grown on Si(111) substrates. Structural in situ and ex situ characterization of the films obtained was made by X-ray diffraction, reflective high-energy electron diffraction, Rutherford backscattering spectrometry and transmission electron microscopy, which confirmed single crystallinity and interface abruptness for all films. Etching rates in the wet etchant (HF: HNO3: H2O = 1: 2: 400) for the films with various chemical composition were obtained. A nonmonotonic dependence of the etching rate on silicon content with a maximum for the composition Fe0.92Si0.08 was discovered. Moreover, the etching process is vertical and selective in the etching solution, i.e., the etching process takes place only in silicide film and does not affect substrate. As an example, a four-terminal planar structure was made of Fe0.75Si0.25/Si(111) structure using the etching rate obtained for this silicon content. Magneto-optical Kerr effect (MOKE) microscopy and transport properties characterization indicated successful etching process.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Sokolov A. Е., Lukyanenko A. V., Ivanova O. S., Zabluda V. N., Kuzmichenko N., Zamay S. S., Zamay T. S., Kolovskaya O. S., Zamay G. S., Svetlichny V. A.
Заглавие : Aptamer-functionalized magnetic nanodevices for tumor cell microsurgery
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Российский фонд фундаментальных исследований
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2017): 1-7 July 2017 : book of abstracts. - 2017. - Ст.3PO-K-24. - P.555
Примечания : Cited References: 2. - Support Grant of the President of the Russian Federation NSh-7559.2016.2
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Bondarev I. A., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Biofunctionalized magnetic microdiscs applied in medicine
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Российский фонд фундаментальных исследований
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2017): 1-7 July 2017 : book of abstracts. - 2017. - Ст.2PO-K-47. - P.320
Примечания : Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Smolyakov D. A., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/p-Si hybrid structure
Коллективы : Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity, International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics
Место публикации : International workshop on actual problems of condensed matter physics: Program. Book of abstracts/ Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P.21 (Шифр В37/H99-812624296)
Материалы совещания
Найти похожие