Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Smolyakov, D. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 49
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-49

Низкотемпературные диэлектрические и магнитные свойства композитных наночастиц латуни, полученных на ускорителе электронов методом электронно-лучевого испарения из двухзонного тигля / Д. А. Смоляков, Е. В. Еремин, М. С. Молокеев [и др.] // Физ. твердого тела. - 2024. - Т. 66, Вып. 1. - С. 88-93, DOI 10.61011/FTT.2024.01.56942.209. - Библиогр.: 19 . - ISSN 0367-3294. - ISSN 1726-7498
Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- нанопорошки -- композит -- ускоритель электронов -- диэлектрические свойства -- парамагнетики
Аннотация: Представлены результаты исследования композитных наночастиц латуни Cu/Zn, полученных из двухзонного тигля с использованием ускорителя электронов для облучения мишени. Проведена характеризация, определен химический и фазовый состав изготовленных образцов с помощью просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и рентгеноструктурного анализа. Изучены диэлектрические свойства нанопорошка. Обнаружены особенности активационного типа. Оценена энергия активационного процесса. Магнитные свойства образца демонстрируют парамагнитный характер, что было ожидаемо ввиду состава нанопорошка. Однако на фоне парамагнитного вклада имеется ферромагнитная фаза, которая хорошо проявляется при низких температурах и практически исчезает при комнатной температуре. Это указывает на то, что какая-то часть композитных наночастиц обладает дальним магнитным порядком при низких температурах.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск, Россия

Доп.точки доступа:
Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Зобов, К. В.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие

    Facile synthesis and selected characteristics of two-dimensional material composed of iron sulfide and magnesium-based hydroxide layers (tochilinite) / Yu. L. Mikhlin, R. V. Borisov, M. N. Likhatski [et al.] // New J. Chem. - 2023. - Vol. 47, Is. 25. - P. 11869-11881, DOI 10.1039/D3NJ00758H. - Cited References: 97. - This research was financially supported by the Russian Science Foundation, project 22-13-00321 . - ISSN 1144-0546. - ISSN 1369-9261
   Перевод заглавия: Синтез и некоторые характеристики двумерного материала, состоящего из слоев сульфида железа и гидроксида на основе магния (точилинит)
Аннотация: We report here a simple hydrothermal synthesis of 100–200 nm flakes of tochilinite (Fe1−xS)·n(Mg,Fe)(OH)2 constructed by interchanging atomic sulfide and hydroxide sheets as a representative of a new platform of multifunctional two-dimensional materials. The reliable formation of tochilinites was ensured by an excess of sodium sulfide, with the assembly of the metal sulfide and hydroxide sheets driven by their opposite electric charges. X-ray photoelectron spectroscopy found that the hydroxide layers involved Fe3+ cations from 10 to 40% of total iron tuned by addition of Al and Li entering the layers; the Fe1−xS sheets comprised comparable amounts of high-spin Fe3+ and Fe2+ centers, and minor S–S bonding. The room-temperature Mössbauer spectra fitted with several doublets (chemical shift of 0.35–0.4 mm s−1 and varying quadrupole splitting) transformed to three six-line patterns (hyperfine fields of ∼290, 350 and 480 kOe) due to magnetic ordering at 4.2 K, albeit the paramagnetic behavior observed in SQUID experiments. A series of UV-vis absorption maxima were explained in terms of both the high-index all-dielectric Mie resonance, in line with the permittivity measurement data, and the ligand-metal charge transfer resembling that in Fe–S clusters in proteins. Prospective properties and applications of the materials are discussed.

Смотреть статью,
WOS
Держатели документа:
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Krasnoyarsk Science Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, 50/24, Krasnoyarsk, Russia
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Science Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50/38, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Svobodny av. 79, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Mikhlin, Yu. L.; Borisov, R. V.; Likhatski, M. N.; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Knyazev, Yu. V.; Князев, Юрий Владимирович; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Vorobyev, S. A.; Tomashevich, Ye. V.; Ivaneeva, A. D.; Karacharov, A. A.; Karpov, D. V.; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие

Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybrid structures: Synthesis, magnetic and transport properties / A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko, I. A. Yakovlev [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2023. - Vol. 87, Suppl. 1. - P. S133-S146, DOI 10.1134/S1062873823704518. - Cited References: 54. - The authors thank the laboratory of Magnetic MAX Materials created under Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Branch, Russian Academy of Sciences) for assistance. The authors also thank Professor B.A. Belyaev for FMR calculations. - Supported by the Russian Science Foundation, grant no. 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science . - ISSN 1062-8738. - ISSN 1934-9432
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- manganese germanide -- MBE -- FMR -- electronic transport -- spintronics
Аннотация: Planar and vertical hybrid structures, which combine ferromagnetic and semiconductor layers are essential for implementation and study of spin transport phenomena in semiconductors, which is crucial for the advancement and development of spintronics. We have developed approaches for the synthesis of Fe3 + xSi1 – x epitaxial thin films and demonstrated the spin accumulation effect in multiterminal devices based on Fe3 + xSi1 – x/Si. Fe3 + xSi1 – x/Ge/Fe3Si and Fe3 + xSi1 – x/Ge/Mn5Ge3 multilayer hybrid structures were synthesized on a Si(111) substrate, study of their structural, magnetic and transport properties were performed. The effect of synthesis conditions on the growth of epitaxial structures and on their magnetic and transport properties was discussed. The results obtained may prove valuable in the development and fabrication of spintronic devices.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center”, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, 660041, Krasnoyarsk, Russia
Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center”, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

    Implanted gallium impurity detection in silicon by impedance spectroscopy / D. Tetelbaum, A. Nikolskaya, M. Dorokhin [et al.] // Mater. Lett. - 2022. - Vol. 308, Part B. - Ст. 131244, DOI 10.1016/j.matlet.2021.131244. - Cited References: 11. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (grant No. 20-42-243007), Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project No. 075-03-2020-191/5), as well as the Government of the Russian Federation within the framework of the Megagrant for the creation of world-class laboratories (No. 075-15-2019-1886) . - ISSN 0167-577X
   Перевод заглавия: Обнаружение имплантированной примеси галлия в кремнии методом импедансной спектроскопии
Кл.слова (ненормированные):
Silicon -- Ion implantation -- Impedance spectroscopy -- Energy levels -- Ion channeling
Аннотация: The results of determining the energy levels of boron-doped silicon implanted with gallium ions by impedance spectroscopy are reported. In the as-implanted sample the boron level remains the same and a second level appears close to the Ga-level reported in literature. In the sample annealed at 1000 °C, two levels are observed neither of which corresponds to the literature values for boron and gallium. It is assumed that in the as-implanted sample this method detects levels of gallium atoms located at a depth where ions penetrate due to the channeling effect, since a large concentration of defects at shallower depths does not allow detection of energy levels due to the Fermi level pinning. Explaining the results for the sample annealed after implantation requires additional research. The main result of this work is to establish the possibility of detecting impurity levels in ion-implanted silicon by impedance spectroscopy even in the absence of subsequent annealing.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Research Institute of Physics and Technology, Lobachevsky University, 23/3 Gagarina Avenue, Nizhny Novgorod, 603022, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, 50 st. Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, 79 Svobodny pr., Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tetelbaum, D.; Nikolskaya, A.; Dorokhin, M.; Vasiliev, V.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие

    Effect of magnetic and electric fields on the AC resistance of a silicon-on-insulator-based transistor-like device / D. Smolyakov, A. Tarasov, L. Shanidze [et al.] // Phys. Status Solidi A. - 2022. - Vol. 219. Is. 1. - Ст. 2100459, DOI 10.1002/pssa.202100459. - Cited References: 19. - The authors thank the Krasnoyarsk Territorial Center for Collective Use, Krasnoyarsk Scientific Center of the SB RAS, for electron microscope investigations. This study was supported by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013, and by the Government of the Russian Federation, the Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories, agreement no. 075-15-2019-1886 . - ISSN 1862-6300. - ISSN 1862-6319
   Перевод заглавия: Влияние магнитного и электрического полей на сопротивление на переменном токе транзисторного устройства на основе кремния на изоляторе

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
NANOSTRUCTURES
Кл.слова (ненормированные):
impurities states -- magnetoimpedance -- magnetoresistance -- pseudo-MOSFET -- semiconductors -- SOI structure -- transistor
Аннотация: Herein, the AC magnetoresistance (MR) in the silicon-on-insulator (SOI)-based Fe/Si/SiO2/p-Si structure is presented. The structure is used for fabricating a back-gate field-effect pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device. The effects of the magnetic field and gate voltage on the transport characteristics of the device are investigated. Magnetoimpedance value of up to 100% is obtained due to recharging of the impurity and surface centers at the insulator/semiconductor interface. A resistance variation of up to 1000% is found, which is caused by the voltage applied to the gate and the field effect on the band structure of the sample. Combining the magnetic and electric fields, one can either change the absolute value of the AC resistance while having the MR fixed or change the sign and character of the field dependence of the MR. The observed effects can be used in the development of magnetic-field-driven SOI-based devices and high-frequency circuits.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk Sci Ctr, Siberian Branch, Akademgorodok 50,Bld 38, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Pr Svobodny 79, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Krasnoyarsk Sci Ctr, Siberian Branch, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Shanidze, Lev; Шанидзе, Лев Викторович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240013]; Government of the Russian Federation; Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories [075-15-2019-1886]
}
Найти похожие

Influence of a strong magnetic field on the ac transport properties of Fe/SiO2/n-Si MIS structure / D. A. Smolyakov, M. V. Rautskii, I. A. Bondarev [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2022. - Vol. 135, Is. 3. - P. 377-382, DOI 10.1134/S1063776122090102. - Cited References: 38. - The authors thank the administration of the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance. The authors also thank D.A. Balaev for valuable discussion and M.N. Volochaev for submission of PEM images. This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Krasnoyarsk Region government, and Krasnoyarsk Region Foundation for research-and-engineering activity (grant no. 20-42-243007) . - ISSN 1063-7761
Кл.слова (ненормированные):
Ac transports -- Impurity state -- Magnetic-field -- Magneto-impedance effects -- MIS structure -- Real part -- Schottky diodes -- State energy -- Strong magnetic fields -- Temperature dependence
Аннотация: The ac transport properties of a Fe/SiO2/n-Si MIS structure made in the form of a Schottky diode have been studied in magnetic fields up to 9 T. A shift in the maxima of the temperature dependences of the impedance real part observed in the magnetic field is accompanied by the magnetoimpedance effect and takes place only at a certain relative orientation between the magnetic field and the surface of the sample. It has been found that the magnetoimpedance effect is related to the recharge of impurity states. Impurity state energy Es in the presence and absence of the magnetic field has been calculated. The impurity state energy is a nonlinear function of magnetic field and can be qualitatively characterized in terms of the theory of the Zeeman giant effect in diluted magnetic semiconductors. Other mechanisms of magnetic field influence on ac transport in MIS structures, specifically, on the impurity state recharge, cannot be disregarded either. This points calls for further investigation. Obtained data may provide a deeper insight into the nature of magnetoresistive effects in semiconductors and be used to design new-generation microelectronic devices.

Смотреть статью,
Scopus

Публикация на русском языке Влияние сильного магнитного поля на транспортные свойства МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si на переменном токе [Текст] / Д. А. Смоляков, М. В. Рауцкий, И. А. Бондарев [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2022. - Т. 162 Вып. 3. - С. 432-439

Держатели документа:
Kirenskii Institute of Metal Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие

Влияние сильного магнитного поля на транспортные свойства МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si на переменном токе / Д. А. Смоляков, М. В. Рауцкий, И. А. Бондарев [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2022. - Т. 162, Вып. 3. - С. 432-439, DOI 10.31857/S0044451022090176. - Библиогр.: 38. - Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности (проект No 20-42-243007) . - ISSN 0044-4510
Аннотация: Были проведены исследования транспортных свойств МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si в виде диода Шоттки на переменном токе в магнитных полях до 9 Тл. Обнаруженный сдвиг максимумов на температурных зависимостях действительной части импеданса в магнитном поле, сопровождаемый эффектом магнитоимпеданса (МИ), происходит только при определенной ориентации поля относительно плоскости образца. Выявлено, что МИ связан с перезарядкой примесных состояний. Были рассчитаны энергии ES примесных состояний в магнитном поле, а также в его отсутствии. Энергия примесных уровней нелинейно зависит от магнитного поля и может быть качественно описана в рамках теории гигантского эффекта Зеемана в разбавленных магнитных полупроводниках. Нельзя также исключать вклад других механизмов воздействия магнитного поля на транспорт в МДП-структурах на переменном токе и, в частности, на перезарядку примесных состояний, что требует дальнейшего исследования. Полученные результаты могут обеспечить более глубокое понимание природы магниторезистивных эффектов в полупроводниковых материалах и использоваться при разработке и создании новых устройств магнитоэлектроники.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Influence of a strong magnetic field on the ac transport properties of Fe/SiO2/n-Si MIS structure [Текст] / D. A. Smolyakov, M. V. Rautskii, I. A. Bondarev [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2022. - Vol. 135 Is. 3.- P.377-382

Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского, Красноярский научный центр, Сибирское отделение Российской академии наук, 660036, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие

Admittance spectroscopy of dopants implanted in silicon and impurity state-induced AC magnetoresistance effect / D. A. Smolyakov, A. S. Tarasov, M. A. Bondarev [et al.] // Mater. Sci. Semicond. Process. - 2021. - Vol. 126. - Ст. 105663, DOI 10.1016/j.mssp.2021.105663. - Cited References: 21. - This study was supported by the Government of the Russian Federation , Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886) . - ISSN 1369-8001
Кл.слова (ненормированные):
Semiconductors -- Magnetoimpedance -- Impurities -- Implantation
Аннотация: A silicon structure doped with Ga using ion implantation has been investigated by admittance spectroscopy. It has been established that the presence of the Ga impurity, along with the B one, in the silicon structure leads to the appearance of the second peak in the temperature dependence of the real part of the impedance (admittance). Moreover, switching-on a magnetic field parallel to the sample plane shifts the singularities in the temperature curve to the high-temperature region. This results in the manifestation of both the positive and negative magnetoresistance effect upon temperature and magnetic field variation. It has been found by the standard admittance spectroscopy analysis of the impedance data that the energy structure of the investigated sample includes two interfacial energy levels ES1(0) = 42 meV and ES2(0) = 69.4 meV. As expected, these energies are consistent with the energies of B and Ga dopants. In a magnetic field, these levels increase by 3 meV for B and 2 meV for Ga, which induces the magnetoresistance effect. It has been demonstrated that the interfacial state-induced magnetoresistance effect can be tuned by ion implantation and dopant selection.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences660036, Russian Federation
Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod603950, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, M. A.; Бондарев, Михаил Александрович; Nikolskaya, A. A.; Vasiliev, V. K.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Magnetic and transport properties of trilayered Fe3Si/Ge/Fe3Si hybrid structures synthesized on Si(111) / A. S. Tarasov, I. A. Bondarev, M. V. Rautskii [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.03.07o. - P. 107 . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

10.

Optically tunable magnetoimpedance in Fe/Al2O3/p-Si / M. V. Rautskii, D. A. Smolyakov, I. A. Bondarev [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.31.11p. - P. 120. - The work was partially supported by the Ministry of Education and Science, Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies». The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project № 18-42-243022. . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Masyugin, A. N.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие