Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Yakovlev, I. A.$<.>)
Общее количество найденных документов : 173
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Komogortsev S. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Sukhachev A. L., Rautskii M. V., Solovyov L. A., Andryushchenko T. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Structure, magnetic and magnetocaloric properties of the Mn5Ge3 thin film grown on Si(111)
Колич.характеристики :14 с
Место публикации : J. Mater. Sci. - 2024. - Vol. 59, Is. 21. - P.9423-9436. - ISSN 00222461 (ISSN), DOI 10.1007/s10853-024-09755-6. - ISSN 15734803 (eISSN)
Примечания : Cited References: 79. - The study was supported by the Russian Science Foundation Grant of the № 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science. The authors thank the laboratory of the Magnetic MAX Materials created under the Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance
Аннотация: Mn5Ge3 is a ferromagnetic hexagonal crystal promising for spintronics and magnetocalorics. A systematic study and analysis of the magnetic properties of the Mn5Ge3 thin film grown on Si(111) were performed. The magnetic anisotropy of the film is determined by the shape anisotropy and the easy magnetization axis aligned along the c axis of the crystal. The uniaxial anisotropy constant Ku fully corresponds to that for a bulk single crystal, which indicates that c axis coincides with film normal. Mn5Ge3 film demonstrates high saturation magnetization MS = 900 emu/cm3 (900 kA/m) at T = 100 K and magnetocaloric effect ΔS = 3.16 ± 0.22 J kg−1 K−1 at 300 K and B = 1.5 T. ΔS is comparable to that for multicomponent or Gd rare earth films. Furthermore, a different anisotropy of the magnetocaloric effect compared to bulk Mn5Ge3 was found, which may be related to the anisotropy of the film shape and, possibly, to the domain structure. The results obtained are promising for the design and development of magnetocaloric, spintronic, and spin-caloritronic devices on a silicon platform.
Смотреть статью,
WOS
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Andryushchenko T. A., Yakovlev I. A., Varnakov S. N.
Заглавие : Crystal structure investigation of Cr2GeC MAX-phase nanofilms by RHEED
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.125
Примечания : Cited References: 2. - РНФ № 21-12-00226
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Yakovlev I. A., Rautskii M. V., Sukhachev A. L., Rudenko R. Yu., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Growth, magnetic and transport properties of highly ordered Mn5Ge3 thin film on Si(111)
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.59
Примечания : Cited References: 4. - РНФ № 23-22-10033 ; Регион. науч. фонд
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Andryushchenko T. A., Lyashchenko S. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Shvetsov D. V., Yakovlev I. A.
Заглавие : Electron charge accumulation by island surfaces of Cr-Mn based MAX phase thin films on MgO
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.129
Примечания : Cited References: 2. - РФН № 21-12-00226
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Maximova O. A., Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Shvetsov D. V., Andryushchenko T. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Data processing algorithms for magneto-optical ellipsometry of thin films with optical uniaxial anisotropy
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.126
Примечания : Cited References: 5. - РНФ № 21-12-00226
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Bondarev I. A., Rautskii M. V., Volkov N. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Varnakov S. N., Tarasov A. S.
Заглавие : Lateral photovoltaic effect in silicon-based hybrid structures under external magnetic field
Колич.характеристики :6 с
Место публикации : Mater. Sci. Semicond. Process. - 2023. - Vol. 167. - Ст.107786. - ISSN 13698001 (ISSN), DOI 10.1016/j.mssp.2023.107786. - ISSN 18734081 (eISSN)
Примечания : Cited References: 32
Аннотация: Charge transport in semiconductor devices is highly sensitive to light, which opens up wide application prospects. The lateral photovoltaic effect (LPE) is widely used in position sensitive detectors due to its high sensitivity to the light spot position. We report on the features of the LPE in silicon-based metal/insulator/semiconductor structures at helium temperatures. To investigate the LPE, Fe/SiO2/p-Si and Mn/SiO2/n-Si structures have been fabricated by molecular beam epitaxy. It has been found by studying the lateral photovoltage that the SiO2/Si interface plays a significant role in transport of photogenerated carriers, mainly via the interface states, which induce electron capture/emission processes at certain temperatures. The value of the photovoltage is likely affected not only by the metallic film thickness, but also by the substrate conductivity type and Schottky barrier. The effect of the magnetic field on the LPE is driven by two mechanisms. The first one is the well-known action of the Lorentz force on photogenerated carriers and the second one is shifting of the interface state energy levels. Basically, the magnetic field suppresses the contribution of the interface states to the LPE, which suggests that the interface-induced transport can be controlled magnetically.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lyashchenko S. A., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Andryushchenko T. A., Solovyov, Leonid A., Yakovlev I. A., Maximova O. A., Shevtsov D. V., Bondarev M. A., Bondarev I. A., Ovchinnikov S. G., Varnakov S. N.
Заглавие : Growth process, structure and electronic properties of Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC thin films prepared by magnetron sputtering
Колич.характеристики :12 с
Место публикации : Processes. - 2023. - Vol. 11, Is. 8. - Ст.2236. - ISSN 22279717 (eISSN), DOI 10.3390/pr11082236
Примечания : Cited References: 43. - This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 21-12-00226The authors thank the laboratory of the Magnetic MAX Materials created under the Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance
Аннотация: The growth and phase formation features, along with the influence of structure and morphology on the electronic, optical, and transport properties of Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC MAX phase thin films synthesized by magnetron sputtering technique, were studied. It was found that the Cr:Ge:C atomic ratios most likely play the main role in the formation of a thin film of the MAX phase. A slight excess of carbon and manganese doping significantly improved the phase composition of the films. Cr2GeC films with a thicknesses exceeding 40 nm consisted of crystallites with well-developed facets, exhibiting metallic optical and transport properties. The hopping conduction observed in the Cr2-xMnxGeC film could be attributed to the columnar form of crystallites. Calculations based on a two-band model indicated high carrier concentrations N, P and mobility μ in the best-synthesized Cr2GeC film, suggesting transport properties close to single crystal material. The findings of this study can be utilized to enhance the growth technology of MAX phase thin films.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Andryushchenko T. A., Yakovlev I. A., Lukyanenko A. V., Shevtsov D. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Features of (Cr1-xMnx)2GeC thin film magnetron deposition
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.49
Примечания : Cited References: 3. - РНФ № 21-12-00226
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Андрющенко, Татьяна Александровна, Лященко, Сергей Александрович, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Шевцов, Дмитрий Валентинович, Яковлев, Иван Александрович, Максимова, Ольга Александровна
Заглавие : Автоматизация системы импульсного лазерного напыления тонких пленок max-фаз
Коллективы : Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. IX Байкал. междунар. конф. BICMM-2023/ чл. прогр. ком.: S. S. Aplesnin [et al.] ; чл. орг. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2023. - С. 104-105. - ISBN 978-5-962402178-0, DOI 10.26516/978-5-9624-2178-0.2023.1-207
Примечания : Библиогр.: 4
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Sobolev I., Yakovlev I. A., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic anisotropy and domain structure of epitaxia Mn5Ge3 thin film on Si(111) substrate
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.151
Примечания : Cited References: 5. - РФН № 21-12-00226 ; Красноярский регион. фонд науки
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)