Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (23)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПРОВОДИМОСТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-29 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Grossman V. G., Molokeev M. S., Bazarova J. G., Bazarov B. G.
Заглавие : High ionic conductivity of K5-xTlx(Mg0.5Hf1.5)(MoO4)6 (0 ≤ х ≤ 5) solid solutions
Место публикации : Solid State Sci. - 2022. - Vol. 134. - Ст.107027. - ISSN 12932558 (ISSN), DOI 10.1016/j.solidstatesciences.2022.107027
Примечания : Cited References: 39. - The work was supported by Basic Project of BINM SB RAS №0273-2021-0008. Structural analysis of materials in this study was partly supported by the Research Grant No. 075-15-2019-1886 from the Government of the Russian Federation . X-ray powder diffraction and thermal analysis were obtained using the equipment of the Collective Use Center BINM SB RAS
Аннотация: Novel K5-xTlx(Mg0.5Hf1.5)(MoO4)6 (0 ≤ х ≤ 5) oxides were successfully synthesized by solid state reaction. The results indicate the formation of a continuous series of solid solutions with the NASICON-like structure (sp. gr. R3¯c) in the composition range 0 x 5. The unit-cell parameters of the solid solutions increase linearly with composition, as a consequence of thallium substitution for potassium. The cation conductivity of Tl5Mg0.5Hf1.5(MoO4)6 has been shown to exceed the conductivity of the parent potassium magnesium hafnium molybdate. The highest total conductivity of 2.49 × 10−3 S/cm was found at 831 K for Tl5Mg0.5Hf1.5(MoO4)6.
Смотреть статью,
Scopus
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kolovsky A. R.
Заглавие : Master equation approach to conductivity of bosonic and fermionic carriers in one- and two-dimensional lattices
Коллективы : Russian Academy of Sciences through the SB RAS integration Project [29]
Место публикации : Ann. Phys.-Berlin: Wiley-VCH Verlag, 2014. - Vol. 526, Is. 1/2. - P.102-111. - ISSN 0003-3804, DOI 10.1002/andp.201300169. - ISSN 1521-3889
Примечания : Cited References: 24. - The author express his gratitude to D.N. Maksimov for useful remarks and acknowledge financial support of Russian Academy of Sciences through the SB RAS integration Project No. 29 (Dynamics of atomic Bose-Einstein condensates in optical lattices).
Предметные рубрики: CONDUCTANCE
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): diffusive current--the hall effect
Аннотация: The master equation approach to diffusive current of bosonic or fermionic carriers in one- and two-dimensional lattices is discussed. This approach is shown to reproduce all known results of the linear response theory, including the integer quantum Hall effect for fermionic carriers. The main advantage of the approach is that it allows to calculate the current beyond the linear response regime where new effects are found. In particular, the Hall current can be inverted by changing orientation of the static force (electric field) relative to the primary axes of the lattice.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Grossman V. G., Molokeev M. S., Bazarov B. G., Bazarova J. G.
Заглавие : Potassium and thallium conductors with a trigonal structure in the M2MoO4–Cr2(MoO4)3–Hf(MoO4)2 (M = K, Tl) systems: Synthesis, structure, and ionic conductivity
Место публикации : J. Alloys Compd. - 2021. - Vol. 873. - Ст.159828. - ISSN 09258388 (ISSN), DOI 10.1016/j.jallcom.2021.159828
Примечания : Cited References: 62. - The work was supported by Basic Project of BINM SB RAS № 0273-2021-0008 . Research was conducted using equipment of the CCU BINM SB RAS (Ulan-Ude, Russia). Structural analysis of materials in this study was partly supported by the Research Grant No. 075-15-2019-1886 from the Government of the Russian Federation
Аннотация: The triple molybdates M5CrHf(MoO4)6 (M = K, Tl) and TlCrHf0.5(MoO4)3 were found upon studying the corresponding ternary molybdate systems M2MoO4–Cr2(MoO4)3–Hf(MoO4)2 (M = K, Tl) in the subsolidus region using X-ray powder diffraction. The crystal structures of M5CrHf(MoO4)6 (M = K, Tl) and TlCrHf0.5(MoO4)3 are refined by Rietveld method. M5CrHf(MoO4)6 (M = K, Tl) crystallizes in space group Rc with unit cell parameters: a = b = 10.45548 (5), c = 37.24614 (3) Å, V = 3526.14 (4) Å3, Z = 6 for K5CrHf(MoO4)6 and a = b = 10.53406 (12), c = 37.6837 (5) Å, V = 3621.39 (9) Å3, Z = 6 for Tl5CrHf(MoO4)6. TlCrHf0.5(MoO4)3 crystallizes in space group R with unit cell parameters: a = b = 12.9710 (2), c = 11.7825 (2) Å, V = 1716.78 (6) Å3, Z = 6. The thermal stability and electrical conductivity of the new compounds were investigated. Electrical conductivity measurements gave high values for the triple molybdates M5CrHf(MoO4)6 (M = K, Tl) (σ = 5.22 × 10−4 S / cm for K5CrHf(MoO4)6, σ = 1.1 × 10−2 S / cm for Tl5CrHf(MoO4)6 at 773 K) and relatively low values for the triple molybdate TlCrHf0.5(MoO4)3 (σ = 4.42 × 10−6 S / cm at 773 K).
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Romanova O. B., Aplesnin S. S., Udod L. V.
Заглавие : Electronic Structure Change at Cationic Substitition of Manganese Sulfide by Elements with Variable Valence
Место публикации : Sib. J. Sci. Technol. - 2020. - Vol. 21, Is. 3. - P.441-450. - ISSN 2587-6066, DOI 10.31772/2587-6066-2020-21-3-441-450; \b Сибирский журнал науки и технологий
Примечания : Cited References: 27. - The reported study was funded by RFBR and BRFBR, project number 20-00005 Bel_a
Аннотация: Cation-substituted solid solutions YbxMn1-xS were prepared by the melt method from polycristalline sulfide powders. The synthesized samples are antiferromagnetic semiconductors and, according to the results of X-ray structural analysis, have an FCC structure of the NaCl type. Structural, electrical, optical, and acoustic properties of the chalcogenide system YbxMn1-xS were studied in the temperature range 80 - 500 K. The effect of variable valence elements on the electronic structure of cationic substitution of manganese sulfide has been studied. The change in the electronic structure in the YbxMn1-xS system occurs due to the electron-phonon interaction. Samples with variable valence have anomalous compressibility, which is confirmed by the data on the thermal expansion coefficient and the change in the attenuation coefficient. As a result of inelastic interaction with d- electrons, the density of states at the Fermi level changes, this is reflected in the temperature dependence of the conductivity. The positions of the f-level and two electronic transitions were determined from the IR spectra. A zone of temperatures and concentrations was found, where a correlation of structural, electrical, optical and acoustic properties is observed. To explain the experimantal results, the electronic structure of the semiconductor is considered and a model is proposed that qualitatively describes the experiment.Методом расплава из поликристаллических порошков сульфидов приготовлены катион замещенные твердые растворы YbxMn1-xS. Синтезированные образцы являются антиферромагнитными полупроводниками и согласно результатам рентгеноструктурного анализа имеют ГЦК структуру типа NaCl. Проведены исследования структурных, электрических, оптических и акустических свойств халькогенидной системы YbxMn1-xS в интервале температур 80 - 500 К. Исследовано влияние на электронную структуру элементов переменной валентности при катионном замещении сульфида марганца. Изменение электронной структуры в системе YbxMn1-xS происходит за счет электрон-фононного взаимодействия. Образцы с переменной валентностью обладают аномальной сжимаемостью, что подтверждается данными коэффициента теплового расширения и изменением коэффициента затухания. В результате неупругого взаимодействия с d-электронами меняется плотность состояний на уровне Ферми, что отражается на температурной зависимости проводимости. Из ИК спектров определены положения f-уровня и два электронных перехода. Обнаружена область температур и концентраций, где наблюдается корреляция структурных, электрических, оптических и акустических свойств. Для объяснения экспериментальных результатов рассмотрена электронная структура полупроводника и предложена модель, качественно описывающая эксперимент.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Sadreev A. F., Sherman E. Ya.
Заглавие : Effect of gate-driven spin resonance on the conductance through a one-dimensional quantum wire
Место публикации : Phys. Rev. B. - 2013. - Vol. 88, Is. 11. - Ст.115302. - P. - ISSN 1098-0121, DOI 10.1103/PhysRevB.88.115302
Аннотация: We consider quasiballistic electron transmission in a one-dimensional quantum wire subject to both time-independent and periodic potentials of a finger gate that results in a local time-dependent Rashba-type spin-orbit coupling. A spin-dependent conductance is calculated as a function of external constant magnetic field, the electric field frequency, and potential strength. The results demonstrate the effect of the gate-driven electric dipole spin resonance in a transport phenomenon such as spin-flip electron transmission. В© 2013 American Physical Society.
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Grossman, Victoria G., Bazarova J. G., Molokeev M. S., Bazarov B. G.
Заглавие : Thallium ionic conductivity of new thallium indium hafnium molybdate ceramics
Коллективы : RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [0339-2016-0007]; [18-08-00799]; [18-03-00557]
Место публикации : Ionics. - 2020. - Vol. 26. - P.6157-6165. - ISSN 0947-7047, DOI 10.1007/s11581-020-03739-7. - ISSN 1862-0760(eISSN)
Примечания : Cited References: 60. - This study was carried out within the state assignment of FASO of Russia (Theme No 0339-2016-0007) as well was supported by RFBR Grants 18-08-00799 and 18-03-00557
Предметные рубрики: POSITIVE ELECTRODE MATERIAL
CRYSTAL-STRUCTURE
TRIPLE MOLYBDATE
Аннотация: In the process of studying the system Tl2MoO4–In2(MoO4)3–Hf(MoO4)2, a new thallium indium hafnium molybdate was found. The crystal structure of the molybdate Tl5InHf(MoO4)6 was determined in the centrosymmetric space group R3¯c (a = 10.63893 (5) Å, c = 38.1447(3) Å; V = 3739.04 (4) Å3, Z = 6). The structure is a three-dimensional framework consisting of alternating (Hf,In)O6-octahedra connected by МоО4-tetrahedra. Each octahedron has common vertices with tetrahedra. The atoms arranged in this way form channels extended along with the a and b axes, in which thallium atoms are located. The conductivity behavior of Tl5InHf(MoO4)6 ceramics was studied in the temperature range from 300 to 870 K. The conductivity of the heavy cations of thallium is activated with increasing temperature.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Балаев, Дмитрий Александрович, Балаев, Александр Дмитриевич
Заглавие : Туннельная проводимость и туннельное магнитосопротивление пленок Fe-SiO: корреляция магнитотранспортных и магнитных свойств
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 7. - С. 1262-1269. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2019.07.47835.408
Примечания : Библиогр.: 48
Аннотация: Приведены результаты исследования электрических свойств системы наногранулярных аморфных пленок Fe-SiO с концентрацией SiO от 0 до 92 vol.%. Для образцов с малым содержанием SiO характерен металлический режим проводимости. С увеличением содержания диэлектрика в пленках происходит концентрационный переход от металлического к туннельному режиму проводимости при концентрации диэлектрика x≈0.6. При этой же концентрации происходит переход ферромагнетик-суперпарамагнетик, исследованный ранее магнитным методом. Для составов, соответствующих диэлектрической области, температурные зависимости электросопротивления ρ(T) следуют закону ρ(T)~exp(2(C/kT)1/2), что характерно для туннельного механизма проводимости. Оценка размеров металлических гранул из величин туннельно-активационной энергии C показала хорошее соответствие размерам, полученным ранее из анализа магнитных свойств. В диэлектрической области составов получен гигантский магниторезистивный эффект, достигающий 25% в низких температурах.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Дрокин, Николай Александрович, Масленников, Алексей Николаевич
Заглавие : Влияние ионных примесей на импедансные спектры жидких кристаллов
Место публикации : Жидкие кристаллы и их практическое использование. - 2012. - Вып. 4. - С. 39-46. - ISSN 1991-3966
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электрический импеданс--ионная проводимость--сурфактант--релаксация--диффузия--жидкие кристаллы--адсорбция
Аннотация: Проведены исследования полного комплексного сопротивления (импеданса) жидкого кристалла 8СВ, допированного ионным сурфактантом цетил-триметил-аммонием бромистым (ЦТАБ) в диапазоне частот f = 10-2 − 108 Гц. Установлено, что введение ионов в составе сурфактанта приводит к увеличению действительной и мнимой компонент импеданса в области низких частот. Используя метод замещения образца эквивалентной электрической схемой, проведена аппроксимация импедансных спектров и определены электрофизические характеристики материала.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Вальков, Валерий Владимирович, Аксенов, Сергей Владимирович, Уланов Е. А.
Заглавие : Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
Место публикации : Физ. низких температур: Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, 2015. - Т. 41, Вып. 2. - С. 129-138. - ISSN 0132-6414
Примечания : Библиогр.: 33. - Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы», Российского фонда фундаментальных исследований (гранты No3-02-00523, No13-02-98013, No14-02-31280).Один из авторов (С.В.А.) выражает благодарность гранту Президента РФ МК-526.2013 и стипендии Президента РФ СП-6361.2013.5 за оказанную поддержку.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): техника келдыша--атомное представление--отрицательная дифференциальная проводимость--электронный транспорт--наноразмерные материалы--туннелирование
Аннотация: Представлено решение задачи о квантовом транспорте электронов через магнитный атом, адсорбированный в разломный контакт между металлическими парамагнитными электродами. В соответствии с экспериментальными данными считалось, что электроны проводимости испытывают неупругое рассеяние на адсорбате, связанное с инициируемыми s - d ( f )-обменным взаимодействием переходами между магнитными подуровнями. При получении общего выражения, описывающего ток через многоуровневую структуру при конечных температурах, для вычисления неравновесных функций Грина применен метод Келдыша. Введение атомного представления позволило точно учесть неэквидистантную структуру энергетического спектра магнитного атома и применить теорему Вика для построения неравновесной диаграммной техники для операторов Хаббарда. Показано, что в магнитном поле вольт-амперные характеристики магнитного адатома с туннельной связью при низких температурах содержат участки с отрицательной дифференциальной проводимостью.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Иванова, Наталья Борисовна, Платунов, Михаил Сергеевич, Князев, Юрий Владимирович, Казак, Наталья Валерьевна, Безматерных, Леонард Николаевич, Васильев, Александр Дмитриевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Нижанковский В. И.
Заглавие : Влияние диамагнитного разбавления на магнитное упорядочение и электрическую проводимость в людвигите Co3O2BO3:Ga
Место публикации : Физ. тверд. тела: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2012. - Т. 54, Вып. 11. - С. 2080-2088. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: 30 назв. - Работа выполнена при поддержке грантов НШ-1044.2012.2, РФФИ N 12-02-00175-a, 12-02-00470-а
Аннотация: Раствор-расплавным методом выращены монокристаллы кобальтового людвигита Co3O2BO3 с диамагнитным замещением ионами Ga3+. Проведено детальное исследование кристаллической структуры и магнитных свойств. Выявлен предпочтительный характер заселения галлием неэквивалентных кристаллографических позиций. Обнаружено уменьшение эффективного магнитного момента и температуры магнитного упорядочения по сравнению с исходным кристаллом Co3O2BO3. В присутствии галлия отмечено исчезновение магнитной анизотропии в кристаллографической плоскости ab, ярко выраженной в исходном материале Co3O2BO3.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 1-10    11-20   21-29 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)