Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (113)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Поверхность<.>)

Общее количество найденных документов : 36
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-36

Изменение структуры фрактальных 3D агрегатов наночастиц при их осаждении на плоскую поверхность Фотостимули рованная коагуляция наноразмерных аэрозолей металлов / С. В. Карпов, И. Л. Исаев [и др.] // Всероссийская конференция "Физико-химические аспекты технологии наноматериалов, их свойства и применение" : тезисы докл. - Москва, 2009. - С. 213

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Карпов, Сергей Васильевич; Karpov, S. V.; Исаев, Иван Леонидович; Isaev, I. L.; Герасимов, Валерий Сергеевич; Gerasimov V. S.; Грачев, Александр Сергеевич; Рассказов, Илья Леонидович; Rasskazov, I. L.; "Физико-химические аспекты технологии наноматериалов, их свойства и применение", Всероссийская конференция(2009 ; нояб. ; 9-13 ; Москва); Научно-исследовательский физико-химический институт имени Л.Я. Карпова
}
Найти похожие

Структурные и магнитные превращения в аустенитной стали 110Г13Л при динамическом нагружении / Квеглис Л.И.Темных В.И. [и др.] // Поверхность. - 2010. - № 7. - С. 85–90

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Квеглис, Людмила Иосифовна; Kveglis, L. I.; Темных, В. И.; Казанцева, В. В.; Абылкалыкова, Р. Б.; Тажибаева, Г. Б.; Мусихин, В. А.
}
Найти похожие

Ветров, Степан Яковлевич.
Поверхностные колебания кристаллической решетки, индуцируемые диссипативными силами / С. Я. Ветров, В. Ф. Шабанов // Поверхность. - 1987. - № 5. - С. 144-146 . - ISSN 0207-3528

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шабанов, Василий Филиппович; Shabanov, V. F.; Vetrov, S. Ya.
}
Найти похожие

Изменение структуры фрактальных 3D агрегатов наночастиц при их осаждении на плоскую диэлектрическую поверхность [Текст] / С.В Карпов, И. Л. Исаев [и др.] // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы : Махачкала, 25-29 мая 2009 г. : тезисы докл. XI международной конференции. - Махачкала, 2009. - С. 145

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Карпов, Сергей Васильевич; Karpov, S. V.; Исаев, Иван Леонидович; Isaev, I. L.; Герасимов, Валерий Сергеевич; Gerasimov V. S.; Грачев, Александр Сергеевич; Рассказов, Илья Леонидович; Rasskazov, I. L.; Ципотан, Алексей Сергеевич; "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", международная конференция(11 ; 2009 ; май ; Махачкала); "Opto-, nanoelectronics, nanotechnology, and microsystems", International Conference(11 ; 2009 ; May ; Makhachkala); Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН; Дагестанский государственный университет
}
Найти похожие

Нанесение медной оболочки на поверхность частиц в двухструйном плазмотроне килогерцового диапазона частот / А. Л. Колоненко, И. В. Осипова, Н. Г. Внукова [и др.] // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов : труды VIII Междунар. конф., [09-10 июня 2011 г.]. - Курск : ЮЗГУ, 2011. - С. 245-249
Аннотация: В работе приводятся результаты исследования вещества в нанодисперсном состоянии со структурой ядро-оболочка и описывается метод нанесения металлической оболочки. Ядро - детонационный наноалмаз, а оболочка - оксид меди. Нанесение оксида меди осуществлялось в потоке медно-аргоновой плазмы, в которую с потоком гелия вводились детонационные наноалмазы. В качестве генератора плазмы использовался дуговой высокочастотный двухструйный плазмотрон с медными вставками, которые распылялись дуговым разрядом и обеспечивали наличие в плазме меди.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Колоненко, Андрей Леонидович; Kolonenko, A. L.; Осипова, Ирина Владимировна; Osipova, I. V.; Внукова, Наталья Григорьевна; Vnukova, N. G.; Томашевич, Евгений Владимирович; Tomashevich, Y. V.; Леонова, Т. А.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Чиганов, А. С.; Чурилов, Григорий Николаевич; Churilov, G. N.; "Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов", Международная конференция (8 ; 2011 ; июнь ; Ала-Ата, Казахстан); Юго-Западный государственный университет
}
Найти похожие

Нанокомпозитные пленки CoPt–Al2O3: синтез, структурные и магнитные свойства / В. С. Жигалов, Л. Е. Быкова, В. Г. Мягков [и др.] // Поверхность. - 2020. - № 1. - С. 60-67, DOI 10.31857/S1028096020010227. - Библиогр.: 29. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ совместно с Правительством Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект №. 18-42-243009р_мол_а и № 19-43-240003р_а), Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (договор № 11843ГУ/2017, код 0033636, конкурс "Умник") . - ISSN 1028-0960
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- ферромагнитные нанокомпозиты -- сплав CoPt -- магнитная анизотропия
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств нанокомпозитных пленок CoPt–Al2O3, полученных путем отжига двухслойных пленок Al/(Co3O4 + Pt) на подложке MgO(001) при температуре 650°С в вакууме. Синтезированные композитные пленки содержали ферромагнитные наногранулы CoPt со средним размером 25–45 нм, вложенные в непроводящую матрицу Al2O3. Намагниченность насыщения Ms ~ 330 Гс и коэрцитивная сила Hc ≈ 6 кЭ измерены в плоскости пленки и перпендикулярно ей. Полученные пленки обладали пространственной магнитной вращающейся анизотропией, позволяющей произвольно устанавливать легкую ось намагничивания, как в плоскости пленки, так и перпендикулярно ей, в магнитном поле напряженностью, превышающей коэрцитивную силу (H ˃ Hc).

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия CoPt-Al2O3 nanocomposite films: synthesis, structure, and magnetic properties [Текст] / V. S. Zhigalov, L. E. Bykova, V. G. Myagkov [et al.] // J. Surf. Ingestig. - 2020. - Vol. 14 Is. 1.- P.47-53

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, 660000 , Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, 660004 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V. S.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Павлова, А. Н.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A. A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2687878 Российская Федерация

Полосно-пропускающая частотно-селективная поверхность / Б. А. Беляев, В. В. Тюрнев. - № 2018126259 ; Заявл. 16.07.2018 ; Опубл. 16.05.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 14
Аннотация: Полосно-пропускающая частотно-селективная поверхность относится к микроволновой и оптической технике и может быть использовано в антеннах систем связи, преобразователях частоты и спектрометрах в диапазоне от сантиметровых до микронных длин волн. Частотно-селективная поверхность содержит разделенные слоями диэлектрика чередующиеся нерезонансные субволновые металлические решетки индуктивного и емкостного типа, выполненные соответственно в виде квадратных окон в металлическом слое и в виде плоских квадратных проводников, отличающаяся тем, что в ней все слои диэлектрика имеют одинаковую толщину величиною менее четверти длины волны в диэлектрике на центральной частоте полосы пропускания, а их количество равно удвоенному порядку полосно-пропускающего фильтра, являющегося частотно-селективной поверхностью. Техническим результатом изобретения является возможность ее изготовления с использованием пластин диэлектрика стандартной толщины. 3 ил., 1 табл.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Тюрнев, Владимир Вениаминович; Tyurnev, V. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Влияние дырочного допирования на электронную структуру и поверхность ферми в модели хаббарда в рамках кластерной теории возмущений с контролируемым спектральным весом [Текст] / С. В. Николаев, С. Г. Овчинников // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, № 1. - С. 135-150 . - ISSN 0044-4510
Рубрики:

Аннотация: Исследованы концентрационные зависимости зонной структуры, спектрального веса, плотности состояний и поверхности Ферми в парамагнитном состоянии модели Хаббарда в теории возмущений с 2 x 2-кластерами. Представление Х-операторов Хаббарда позволяет контролировать сохранение спектрального веса при построении теории возмущений. Вычисленная энергия основного состояния находится в хорошем согласии с такими непертурбативными методами, как квантовый метод Монте-Карло, точная диагонализация 4 ? 4-кластера и вариационный метод Монте-Карло. Показано, что внутрищелевые состояния при дырочном допировании расположены вблизи потолка нижней зоны Хаббарда при больших U и вблизи дна верхней зоны при малых U. Концентрационная зависимость поверхности Ферми сильно зависит от перескоков на вторые (t) и третьи (t") соседи. При характерных для ВТСП-купратов значениях параметров показано существование трех концентрационных областей с разными поверхностями Ферми. Показано, что уширение спектральной плотности электронов с типичным для современного ARPES энергетическим разрешением приводит к картинке арок с длиной, зависящей от концентрации. Только уменьшение ширины линии на порядок позволит получить из спектральной плотности истинную поверхность Ферми. В законе дисперсии ниже уровня Ферми обнаружены кинки, обусловленные сильными электронными корреляциями.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук
Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Николаев, С.В.; Овчинников, С.Г.
}
Найти похожие

Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79, DOI 10.31857/S1028096021010106. - Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022) . - ISSN 1028-0960
Кл.слова (ненормированные):
кремний-на-изоляторе -- транзистор -- барьер Шоттки -- электронная литография -- нанопроволока -- реактивно-ионное травление -- электронный транспорт
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties [Текст] / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15 Is. 1.- P.65-69

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Шанидзе, Лев Викторович; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Зеленов, Ф. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

10.

Казанина, С. Д.
Поверхность Ферми в нематической фазе сверхпроводников на основе железа / С. Д. Казанина, науч. рук. М. М. Коршунов // XIV Cибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО-2023) : сб. тезисов докладов / орг. ком., прогр. ком. С. Г. Овчинников [и др.]. - Красноярск, 2023. - С. 37-38. - Библиогр.: 2

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \орг. ком., прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Балаев, Дмитрий Александрович \орг. ком.\; Balaev, D. A.; Коршунов, Максим Михайлович \орг. ком., прогр. ком.\; Korshunov, M. M.; Шнейдер, Елена Игоревна \орг. ком.\; Shneyder, E. I.; Николаев, Сергей Викторович \орг. ком., прогр. ком.\; Nikolaev, S.V.; Макаров, Илья Анатольевич \орг. ком., прогр. ком.\; Makarov, I. A.; Кузнецов, Виталий Анатольевич \орг. ком., прогр. ком.\; Прудников, Павел Владимирович \орг. ком., прогр. ком.\; Дерягина, Ирина Леонидовна \прогр. ком.\; Коршунов, Максим Михайлович; Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур(14 ; 2023 ; 6-10 сент. ; Красноярск); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Сибирский федеральный университет; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского
}
Найти похожие