Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (14)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Слои<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Sutormin V. S., Krakhalev M. N., Timofeev I. V., Bikbaev R. G., Prishchepa O. O., Zyryanov V. Ya.
Заглавие : Cholesteric layers with tangential-conical surface anchoring for an electrically controlled polarization rotator
Место публикации : Opt. Mater. Express. - 2021. - Vol. 11, Is. 5. - P.1527-1536. - ISSN 21593930 (ISSN), DOI 10.1364/OME.425130
Примечания : Cited References: 25. - Russian Science Foundation (Grant No. 18-72-10036)
Аннотация: The voltage dependences of polarization characteristics of light passed through the cholesteric layers with tangential-conical boundary conditions have been investigated. It has been shown that such layers allow turning the polarization azimuth more than 70˚ because of the unique untwisting effect of the cholesteric helix, due to free azimuthal rotation of the director on the substrate with conical anchoring. Optical cells under study have some advantages (low control voltage, smooth variation of polarization azimuth, simplicity of design) and can be used as an electrically controlled polarization rotator of white light.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич
Заглавие : Влияние ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких I2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Коллективы : Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Российская конференция по физике полупроводников (11; 2013 ; сент. ; 16–20; Санкт-Петербург)
Место публикации : XI Рос. конф. по физ. полупроводников: Тезисы докладов. - СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2013. - Ст.Вт-2.8с (Rep_0061). - С. 161. - ISBN 978-5-93634-033-3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поверхность--пленки--слои
Смотреть тезисы
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шенгуров В. Г., Шабанов, Александр Васильевич, Шабанов, Василий Филиппович
Заглавие : Дельта-легированные слои кремния, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии с облучением поверхности роста низкоэнергетическими ионами
Место публикации : Неорган. матер. - 1999. - Т. 35, N 5. - С. 519-522. - ISSN 0002-337X
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Тюрнев, Владимир Вениаминович
Заглавие : Дифракция электромагнитных волн на одномерной решетке полосковых проводников, расположенной на границе раздела диэлектрических сред
Место публикации : Изв. вузов. Физика: Томский государственный университет, 2015. - Т. 58, № 5. - С. 57-66. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: 17. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ, соглашение № 14.607.21.0039
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электромагнитные волны--диэлектрические слои--полосковые проводники--дифракция
Аннотация: Получены аналитические формулы для коэффициентов прохождения и отражения электромагнитных волн E- и H-поляризаций при их падении под произвольным углом на одномерную решетку полосковых проводников, расположенную на границе раздела двух диэлектрических сред. Показана возможность регулирования отражательной способности решетки в широких пределах варьированием ее конструктивных параметров, что позволяет использовать исследуемые структуры в многослойных диэлектрических полосно-пропускающих фильтрах.
РИНЦ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Диденко О. Н., Иванцов, Руслан Дмитриевич, Гребенькова, Юлия Эрнестовна
Заглавие : Интерфейсные слои в пленочных структурах Ni-Ge и их влияние на магнитные свойства образца
Коллективы : Ассоциация студентов-физиков и молодых ученых России, Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В.Ломоносова, Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт электрофизики УрО РАН, Архангельский научный центр УрО РАН, Всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых ученых (19; 2013 ; 28 марта - 4 апр.; Архангельск)
Место публикации : Девятнадцатая Всерос. науч. конф. студ.-физиков и мол. учёных (ВНКСФ-19): матер. конф. - 2013. - С. 106–107
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Семенов А. П., Семенова И. А., Чурилов, Григорий Николаевич
Заглавие : Получение композитных слоев, содержащих фуллерены, распылением и испарением фуллеренов ионными и электронными пучками
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 3/3. - С. 246-251. - ISSN 0021-3411
Примечания : Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект № 12-08-98000-р_сибирь_а) и СО РАН (проект № II.9.3.1).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионное распыление--электронное испарение--слои фуллеренов
Аннотация: Представлен новый подход к получению слоев, содержащих фуллерены и элементы примеси. Прогнозируется, что кластерный механизм распыления фуллеренов ускоренными ионами создает предпосылки синтеза фуллеренов на подложке с возможностью введения элемента примеси в полость молекулы фуллеренов. Возможность такого подхода экспериментально показана на примере распыления пучком ионов Ar фуллереновых смесей С 60 и С 70, синтезированных в плазмохимическом реакторе при давлении 10 5 Па и содержащих в качестве примеси один из элементов Fe, Na, B, Gd или Se. Из порошков фуллереновых смесей распылением в вакууме ~ 10 -2 Пa ионным пучком выращены микронной толщины слои, содержащие фуллерены С 60 и С 70 и элемент примеси Fe, Na, B, Gd или Se. Рассмотрено применение трубчатого пучка электронов для эффективного испарения фуллереновой смеси в вакууме ~ 10 -2 Пa. При сведении за время 0.1-1 с такого пучка электронов мощностью ~ 1 кВт в пятно обеспечивается взрывное испарение фуллеренов при предельно высокой эффективности нагрева. Сравнительный анализ спектров комбинационного рассеяния и электронных спектров поглощения исходного порошка фуллереновой смеси и сформированных фуллереновых слоев показал, что испарение фуллеренов С 60 и С 70 происходит без разрыва С-С-ковалентных связей. Показана возможность нанесения слоев фуллеренов на поверхности площадью ~ 0.1 м 2.
РИНЦ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Тюрнев, Владимир Вениаминович
Заглавие : Применение решеток полосковых проводников в оптических многослойных полосно-пропускающих фильтрах
Место публикации : Изв. вузов. Физика: Томский государственный университет, 2015. - Т. 58, № 8/3. - С. 114-117. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: 6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические фильтры--диэлектрические слои-резонаторы--решетки полосковых проводников--optical filters--dielectric layer-resonators--gratings of strip conductors
Аннотация: Вместо многослойных диэлектрических зеркал в оптических полосно-пропускающих фильтрах предлагается использовать решетки параллельных полосковых проводников. Это расширяет не только нижнюю полосу заграждения, но и верхнюю, приближая ее край к частоте 2f0, где f0 – центральная частота полосы пропускания. Представлены амплитудно-частотные характеристики и конструктивные параметры фильтров пятого порядка.We propose to use the gratings of parallel strip conductors in optical multilayer bandpass filters instead of multilayer dielectric mirrors. Such a substitution enables extension of the lower stopband, having eliminated completely the spurious passband, as well as extension of the upper stopband, having brought its upper edge closer to frequency 2f0 where f0 is the center frequency of the passband. The structure parameters for some synthesized filters and their computed frequency responses are presented.
Найти похожие