Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оксид индия<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Тарасов, Антон Сергеевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Мягков, Виктор Григорьевич, Тамбасова Е. Г.
Заглавие : Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах
Коллективы : "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция
Место публикации : Решетневские чтения: материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - ISBN 1990-7702
Примечания : Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К.").
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид индия--тонкие пленки--автоволновое окисление--indium oxide--thin films--autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.
Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Фадеева Н. П., Сайкова С. В., Пикурова Е. В., Воронин А. С., Фадеев Ю. В., Самойло А. С., Тамбасов, Игорь Анатольевич
Заглавие : Новый метод получения прозрачных проводящих пленок оксида индия (III) и оксида индия-олова
Место публикации : Журн. СФУ. Химия. - 2021. - Т. 14, № 1. - С. 45-58. - ISSN 1998-2836, DOI 10.17516/1998-2836-0215; J. Sib. Fed. Univ. Chem. - ISSN 2313-6049(eISSN)
Примечания : Библиогр.: 36. - Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 18-33-00504) и стипендии Президента Российской Федерации (СП-2235.2019.1). В работе использованы приборы ЦКП СФУ и Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН
Предметные рубрики: ITO THIN-FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
DEPOSITION
Аннотация: В работе получены седиментационно устойчивые золи гидроксидов индия (III) и олова (IV) методом анионообменного синтеза, заключающимся в обменной реакции между ОН‑ионами анионообменной смолы и анионами металлосодержащих растворов. Синтезированные гидрозоли использованы для получения проводящих пленок оксида индия (III) In2O3 и оксида индия, легированного оловом In2O3:Sn, с поверхностным сопротивлением 4 кОм/кв, толщинами 200–500 нм и прозрачностью более 85 %. Подобраны режимы нанесения прекурсоров на стеклянные подложки модифицированным спрей-методом и методом центрифугирования. Пленки исследованы с помощью РФА, СЭМ, оптической микроскопии и спектрофотометрии.In the work, sedimentation-stable sols of indium (III) and tin (IV) hydroxides were obtained by the Anion Resin Exchange Precipitation, which consists of the exchange reaction between the OH ions of the anion exchange resin and the anions of metal-containing solutions. The synthesized hydrosols were used to obtain conducting films of indium (III) In2O3 oxide and indium oxide doped with Tin In2O3: Sn, with a surface resistance of 4 kOhm/sq, thicknesses of 200-500 urn and a transparency of more than 85 %. The modes of applying precursors to glass substrates by the modified spray method and centrifugation method are selected. Films were studied using XRD, SEM, optical microscopy and spectrophotometry.
Смотреть статью,
РИНЦ,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие