Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (259)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=пленки<.>)
Общее количество найденных документов : 214
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Э 19 рукописный текст
Автор(ы) : Галепов, Павел Степанович
Заглавие : Гальваномагнитные эффекты в монокристаллических пленках никеля, железа, кобальта и их двойных сплавов : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук
Выходные данные : Красноярск, 1971
Колич.характеристики :123 с
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт физики Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр.: 95 назв. - автореферат отсутствует
ГРНТИ : 29.19.16 + 29.19.39
ББК : В371.26я031
Предметные рубрики: Тонкие пленки магнитные-- Свойства магнитные-- Исследование
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Komogortsev S. V., Denisova E. A., Iskhakov R. S., Balaev A. D., Chekanova L. A., Kalinin Yu. E., Sitnikov A. V.
Заглавие : Multilayer nanogranular films (Co40Fe40B20)50(SiO2)50/α-Si:H and (Co40Fe40B20)50(SiO2)50/SiO2: Magnetic properties
Место публикации : J. Appl. Phys. - 2013. - Vol. 113, Is. 17. - Ст.17C105. - DOI 10.1063/1.4794361
Аннотация: Magnetic properties of multilayers, consisting of nanogranular (Co40Fe40B20)50(SiO2)50 layers as thin as magnetic granule diameter alternating the α-Si:H or SiO2 layers and the single layer film (Co40Fe40B20)50(SiO2)50 with the thickness much larger than the magnetic granule diameter are reported and compared. The thick single layer film is ferromagnetic but the multilayer film with the ultrathin granular layers and SiO2 spacer is superparamagnetic. This is interpreted as the result of increasing percolation threshold in the 2D granular media above 50% concentration of magnetic granules in the multilayer with the nonmagnetic and dielectric SiO2 spacer. The multilayer with the α-Si:H spacer is superparamagnetic at 300 K but it becomes ferromagnetic, when temperature is below 250 K. It is assumed to be resulted from the exchange interaction of magnetic granules through the semiconductor α-Si:H layers. The value of exchange interaction through the semiconductor spacer is estimated.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич
Заглавие : Влияние ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких I2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Коллективы : Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Российская конференция по физике полупроводников (11; 2013 ; сент. ; 16–20; Санкт-Петербург)
Место публикации : XI Рос. конф. по физ. полупроводников: Тезисы докладов. - СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2013. - Ст.Вт-2.8с (Rep_0061). - С. 161. - ISBN 978-5-93634-033-3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поверхность--пленки--слои
Смотреть тезисы
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Говорун, Илья Валерьевич, Лексиков, Александр Александрович, Сержантов, Алексей Михайлович
Заглавие : Микрополосковое устройство защиты с резонансным элементом связи, выполненным из пленки ВТСП
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/2. - С. 76-78
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микрополосковый резонатор--втсп--устройство защиты--взаимодействие резонаторов.--microstrip resonator--hts--protection device--interaction of resonators
Аннотация: Разработано и исследовано устройство защиты от радиоимпульса, представляющее собой трехзвенный микрополосковый фильтр, в котором прямая связь между входным и выходным резонаторами отсутствует, а полоса пропускания формируется посредством их взаимодействия со средним резонатором, полосковый проводник которого выполнен из ВТСП-пленки. Изготовлены макеты устройства с центральными частотами 8,6 ГГц и 9,4 ГГц и относительной шириной полосы пропускания 15 и 3,5 %, обеспечивающие подавление сигнала в режиме ограничения более чем на 25 дБ.Construction of protection device against radio pulse having a structure of three-pole microstrip filter is developed and investigated. In the device outer resonators are coupled through a middle resonator, which is fulfilled of hightemperature superconducting film. Prototypes of the devices with central frequency 8,6 GHz and 9,4 GHz and relative bandwidth 15 and 3,5 % suppress a signal not less 25 dB in the limitation state.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Лексиков, Александр Александрович, Изотов, Андрей Викторович, Сержантов, Алексей Михайлович, Соловьев, Платон Николаевич, Лемберг, Константин Вячеславович
Заглавие : Экспериментальное и теоретическое исследование влияния на высокочастотные свойства тонких магнитных пленок искусственной текстуры подложек
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/2. - С. 263-266
Примечания : Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ, госконтракт № 14.513.11.0010, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009−2013» и гранта РФФИ № 12-02-12008-офи_м
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): текстура подложки--тонкие магнитные пленки--ферромагнитный резонанс--микромагнитное моделирование--artificial texture in substrate--magnetic films--ferromagnetic resonance--numerical micromagnetic simulation
Аннотация: С помощью сканирующего спектрометра ферромагнитного резонанса (ФМР) получены экспериментальные зависимости резонансного поля и ширины линии ФМР тонких пермаллоевых магнитных пленок, осажденных в вакууме на подложки с искусственно созданной текстурой. Текстура получена нанесением алмазным резцом параллельных рисок на стеклянные подложки с периодичностью от 5 до 200 мкм. Обнаружено, что наличие текстуры приводит к существенному росту резонансного поля и ширины линии ФМР, когда внешнее поле направлено ортогонально рискам. На основе численного микромагнитного моделирования дано объяснение природы наблюдаемых в магнитных пленках эффектов.Using the scanning spectrometer of ferromagnetic resonance (FMR) the experimental dependences of the resonance field and FMR line width of thin permalloy magnetic films, which were deposited in vacuum on the substrate with an artificial texture, were obtained. The texture was produced by putting parallel grooves using a diamond cutter on glass substrates with period from 5 to 200 μm. It was found that the presence of the texture was leading to an essential increase of th resonance field and FMR line width, when the external field was directed orthogonal to the grooves. On the base of a numerical micromagnetic simulation the explanation of nature of observable in thin magnetic films effects was given.
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Изотов, Андрей Викторович, Соловьев, Платон Николаевич
Заглавие : Исследование влияния технологических условий вакуумного напыления тонких магнитных пленок на основные характеристики получаемых образцов
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/2. - С. 209-212
Примечания : Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, Госконтракт № 14.513.11.0010, и ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009−2013 гг.»
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумное напыление--анизотропия--намагниченность насыщения--тонкие магнитные пленки--vacuum deposition--magnetic anisotropy--saturation magnetization--thin magnetic films
Аннотация: С помощью сканирующего спектрометра ферромагнитного резонанса проведены исследования влияния технологических условий вакуумного напыления тонких магнитных пленок на основные характеристики получаемых образцов. Показана сильная корреляция между распределением осей легкого намагничивания пленок и неоднородностью распределения внешнего магнитного поля, приложенного во время напыления. Установлено, что небольшое отклонение угла падения атомов от нормали в процессе изготовления образцов также оказывает сильное влияние на магнитные характеристики тонких пленок.Using the scanning spectrometer of ferromagnetic resonance the study of influence the technological conditions of vacuum deposition of thin magnetic films on major properties of produced samples were performed. The strong correlation between easy directions of magnetic films and non-uniformity in distribution of external magnetic field, applied during the deposition, were shown. It was found that the small deviation of incidence angle of atoms from the normal during the producing of specimens also strong effected on magnetic parameters of thin films.
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Фролов, Георгий Иванович, Жигалов, Виктор Степанович
Заглавие : Нанокристаллические магнитные пленки
Выходные данные : Красноярск: СибГАУ, 2012
Колич.характеристики :142 с
Коллективы : Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева, Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 128 назв.
ISBN, Цена 978-5-86433-532-1:
Содержание : Физические свойства наночастиц 3-d металлов ; Технология получения и методы исследования морфологии и структуры нанокристаллических магнитных пленок ; Структура и свойства нанокристаллических магнитных пленок ; Физические свойства и применение наногранулированных магнитных пленок
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Комогорцев, Сергей Викторович, Шефтель, Елена Наумовна
Заглавие : Экспериментальные методы изучения микромагнитной структуры нанокристаллических ферромагнетиков: Метод корреляционной магнитометрии
Место публикации : Материаловедение. - 2013. - № 10. - С. 3-9. - ISSN 1684-579X
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокристаллические ферромагнетики--микромагнитная структура--метод корреляционной магнитометрии--ленты и пленки сплавов на основе fe и co
Аннотация: В представленном обзоре литературных данных, включающих работы авторов, рассматриваются экспериментальные методы исследования и количественной оценки параметров микромагнитной структуры нанокристаллических ферромагнетиков, определяющих магнитные свойства этих материалов. Особое внимание уделено методу корреляционной магнитометрии. Рассматривается применение этого метода к нанокристаллическим сплавам на основе Fe и Co, полученным в виде лент, пленок и нанонитей.
РИНЦ,
Смотреть статью
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 63 рукописный текст
Автор(ы) : Комалов, Александр Семенович
Заглавие : Монокристаллические пленки Fe, Ni, Co и их коэрцитивная сила : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук
Выходные данные : Красноярск, 1970
Колич.характеристики :130 л.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт физики Сибирского отделения АН СССР, Красноярский государственный университет
Примечания : Библиогр.: 138 назв. - автореферат отсутствует
ГРНТИ : 29.19.16
ББК : В371.26я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)