Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (23)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=проводимость<.>)

Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 20

    Метод импедансной спектроскопии для тестирования увлажненных зерен пшеницы / А. В. Чжан, Н. А. Дрокин, Н. М. Ничкова, Ж. М. Мороз // Вестн. НГАУ. - 2022. - № 2. - С. 59-68 ; Bull. NSAU, DOI 10.31677/2072-6724-2022-63-2-59-68. - Библиогр.: 16 . - ISSN 2072-6724
   Перевод заглавия: Impedance spectroscopy method for testing moistened wheat crops
Кл.слова (ненормированные):
зерно -- импеданс -- влажность -- проводимость -- диэлектрическая проницаемость -- grain -- impedance -- moisture -- conductivity -- dielectric constant
Аннотация: Представлены результаты исследования электрических и диэлектрических характеристик увлажнённых зёрен пшеницы методом измерений их комплексного электрического сопротивления (импеданса Z) в широком диапазоне частот (от 1 Гц до 100 МГц). Результаты измерений электрического импеданса зерна с поверхностным или объёмным содержанием влаги в разных условиях эксперимента могут дать полезную информацию о свойствах биологических тканей зерновых культур и использоваться для разработки нового типа импедансных датчиков для тестирования качества зерна и его влажности. В качестве объекта исследований использовались хорошо высушенные зёрна пшеницы и зёрна, насыщенные влагой и солевым раствором. Серьёзной проблемой при измерениях импеданса зёрен является выбор подходящего материала электродов, накладываемых на торцевые поверхности образцов. Электроды должны обеспечивать надёжный контакт с зерном и обладать минимальным переходным сопротивлением. Для исключения поперечной деформации торцевые поверхности прессованных образцов укрепляли защитным диэлектрическим кольцом. Такие контакты обеспечивали переходное сопротивление в пределах 1–2 Ом. В области низких частот выявлены процессы накопления электрических зарядов вблизи поверхности металлических электродов и на внутренних структурах зерна, приводящие к увеличению диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь. В области более высоких частот поведение активной и реактивной компонент импеданса определяется процессами диэлектрической релаксации. Полученные спектры импеданса сопоставлялись со спектрами наиболее подходящих эквивалентных электрических схем, радиотехнические компоненты которых позволяют понять основные механизмы прохождения переменного электрического тока через сложную неоднородную структуру зерна. Установлено, что увлажнение зерна подсоленной водой усиливает процесс накопления электрических зарядов и влияет на дисперсию действительной и мнимой компонент импеданса.
The authors presented the results of a study of the electrical and dielectric characteristics of wetted wheat grains by measuring their complex electrical resistance (impedance Z) in a wide frequency range (from 1 Hz to 100 MHz). The results of electrical impedance measurements of grains with surface or volumetric moisture content under different experimental conditions can provide useful information on the properties of the biological tissues of grain crops. These results can also be used to develop a new type of impedance sensor for testing grain quality and moisture content. The authors used well-dried wheat grains and grains saturated with moisture and saline as objects of research. A major problem in grain impedance measurements is the selection of a suitable electrode material to be placed on the end surfaces of the samples. The electrodes must ensure reliable contact with the grain and have a minimum transient resistance. The end surfaces of the pressed samples were reinforced with a protective dielectric ring to prevent transverse deformation. These contacts provided a transition resistance between 1-2 ohms. The authors have identified processes of accumulation of electric charges near the surface of metal electrodes at low frequencies and on internal grain structures, leading to an increase in the dielectric permittivity and dissipation factor. The behavior of the active and reactive components of the impedance at higher frequencies is determined by dielectric relaxation processes. The obtained impedance spectra were compared with the spectra of the most suitable equivalent electrical circuits. The radio components of the circuits provide information about the basic mechanisms of alternating electric current flow through the complex inhomogeneous structure of the grain. The authors found that moistening the grain with saline water enhances the process of accumulation of electric charges and affects the dispersion of the real and imaginary components of the impedance.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Красноярский государственный аграрный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия
Красноярский институт железнодорожного транспорта – филиал Иркутского государственного университета путей сообщения, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Чжан, А. В.; Дрокин, Николай Александрович; Drokin, N. A.; Ничкова, Н. М.; Мороз, Ж. М.

}
Найти похожие

    High ionic conductivity of K5-xTlx(Mg0.5Hf1.5)(MoO4)6 (0 ≤ х ≤ 5) solid solutions / V. G. Grossman, M. S. Molokeev, J. G. Bazarova, B. G. Bazarov // Solid State Sci. - 2022. - Vol. 134. - Ст. 107027, DOI 10.1016/j.solidstatesciences.2022.107027. - Cited References: 39. - The work was supported by Basic Project of BINM SB RAS №0273-2021-0008. Structural analysis of materials in this study was partly supported by the Research Grant No. 075-15-2019-1886 from the Government of the Russian Federation . X-ray powder diffraction and thermal analysis were obtained using the equipment of the Collective Use Center BINM SB RAS . - ISSN 1293-2558
   Перевод заглавия: Высокая ионная проводимость твердых растворов K5-xTlx(Mg0.5Hf1.5)(MoO4)6 (0 ≤ х ≤ 5)
Кл.слова (ненормированные):
Synthesis -- Thallium -- Potassium -- Molybdates -- DSC -- Conducting material
Аннотация: Novel K5-xTlx(Mg0.5Hf1.5)(MoO4)6 (0 ≤ х ≤ 5) oxides were successfully synthesized by solid state reaction. The results indicate the formation of a continuous series of solid solutions with the NASICON-like structure (sp. gr. R3¯c) in the composition range 0 < x < 5. The unit-cell parameters of the solid solutions increase linearly with composition, as a consequence of thallium substitution for potassium. The cation conductivity of Tl5Mg0.5Hf1.5(MoO4)6 has been shown to exceed the conductivity of the parent potassium magnesium hafnium molybdate. The highest total conductivity of 2.49 × 10−3 S/cm was found at 831 K for Tl5Mg0.5Hf1.5(MoO4)6.

Смотреть статью,
Scopus
Держатели документа:
Baikal Institute of Nature Management, SB RAS, Sakhyanovoy St., 6, Ulan-Ude, 670047, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC, Siberian Branch, Academy of Sciences, 50 / 38 Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, 82 Svobodniy Av., Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Department of Physics, Far Eastern State Transport University, Serysheva str. 47, Khabarovsk, 680021, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Grossman, V. G.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Bazarova, J. G.; Bazarov, B. G.
}
Найти похожие

    Особенности спектральных характеристик электрического импеданса увлажненных зерен пшеницы / А. В. Чжан, Н. А. Дрокин, Н. М. Ничкова, Ж. М. Мороз // Усп. совр. естествознания. - 2022. - № 5. - С. 34-38 ; Adv. curr. nat. sci., DOI 10.17513/use.37821. - Библиогр.: 9 . - ISSN 1681-7494
   Перевод заглавия: Features of the spectral characteristics of the electrical impendance of wetted wheat grains
Кл.слова (ненормированные):
биологические ткани -- зерно -- пшеница -- импеданс -- проводимость -- диэлектрическая проницаемость -- biological tissues -- grain -- wheat -- impedance -- conductivity -- dielectric constant
Аннотация: Целью работы является определение особенностей спектральных характеристик электрического импеданса зерен пшеницы. Исследованы электрофизические свойства цельных спрессованных, а также размолотых образцов зёрен пшеницы с различной влажностью в диапазоне частот от 1 Гц до 100 МГц. Исходная партия зерен предварительно высушивалась в нагревательном шкафу при температуре 60 °С и затем насыщалась влагой в паровой бане при той же температуре. Влажность оценивалась по разнице веса между исходным и подвергнутым воздействию образцами (сушке или увлажнению). Исследовались образцы двух типов, отличающихся способом подготовки и структурой. Образцы первого типа состояли из цельных зерен, которые помещались в пресс-форму и подвергались всестороннему сжатию небольшим давлением, что исключало наличие воздушных промежутков между зернами. В образцах второго типа зерна предварительно размалывались в ступе и затем в виде порошка помещались в измерительную ячейку. Измерительная ячейка с образцом при комнатной температуре подключалась к анализаторам спектров Elins 1500J и Agilent E5061B, которые позволяют получать частотные зависимости импеданса и фазы. Согласно полученным данным, область низких частот (до 10 кГц) характеризуется преобладающим влиянием активной составляющей полного сопротивления, в то время как выше этой частоты преобладает реактивная часть. Выявлены процессы накопления электрических зарядов у поверхности металлических электродов, которые экранируют внешнее электрическое поле и приводят к аномальному увеличению диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь в области низких частот. Полученные спектры сопоставлялись со спектрами наиболее подходящих эквивалентных электрических схем, радиотехнические компоненты которых помогают понять основные механизмы прохождения переменного электрического тока через неоднородную структуру зерна.
The aim of this work is to determine the features of the spectral characteristics of the electrical impedance of wheat grains. The electrophysical properties of whole pressed and ground samples of wheat grains with different moisture content in the frequency range from 1 Hz to 100 MHz have been studied. The initial batch of grains was preliminarily dried in a heating cabinet at a temperature of 60°C and then saturated with moisture in a steam bath at the same temperature. Moisture was estimated from the difference in weight between the original and exposed samples (drying or wetting). Samples of two types were studied, differing in the method of preparation and structure. Samples of the first type consisted of whole grains, which were placed in a mold and subjected to all-round compression by a small pressure, which excluded the presence of air gaps between the grains. In samples of the second type, the grains were preliminarily ground in a mortar and then placed in the form of a powder into a measuring cell. The measuring cell with the sample at room temperature was connected to the Elins 1500J and Agilent E5061B spectrum analyzers, which make it possible to obtain the frequency dependences of the impedance and phase. According to the data obtained, the low-frequency region (up to 10 kHz) is characterized by the predominant influence of the active component of the impedance, while above this frequency, the reactive part predominates. The processes of accumulation of electric charges near the surface of metal electrodes, which shield the external electric field and lead to an anomalous increase in the permittivity and loss tangent in the low-frequency region are revealed. The obtained spectra were compared with the spectra of the most suitable equivalent electrical circuits, the radio engineering components of which help to understand the main mechanisms of the passage of an alternating electric current through a heterogeneous grain structure.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Красноярский государственный аграрный университет
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Иркутский государственный университет путей сообщения

Доп.точки доступа:
Чжан, А. В.; Дрокин, Николай Александрович; Drokin, N. A.; Ничкова, Н. М.; Мороз, Ж. М.

}
Найти похожие

    Potassium and thallium conductors with a trigonal structure in the M2MoO4–Cr2(MoO4)3–Hf(MoO4)2 (M = K, Tl) systems: Synthesis, structure, and ionic conductivity / V. G. Grossman, M. S. Molokeev, B. G. Bazarov, J. G. Bazarova // J. Alloys Compd. - 2021. - Vol. 873. - Ст. 159828, DOI 10.1016/j.jallcom.2021.159828. - Cited References: 62. - The work was supported by Basic Project of BINM SB RAS № 0273-2021-0008 . Research was conducted using equipment of the CCU BINM SB RAS (Ulan-Ude, Russia). Structural analysis of materials in this study was partly supported by the Research Grant No. 075-15-2019-1886 from the Government of the Russian Federation . - ISSN 0925-8388
   Перевод заглавия: Калиевые и таллиевые проводники с тригональной структурой в системах M2MoO4-Cr2(MoO4)3–Hf(MoO4)2 (M = K, Tl): синтез, структура и ионная проводимость
Кл.слова (ненормированные):
Synthesis -- Thallium -- Potassium -- Molybdates -- Phase diagram -- DSC -- Conducting material
Аннотация: The triple molybdates M5CrHf(MoO4)6 (M = K, Tl) and TlCrHf0.5(MoO4)3 were found upon studying the corresponding ternary molybdate systems M2MoO4–Cr2(MoO4)3–Hf(MoO4)2 (M = K, Tl) in the subsolidus region using X-ray powder diffraction. The crystal structures of M5CrHf(MoO4)6 (M = K, Tl) and TlCrHf0.5(MoO4)3 are refined by Rietveld method. M5CrHf(MoO4)6 (M = K, Tl) crystallizes in space group Rc with unit cell parameters: a = b = 10.45548 (5), c = 37.24614 (3) Å, V = 3526.14 (4) Å3, Z = 6 for K5CrHf(MoO4)6 and a = b = 10.53406 (12), c = 37.6837 (5) Å, V = 3621.39 (9) Å3, Z = 6 for Tl5CrHf(MoO4)6. TlCrHf0.5(MoO4)3 crystallizes in space group R with unit cell parameters: a = b = 12.9710 (2), c = 11.7825 (2) Å, V = 1716.78 (6) Å3, Z = 6. The thermal stability and electrical conductivity of the new compounds were investigated. Electrical conductivity measurements gave high values for the triple molybdates M5CrHf(MoO4)6 (M = K, Tl) (σ = 5.22 × 10−4 S / cm for K5CrHf(MoO4)6, σ = 1.1 × 10−2 S / cm for Tl5CrHf(MoO4)6 at 773 K) and relatively low values for the triple molybdate TlCrHf0.5(MoO4)3 (σ = 4.42 × 10−6 S / cm at 773 K).

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Baikal Institute of Nature Management, SB RAS, Sakhyanovoy St., 6, Ulan-Ude, 670047, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC, Siberian Branch, Academy of Sciences, 50/38 Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, 82 Svobodniy Av., Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Department of Physics, Far Eastern State Transport University, Serysheva str. 47, Khabarovsk, 680021, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Grossman, V. G.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Bazarov, B. G.; Bazarova, J. G.
}
Найти похожие

Романова, Оксана Борисовна.
Влияние электронного и дырочного допирования на транспортные характеристики халькогенидных систем / О. Б. Романова, С. С. Аплеснин, Л. В. Удод // Физ. тверд. тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 5. - С. 606-609, DOI 10.21883/FTT.2021.05.50808.269. - Библиогр.: 21. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и БРФФИ в рамках научного проекта N 20-52-00005 . - ISSN 0367-3294
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- проводимость -- константа Холла -- подвижность
Аннотация: Проведены исследования электрических свойств и эффекта Холла в полупроводниковых соединениях Ag0.01Mn0.99S и Tm0.01Mn0.99S в интервале температур 80-400 K в магнитном поле 12 kOe. Установлен механизм проводимости, зависящий от типа допирования и концентрации из вольт-амперных характеристик. При замещении марганца серебром найден моттовский тип, а замещение тулием вызывает омическую проводимость. Из константы Холла найдена подвижность и тип носителей заряда.

Смотреть статью,
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Romanova O. B. Effect of electron and hole doping on the transport characteristics of chalcogenide systems [Текст] / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, L. V. Udod // Phys. Solid State. - 2021. - Vol. 63 Is. 5.- P.754-757

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Удод, Любовь Викторовна; Udod, L. V.; Romanova, O. B.
}
Найти похожие

    Thallium ionic conductivity of new thallium indium hafnium molybdate ceramics / V. G. Grossman, J. G. Bazarova, M. S. Molokeev, B. G. Bazarov // Ionics. - 2020. - Vol. 26. - P. 6157-6165, DOI 10.1007/s11581-020-03739-7. - Cited References: 60. - This study was carried out within the state assignment of FASO of Russia (Theme No 0339-2016-0007) as well was supported by RFBR Grants 18-08-00799 and 18-03-00557 . - ISSN 0947-7047. - ISSN 1862-0760
   Перевод заглавия: Таллий-ионная проводимость новой керамики на основе таллия, индия, гафния, молибдата

РУБ Chemistry, Physical + Electrochemistry + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
POSITIVE ELECTRODE MATERIAL
CRYSTAL-STRUCTURE
TRIPLE MOLYBDATE
Кл.слова (ненормированные):
Synthesis -- Thallium -- Molybdates -- Phase diagram -- DSC -- Conducting material
Аннотация: In the process of studying the system Tl2MoO4–In2(MoO4)3–Hf(MoO4)2, a new thallium indium hafnium molybdate was found. The crystal structure of the molybdate Tl5InHf(MoO4)6 was determined in the centrosymmetric space group R3¯c (a = 10.63893 (5) Å, c = 38.1447(3) Å; V = 3739.04 (4) Å3, Z = 6). The structure is a three-dimensional framework consisting of alternating (Hf,In)O6-octahedra connected by МоО4-tetrahedra. Each octahedron has common vertices with tetrahedra. The atoms arranged in this way form channels extended along with the a and b axes, in which thallium atoms are located. The conductivity behavior of Tl5InHf(MoO4)6 ceramics was studied in the temperature range from 300 to 870 K. The conductivity of the heavy cations of thallium is activated with increasing temperature.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Baikal Inst Nat Management, Siberian Branch, Sakhyanovoy St 6, Ulan Ude 670047, Buryat Republic, Russia.
Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, 50-38 Akademgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, 82 Svobodniy Av, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Grossman, Victoria G.; Bazarova, J. G.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Bazarov, B. G.; RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [0339-2016-0007]; [18-08-00799]; [18-03-00557]
}
Найти похожие

    Romanova, O. B.
    Electronic Structure Change at Cationic Substitition of Manganese Sulfide by Elements with Variable Valence / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, L. V. Udod // Sib. J. Sci. Technol. - 2020. - Vol. 21, Is. 3. - P. 441-450 ; Сибирский журнал науки и технологий, DOI 10.31772/2587-6066-2020-21-3-441-450. - Cited References: 27. - The reported study was funded by RFBR and BRFBR, project number 20-00005 Bel_a . - ISSN 2587-6066
   Перевод заглавия: Изменение электронной структуры при катионном замещении сульфида марганца элементами с переменной валентностью
Кл.слова (ненормированные):
elements with variable valence -- structure -- IR spectroscopy -- attenuation coefficient -- conductivity -- electronic structure -- элементы с переменной валентностью -- структура -- ИК-спектроскопия -- коэффициент затухания -- проводимость -- электронная структура
Аннотация: Cation-substituted solid solutions YbxMn1-xS were prepared by the melt method from polycristalline sulfide powders. The synthesized samples are antiferromagnetic semiconductors and, according to the results of X-ray structural analysis, have an FCC structure of the NaCl type. Structural, electrical, optical, and acoustic properties of the chalcogenide system YbxMn1-xS were studied in the temperature range 80 - 500 K. The effect of variable valence elements on the electronic structure of cationic substitution of manganese sulfide has been studied. The change in the electronic structure in the YbxMn1-xS system occurs due to the electron-phonon interaction. Samples with variable valence have anomalous compressibility, which is confirmed by the data on the thermal expansion coefficient and the change in the attenuation coefficient. As a result of inelastic interaction with d- electrons, the density of states at the Fermi level changes, this is reflected in the temperature dependence of the conductivity. The positions of the f-level and two electronic transitions were determined from the IR spectra. A zone of temperatures and concentrations was found, where a correlation of structural, electrical, optical and acoustic properties is observed. To explain the experimantal results, the electronic structure of the semiconductor is considered and a model is proposed that qualitatively describes the experiment.
Методом расплава из поликристаллических порошков сульфидов приготовлены катион замещенные твердые растворы YbxMn1-xS. Синтезированные образцы являются антиферромагнитными полупроводниками и согласно результатам рентгеноструктурного анализа имеют ГЦК структуру типа NaCl. Проведены исследования структурных, электрических, оптических и акустических свойств халькогенидной системы YbxMn1-xS в интервале температур 80 - 500 К. Исследовано влияние на электронную структуру элементов переменной валентности при катионном замещении сульфида марганца. Изменение электронной структуры в системе YbxMn1-xS происходит за счет электрон-фононного взаимодействия. Образцы с переменной валентностью обладают аномальной сжимаемостью, что подтверждается данными коэффициента теплового расширения и изменением коэффициента затухания. В результате неупругого взаимодействия с d-электронами меняется плотность состояний на уровне Ферми, что отражается на температурной зависимости проводимости. Из ИК спектров определены положения f-уровня и два электронных перехода. Обнаружена область температур и концентраций, где наблюдается корреляция структурных, электрических, оптических и акустических свойств. Для объяснения экспериментальных результатов рассмотрена электронная структура полупроводника и предложена модель, качественно описывающая эксперимент.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Researh Center KSC SB RAS, 50-38, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, 31, Krasnoyarskii rabochii prospect, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Udod, L. V.; Удод, Любовь Викторовна; Романова, Оксана Борисовна

}
Найти похожие

Балаев, Дмитрий Александрович.
Туннельная проводимость и туннельное магнитосопротивление пленок Fe-SiO: корреляция магнитотранспортных и магнитных свойств / Д. А. Балаев, А. Д. Балаев // Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 7. - С. 1262-1269, DOI 10.21883/FTT.2019.07.47835.408. - Библиогр.: 48 . - ISSN 0367-3294
Кл.слова (ненормированные):
плeнки Fe-SiO -- туннельная проводимость -- туннельное магнитосопротивление
Аннотация: Приведены результаты исследования электрических свойств системы наногранулярных аморфных пленок Fe-SiO с концентрацией SiO от 0 до 92 vol.%. Для образцов с малым содержанием SiO характерен металлический режим проводимости. С увеличением содержания диэлектрика в пленках происходит концентрационный переход от металлического к туннельному режиму проводимости при концентрации диэлектрика x≈0.6. При этой же концентрации происходит переход ферромагнетик-суперпарамагнетик, исследованный ранее магнитным методом. Для составов, соответствующих диэлектрической области, температурные зависимости электросопротивления ρ(T) следуют закону ρ(T)~exp(2(C/kT)1/2), что характерно для туннельного механизма проводимости. Оценка размеров металлических гранул из величин туннельно-активационной энергии C показала хорошее соответствие размерам, полученным ранее из анализа магнитных свойств. В диэлектрической области составов получен гигантский магниторезистивный эффект, достигающий 25% в низких температурах.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Балаев, Александр Дмитриевич; Balaev, A.D.; Balaev, D. A.
}
Найти похожие

Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25 / М. Н. Волочаев [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185. - Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6). . - ISSN 0015-3222
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- многослойные структуры -- оксидные полупроводники -- прыжковая проводимость -- термическая стабильность
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия

Доп.точки доступа:
Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Бассараб, В. В.
}
Найти похожие

10.

Удод, Любовь Викторовна.
Магнитные свойства пиростанната висмута, допированного 3d-ионами / Л. В. Удод, С. С. Аплеснин, М. Н. Ситников // Материаловедение. - 2019. - № 10. - С. 19-24, DOI 10.31044/1684-579X-2019-0-10-19-24. - Библиогр.: 11 . - ISSN 1684-579X
Кл.слова (ненормированные):
кристаллическая структура -- магнитные и диэлектрические свойства -- вольт-амперная характеристика -- проводимость -- фазовые переходы
Аннотация: Исследовано влияние замещения олова ионами Cr3+ и Mn4+ в пиростаннате висмута на магнитные свойства. Обнаружена взаимосвязь магнитных свойств с диэлектрическими и электрическими свойствами. Обнаружены качественные зависимости температурного поведения диэлектрической проницаемости и магнитной восприимчивости от замещающего иона. Установлено изменение типа проводимости с прыжкового на туннельный.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Udod L. V. Magnetic properties of bismuth pyrostannate doped with 3D ions [Текст] / L. V. Udod, S. S. Aplesnin, M. N. Sitnikov // Inorg. Mater.: Appl. Res. - 2020. - Vol. 11 Is. 4.- P.809-814

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН, г. Красноярск, 660036, РФ
Сибирский государственный университет науки и технологий им. академика М. Ф. Решетнева, г. Красноярск, 660037, РФ

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Ситников, Максим Николаевич; Sitnikov, M. N.; Udod, L. V.
}
Найти похожие

11.

    Синтез и электрофизические свойства композитов на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена и углеродных нанотрубок / И. А. Маркевич [и др.] // Журн. СФУ. Техн. и технол. - 2018. - Т. 11, № 2. - С. 190-197 ; J. Sib. Fed. Univ. Eng. Technol., DOI 10.17516/1999-494X-0022. - Библиогр.: 8. - Работа выполнена при поддержке Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере в рамках договора № 9594ГУ/2015 от 01.02.2016. . - ISSN 1999-494X
   Перевод заглавия: Synthesis and electrophysical properties of ultrahigh-molecular-weight polyethylene and carbon nanotubes based composites
Кл.слова (ненормированные):
композиты -- сверхвысокомолекулярный полиэтилен -- углеродные нанотрубки -- диэлектрическая проницаемость -- проводимость -- composites -- ultrahigh-molecular-weight polyethylene -- carbon nanotubes -- dielectric permittivity -- conductivity
Аннотация: Получены композиты на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена и углеродных нанотрубок методом смешивания компонентов в ксилоле при определенных температурах. Комплексные проводимости и диэлектрические проницаемости образцов материалов измерены в диапазоне частот от 100 Гц до 1 ГГц. Установлены условия синтеза как электропроводящих, так и диэлектрических композитов. При этом величина проводимости зависит не только от концентрации углеродных нанотрубок, но и от структуры их распределения в полимерной матрице, которая, в свою очередь, зависит от температурных условий получения композита.
Composites based on ultrahigh-molecular-weight polyethylene and carbon nanotubes were obtained by mixing the components in xylene at certain temperatures. The complex conductivities and permittivities of the material samples were measured in the frequency range from 100 Hz to 1 GHz. The conditions for the synthesis of both electrically conducting and dielectric composites were established. The conductivity depends not only on the concentration of carbon nanotubes, but also on the structure of their distribution in the polymer matrix, which in turn depends on the temperature conditions for obtaining the composite.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт химии и химической технологии СО РАН ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН»
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН»
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Маркевич, И. А.; Markevich I. A.; Селютин, Г. Е.; Selyutin G. E.; Дрокин, Николай Александрович; Drokin, N. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.

}
Найти похожие

12.

    Дрокин, Николай Александрович.
    Полимерные композиты с углеродными нанотрубками, получение диагностика методом импеданса / Н. А. Дрокин, Г. Е. Селютин, И. А. Маркевич // Изв. вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 8/2. - С. 72-74. - Библиогр.: 2. - Работа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки РФ № 2.914.2014/K, при поддержке «Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности» проект №8, и проекта II.12.1.1 СО РАН . - ISSN 0021-3411
   Перевод заглавия: Polymer composites with carbon nanotubes, preparationand diagnostics using impedance method
Кл.слова (ненормированные):
полимерные композиты -- проводимость -- диэлектрическая проницаемость -- импеданс -- polymer composites -- conductivity -- permittivity -- impedance
Аннотация: В работе изучены композиционные материалы на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ) и многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ), полученные в органическом растворителе с исполь- зованием ультразвука. Измерения диэлектрической проницаемости, проводимости и тангенса потерь проводили в диапазоне частот 1 Гц – 100 МГц по методике измерения полного комплексного сопротивления (импеданса) и на частотах 1–3 ГГц резонансным методом.
In the work the composite materials based on ultra high molecular weight polyethylene (UHMWPE) and multiwalled carbon nanotubes (MWCNT) have been studied. Nanotubes were introduced in polyethylene using a solution of oxylene and ultrasound with energy of 100 W/cm2. For estimation the degree of carbon nanotube dispersion in polyme rmatrices and diagnostics of electro-physics parameters of composites, а special method of high frequency impedance measurement was used.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Селютин, Г. Е.; Selyutin, G. E.; Маркевич, И. А.; Markevich, I. A.; Drokin, N. A.
}
Найти похожие

13.

Вальков, Валерий Владимирович.
Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Физ. низких температур. - 2015. - Т. 41, Вып. 2. - С. 129-138. - Библиогр.: 33. - Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы», Российского фонда фундаментальных исследований (гранты No3-02-00523, No13-02-98013, No14-02-31280). - Один из авторов (С.В.А.) выражает благодарность гранту Президента РФ МК-526.2013 и стипендии Президента РФ СП-6361.2013.5 за оказанную поддержку. . - ISSN 0132-6414
Кл.слова (ненормированные):
техника Келдыша -- атомное представление -- отрицательная дифференциальная проводимость -- электронный транспорт -- наноразмерные материалы -- туннелирование
Аннотация: Представлено решение задачи о квантовом транспорте электронов через магнитный атом, адсорбированный в разломный контакт между металлическими парамагнитными электродами. В соответствии с экспериментальными данными считалось, что электроны проводимости испытывают неупругое рассеяние на адсорбате, связанное с инициируемыми s - d ( f )-обменным взаимодействием переходами между магнитными подуровнями. При получении общего выражения, описывающего ток через многоуровневую структуру при конечных температурах, для вычисления неравновесных функций Грина применен метод Келдыша. Введение атомного представления позволило точно учесть неэквидистантную структуру энергетического спектра магнитного атома и применить теорему Вика для построения неравновесной диаграммной техники для операторов Хаббарда. Показано, что в магнитном поле вольт-амперные характеристики магнитного адатома с туннельной связью при низких температурах содержат участки с отрицательной дифференциальной проводимостью.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Val'kov V. V. Quantum transport through a multilevel magnetic structure with multiple inelastic scattering in a magnetic field taken into account [Текст] / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // Low Temp. Phys. : American Institute of Physics, 2015. - Vol. 41 Is. 2.- P.98-105

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

14.

    Переход металл-диэлектрик в катион-замещенных соединениях ReхMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) / О. Б. Романова [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 478-484. - Библиогр.: 38. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ № 15-42-04099 р_Cибирь_а и государственного задания № 114090470016. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Metal-insulator transition in the cation-substituted compounds RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho)
Кл.слова (ненормированные):
СУЛЬФИДЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК -- ТЕРМОЭДС -- SULFIDES OF RARE-EARTH ELEMENTS -- CONDUCTIVITY -- TRANSITION METAL-INSULATOR -- THERMOELECTRIC POWER
Аннотация: Представлены результаты исследования транспортных свойств катион-замещенных сульфидов RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) с ГЦК-решеткой типа NaCl в области температур 77-1200 К. С увеличением степени катионного замещения в этих соединениях RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) изменяется тип проводимости от полупроводникового до металлического при критической концентрации Х С. Концентрационный переход металл-диэлектрик в системе Gd XMn 1-XS сопровождается уменьшением величины удельного электросопротивления на 12 порядков и коэффициента термоЭДС (α) на два порядка. Катионное замещение в твердых растворах GdxMn1-xS приводит к смене дырочного типа проводимости (α > 0), свойственного моносульфиду марганца, на электронный (α < 0). Уменьшение величины α с увеличением содержания гадолиния в решетке MnS указывает на то, что Gd действует как донорная примесь. Для Sm 0,2Mn 0,8S обнаружен резкий максимум сопротивления при Т = 100 К, который может быть вызван рассеянием электронов проводимости на спиновых флуктуациях локализованных электронов. Установлен металлический тип проводимости для Sm 0,25Mn 0,75S и механизм электрического сопротивления, который связан с рассеянием электронов на акустических фононах и с магнитным рассеянием на нескомпенсированных антиферромагнитных кластерах марганца при Т < 180 К. В результате замещения марганца самарием в твердом растворе SmxMn1-xS электронная структура перестраивается, и сопротивление невозможно объяснить на основе протекания ионов самария. Общей закономерностью температурных зависимостей коэффициента термоЭДС как для системы с гадолинием, так и для системы с самарием является проявление отрицательного значения термоЭДС во всем диапазоне температур с ростом Х. В системе HoxMn1-xS переход металл-диэлектрик обнаружен для ХС = 0,3 с уменьшением величины удельного электросопротивления на десять порядков. Цель данной работы - установить условия реализации перехода металл-диэлектрик в катион-замещенных системах RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho).
This paper presents the results of a study of the transport properties of cation-substituted sulfides Re XMn 1-XS (Re = = Gd, Sm, Ho) with FCC NaCl type in the temperature range 77-1200 K. With increasing degree of cation substitution in these compounds Re XMn 1- ХS (Re = Gd, Sm, Ho) the conductivity type changes from the semiconductor to the «metal» at the critical concentration X C. The concentration of metal-insulator transition in the system Gd XMn 1-XS is accompanied by a decreasing in the electrical resistivity of value on 12 orders and Seebeck coefficient (α) is on two orders. The cation-substitution in the solid solutions Gd XMn 1-XS leads to p-type conductivity (α > 0), as comprising to electronic (α < 0) for manganese monosulfide. Decrease of α with increasing gadolinium concentration in the MnS lattice indicates that the Gd acts as a donor impurity. For Sm 0,2Mn0,8S a maximum resistance at T = 100 K attributed to the scattering of conduction electrons by spin fluctuations of localized electrons. The metallic conductivity for Sm 0.25Mn 0.75S and the mechanism of electrical resistance, which is related to the scattering of electrons by acoustic phonons and magnetic scattering by uncompensated antiferromagnetic manganese clusters at T < 180 K were revealed. As a result of the substitution of manganese to samarium in solid solution Sm XMn 1-XS the electron structure is reconstructed, and the resistance cannot be explained on the basis of the percolation of samarium ions. The temperature dependence of Seebeck coefficient for systems with gadolinium and with samarium reveals the negative values of thermoelectric power in the all range of temperatures with increasing concentration (X). The metal-insulator transition for system Ho XMn 1-XS at Х С= 0,3 is observed with decreasing resistivity on ten orders. The purpose of this work is to establish conditions for the realization of the metal-insulator transition in a cation-substituted systems Re XMn 1-XS (Re = Gd, Sm, Ho).

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Сибирский государственный аэрокосмический университет имени акад. М. Ф. Решетнева

Доп.точки доступа:
Романова, Оксана Борисовна; Romanova, O. B.; Харьков, Анатолий Михайлович; Kharkov A. M.; Ситников, Максим Николаевич; Sitnicov M. N.; Кретинин, В. В.; Kretinin, V. V.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

15.

    Kolovsky, A. R.
    Master equation approach to conductivity of bosonic and fermionic carriers in one- and two-dimensional lattices / A. R. Kolovsky // Ann. Phys.-Berlin. - 2014. - Vol. 526, Is. 1/2. - P. 102-111, DOI 10.1002/andp.201300169. - Cited References: 24. - The author express his gratitude to D.N. Maksimov for useful remarks and acknowledge financial support of Russian Academy of Sciences through the SB RAS integration Project No. 29 (Dynamics of atomic Bose-Einstein condensates in optical lattices). . - ISSN 0003-3804. - ISSN 1521-3889
   Перевод заглавия: Проводимость с бозе и ферми носителями в в одномерных и двумерных решетках: подход уравнения для матрицу плотности

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
CONDUCTANCE
Кл.слова (ненормированные):
diffusive current -- the Hall effect
Аннотация: The master equation approach to diffusive current of bosonic or fermionic carriers in one- and two-dimensional lattices is discussed. This approach is shown to reproduce all known results of the linear response theory, including the integer quantum Hall effect for fermionic carriers. The main advantage of the approach is that it allows to calculate the current beyond the linear response regime where new effects are found. In particular, the Hall current can be inverted by changing orientation of the static force (electric field) relative to the primary axes of the lattice.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Коловский, Андрей Радиевич; Russian Academy of Sciences through the SB RAS integration Project [29]
}
Найти похожие

16.

Тамбасов, Игорь Анатольевич.
Влияние ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких I2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков, А. А. Иваненко // XI Рос. конф. по физ. полупроводников : Тезисы докладов. - СПб. : Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2013. - Ст. Вт-2.8с (Rep_0061). - С. 161 . - ISBN 978-5-93634-033-3
Кл.слова (ненормированные):
Поверхность -- Пленки -- Слои

Смотреть тезисы
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Tambasov, I. A.; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Российская конференция по физике полупроводников (11 ; 2013 ; сент. ; 16–20 ; Санкт-Петербург)
}
Найти похожие

17.

Воронов, Владимир Николаевич.
Полиморфные превращения и ионная проводимость в кристаллах / В. Н. Воронов. - [Б. м.] : Lambert Academic Publishing, 2013. - 228 с. - Библиогр.: 212 назв. - ISBN 978-3-659-39150-7 : Б. ц.
Аннотация: В современных приборах и оборудовании используются керамические и монокристаллические активные элементы. В качестве материала для таких элементов применяют различные неорганические соединения. Набор таких соединений явно недостаточен. Поиск новых составов путем последовательного перебора соединений (скриннинг) дорог и отнимает массу времени. В предлагаемой монографии прогнозируются свойства еще не полученных материалов с ионной проводимостью и структурными фазовыми превращениями основанные на анализе подвижности ионов в кристаллах. Эффективность предложенных поисковых критериев подтверждена синтезом ряда неорганических фторидов и оксидов при значительно меньших затратах времени и средств. В связи с этими обстоятельствами предложенные в настоящей работе поисковые критерии представляет актуальную задачу физики конденсированного состояния. Материалы монографии опубликованы в рецензируемых журналах, а также неоднократно докладывались и обсуждались на многочисленных конференциях и симпозиумах.

https://www.lap-publishing.com/catalog/details//store/gb/book/978-3-659-39150-7/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D0%BC%D0%BE%D1%80%D1%84%D0%BD%D1%8B%D0%B5-%D0%BF%D1%80%D0%B5%D0%B2%D1%80%D0%B0%D1%89%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F-%D0%B8-%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F-%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BC%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C-%D0%B2-%D0%BA%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B0%D1%85?locale=ru
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Voronov, V. N.
Свободных экз. нет}
Найти похожие

18.

    Sadreev, A. F.
    Effect of gate-driven spin resonance on the conductance through a one-dimensional quantum wire / A. F. Sadreev, E. Ya. Sherman // Phys. Rev. B. - 2013. - Vol. 88, Is. 11. - Ст. 115302. - P. , DOI 10.1103/PhysRevB.88.115302 . - ISSN 1098-0121
   Перевод заглавия: Эффект гейт-управляемого спинового резонанса на проводимость в одномерной
Аннотация: We consider quasiballistic electron transmission in a one-dimensional quantum wire subject to both time-independent and periodic potentials of a finger gate that results in a local time-dependent Rashba-type spin-orbit coupling. A spin-dependent conductance is calculated as a function of external constant magnetic field, the electric field frequency, and potential strength. The results demonstrate the effect of the gate-driven electric dipole spin resonance in a transport phenomenon such as spin-flip electron transmission. В© 2013 American Physical Society.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Univ Pais Vasco UPV EHU, Dept Phys Chem, Bilbao 48080, Spain
Basque Fdn Sci, IKERBASQUE, Bilbao, Spain

Доп.точки доступа:
Sherman, E. Ya.; Садреев, Алмаз Фаттахович
}
Найти похожие

19.

    Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043) . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.
}
Найти похожие

20.

Проводимость тонких In2O3 пленок при воздействии ультрафиолетового излучения и низких температурах / И. А. Тамбасов, Д. С. Саврвнский // Школа-конференция молодых ученых "Неорганические соединения и функциональные материалы" (ICFM-2013) : [программа и сборник тезисов докладов]. - Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2013. - С. 85

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Савранский, Д. С.; Неорганические соединения и функциональные материалы, школа-конференция молодых ученых, посвященная памяти профессора С. В. Земскова(2013)
}
Найти похожие