Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=тонкие пленки<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Bykova L. E., Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Velikanov D. A., Bondarenko G. N., Patrin G. S.
Заглавие : Magnetic and structure properties of CoPt-In2O3 nanocomposite films
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory [19-43-240003]
Место публикации : J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2020. - Vol. 13, Is. 4. - P.431-438. - ISSN 1997-1397, DOI 10.17516/1997-1397-2020-13-4-431-438; Журн. СФУ. Матем. и физика. - ISSN 2313-6022(eISSN)
Примечания : Cited References: 29. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research projects no. 19-43-240003
Предметные рубрики: THIN-FILMS
TEMPERATURE
PHASE
Аннотация: The structural and magnetic properties of CoPt-In2O3 nanocomposite films formed by vacuum annealing of the In/(Co3O4 + Pt)/MgO film system in the temperature range of 100–800 °C have been investigated. The synthesized nanocomposite films contain ferromagnetic CoPt grains with an average size of 5nm enclosed in an In2O3 matrix, and have a magnetization of 600 emu/cm3, and a coercivity of 150 Oe at room temperature. The initiation 200 °C and finishing 800 °C temperatures of synthesis were determined, as well as the change in the phase composition of the In/(Co3O4 + Pt)/MgO film during vacuum annealing.Исследованы структурные и магнитные свойства нанокомпозитных пленок CoPt- In2O3, полученных вакуумным отжигом пленочной системы In/(Co3O4 + Pt)/MgO в интервале температур 100 – 800 °C. Синтезированные нанокомпозитные пленки содержали ферромагнитные CoPt-кластеры со средним размером 5 nm, заключенные в матрицу In2O3, и имели намагниченность 600 emu/cm3, коэрцитивную силу 150 Oe при комнатной температуре. Определены температуры начала 200 °C и окончания 800 °C синтеза, а также изменение фазового состава пленки In/(Co3O4 + Pt)/MgO при вакуумном отжиге.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Алтунин Р. Р., Моисеенко Е. Т., Жарков, Сергей Михайлович
Заглавие : Влияние структурных свойств на электросопротивление тонких пленок Al/Ag в процессе твердофазной реакции
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2020. - Т. 62, Вып. 4. - С. 621-626. - ISSN 1063-7834, DOI 10.21883/FTT.2020.04.49130.652. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Библиогр.: 43. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант No 18-13-00080)
Аннотация: На основании результатов исследования процессов твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag (атомное соотношение Al : Ag = 1 : 3) методами in situ дифракции электронов и измерения величины удельного электросопротивления установлена температура начала реакции, а также предложена модель структурных фазовых переходов. Твердофазная реакция начинается при 70oC с образования твердого раствора Al-Ag на границе раздела нанослоев алюминия и серебра. Установлено, что в процессе реакции последовательно формируются интерметаллические соединения γ-Ag2Al → μ-Ag3Al. Показано, что возможность формирования фазы μ-Ag3Al при твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag зависит от соотношения алюминия и серебра, при этом формирование фазы μ-Ag3Al начинается только после того как весь ГЦК-алюминий прореагирует.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Куклин, Артем Валентинович, Кузубов, Александр Александрович, Денисов, Виктор Михайлович, Ковалева, Евгения Андреевна, Шостак С. А.
Заглавие : Квантово-химическое исследование структуры и свойств моно- и бислоев CrN
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 450-455. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 32. - Авторы выражают благодарность Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН (Новосибирск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), а также НИВЦ МГУ «Лаборатория параллельных информационных технологий» [25] (система СКИФ МГУ «Чебышев») за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант № 16.1500.2014/K).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): crn--тонкие пленки--монослои--dft--ab initio--спинтроника--thin films--monolayers--spintronics
Аннотация: В последнее время такие материалы, как графен, h-BN и дихалькогениды переходных металлов, получают широкое применение в различных областях (спинтроника, фотовольтаика, валлейтроника) в связи с их низкой размерностью и проявлением свойств, отличных от их объемных аналогов. В то же время на данном этапе развития науки активно исследуются другие двумерные материалы, в том числе нитриды и карбиды переходных металлов. Некоторые из них уже экспериментально получены, охарактеризованы и имеют большой потенциал применения в наноэлектронике. Схожие с графеном 2D-структуры могут быть основаны на нитриде хрома, магнитные своиства которого будут зависеть от координационного числа и, соответственно, количества неспаренных электронов. В данной работе, используя метод PAW и обобщенное градиентное приближение GGA-PBE в рамках теории функционала плотности (DFT+U) с коррекцией слабого дисперсионного взаимодействия, было предсказано существование моно- и бислоев нитрида хрома с кристаллографическими индексами поверхностей (100) и (111). Показано изменение геометрии двумерных структур относительно кристаллической фазы. Полученные 2D CrN (100) и (111) являются идеально плоскими. Для сравнения энергетической стабильности двумерного CrN была рассчитана относительная энергия образования монослоя. Проведены спин-поляризованные расчеты ферромагнитного и антиферромагнитного состояний. Анализ электронной структуры указывает на то, что данные материалы являются ферромагнетиками со 100 % спиновой поляризацией. В соответствии с классической моделью Гейзенберга был рассчитан обменный параметр J для монослоя (100). Исследована зависимость изменения свойств при переходе от моно- к бислойным структурам.Lately, such materials as graphene h-BN and transition metal dichalcogenides have been widely used in various fields and have received a lot of attention owing to its numerous device applications (spintronics, photovoltaic, valleitronics). This is due to the low dimensionality and different properties from those bulk materials. At the same time, at this stage of scientific development, other two-dimensional materials have been actively studied, including carbides and nitrides of transition metals. Some of them have been experimentally obtained, characterized and have great potential for application in nanoelectronics. Similar to the 2D graphene structures can be based on chromium nitride whose magnetic properties will depend on the coordination number and the number of uncoupled electrons correspondingly.In this work, using PAW method and the gradient corrected density functional GGA-PBE within the framework of generalized Kohn-Sham density functional theory (DFT+U) considering weak dispersion interaction, we have predicted the existence of a chromium nitride mono- and bilayers of (100) and (111) crystallographic surface. It was shown that the monolayers geometry relative to the crystalline phase was changed. The 2D CrN (100) and (111) are perfectly flat. To comparison of the energy stability of two dimensional CrN the relative energy of monolayer formation was calculated. Using spin-polarized calculations we calculate ferromagnetic and antiferromagnetic states. The analysis of electronic structure shows that these materials are ferromagnets with 100 % spin polarization. According to the classical Heisenberg model, the exchange parameter J has been calculated (for monolayer 100). The dependence of the changes in the properties during the transition from mono to bilayers structures was investigated.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Аплеснин, Сергей Степанович, Масюгин, Альберт Николаевич, Кретинин В. В., Коновалов С. О., Шестаков, Николай Петрович
Заглавие : Магнетосопротивление и ИК-спектр примесных состояний в пленке Ce3Fe5O12
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 2. - С. 218-223. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2021.02.50466.222
Примечания : Библиогр.: 28. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-240001 ”Инверсия знака компонент магнитоэлектрического тензора по температуре в пленках висмутового феррита граната замещенного неодимом“
Аннотация: В поликристаллических пленках цериевого феррита граната найдена величина щели в спектре электронных возбуждений, электронные переходы между примесными двухвалентными и четырехвалентными ионами железа и церия из ИК-спектров поглощения. Найдены температуры делокализации двухвалентных состояний железа из импедансной спектроскопии, электросопротивления и ИК-спектров. Найдено отличие магнитосопротивления на переменном и постоянном токе, которое объясняется в модели диэлектрически неоднородной среды.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Тарасов, Антон Сергеевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Мягков, Виктор Григорьевич, Тамбасова Е. Г.
Заглавие : Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах
Коллективы : "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция
Место публикации : Решетневские чтения: материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - ISBN 1990-7702
Примечания : Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К.").
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид индия--тонкие пленки--автоволновое окисление--indium oxide--thin films--autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.
Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Аверьянов, Евгений Михайлович
Заглавие : Молекулярно-оптическая анизотропия тонких пленок полифенил- хиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул
Место публикации : Жидк. кристаллы и их практич. использ. - 2018. - Т. 18, № 4. - С. 48–56. - ISSN 1991-3966, DOI 10.18083/LCAppl.2018.4.48; Liq. Cryst. Appl. - ISSN 2499-9644
Примечания : Библиогр.: 11
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические свойства--тонкие пленки--производные полифенилхиноксалинов--молекулярная поляризуемость--optical properties--thin films--poly(phenylquinoxaline) derivatives--molecular polarizability
Аннотация: Для одноосных тонких пленок двух производных полифенилхиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул исследована связь показателей преломления nj с параметрами поляризуемости Г {компонентами γj, средним значением γ‾= (γ || + 2γ⊥)/3, анизотропией δγ = γ|| – γ⊥} двуосного мономерного звена полимерной цепи при поляризациях световой волны вдоль (j = ||) и нормально (j =⊥) оптической оси, которая перпендикулярна плоскости пленки. В компонентах fj =1+Lj(nj2–1) тензора локального поля значения компонент Lj тензора Лоренца получены с использованием экспериментальных зависимостей nj(λ) от длины световой волны λ. Показано, что для исследованных пленок с малым двулучепреломлением Δn = n||–n⊥ модельные тензоры fj, широко используемые для полимерных пленок, приводят к существенно заниженным значениям δγ и искажению дисперсии Г(λ). Впервые отмечено, что для двуосных мономерных звеньев с двумя параметрами одноосного ориентационного порядка (S, G) и двумя типами анизотропии поляризуемости (Δγ, Δγ') связь Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 может приводить к равенству Δn = 0 при S≠ 0, G≠ 0. Выяснены молекулярные и структурные особенности реализации состояния пленки с Δn = 0.For the uniaxial thin films of two poly(phenylquinoxaline) derivatives with in-plane orientation of macromolecules, the relationship between refractive indices nj and polarizability parameters Г {components γj, mean value γ‾ = (γ || + 2γ⊥)/3, anisotropy δγ = γ|| – γ⊥} of the biaxial monomer unit of the polymer chain for the light-wave polarization along (j = ||) and across (j =⊥) the optical axis which is perpendicular to the film plane, was investigated. In the local-field tensor components fj =1+Lj(nj2–1), the Lorentz-tensor components values (Lj) were obtained using the experimental dependences of nj(λ) on the light wavelength λ . The model tensors fj, which are widely used for polymer films, lead to essentially understated values of δγ and distortion of the dispersion Г(λ)for the investigated films with low birefringence Δn = n||–n⊥. It was observed for the first time, that for biaxial monomer units with two parameters of uniaxial orientational order (S, G) and two types of the polarizability anisotropy (Δγ, Δγ') the relation Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 can lead to the equality Δn = 0 at S≠ 0, G≠ 0.Molecular and structural peculiarities required for realization of the film state with Δn = 0were established.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Жигалов, Виктор Степанович, Быкова, Людмила Евгеньевна, Мягков, Виктор Григорьевич, Павлова А. Н., Волочаев, Михаил Николаевич, Мацынин, Алексей Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович
Заглавие : Нанокомпозитные пленки CoPt–Al2O3: синтез, структурные и магнитные свойства
Место публикации : Поверхность. - 2020. - № 1. - С. 60-67. - ISSN 1028-0960, DOI 10.31857/S1028096020010227
Примечания : Библиогр.: 29. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ совместно с Правительством Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект №. 18-42-243009р_мол_а и № 19-43-240003р_а), Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (договор № 11843ГУ/2017, код 0033636, конкурс "Умник")
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств нанокомпозитных пленок CoPt–Al2O3, полученных путем отжига двухслойных пленок Al/(Co3O4 + Pt) на подложке MgO(001) при температуре 650°С в вакууме. Синтезированные композитные пленки содержали ферромагнитные наногранулы CoPt со средним размером 25–45 нм, вложенные в непроводящую матрицу Al2O3. Намагниченность насыщения Ms ~ 330 Гс и коэрцитивная сила Hc ≈ 6 кЭ измерены в плоскости пленки и перпендикулярно ей. Полученные пленки обладали пространственной магнитной вращающейся анизотропией, позволяющей произвольно устанавливать легкую ось намагничивания, как в плоскости пленки, так и перпендикулярно ей, в магнитном поле напряженностью, превышающей коэрцитивную силу (H ˃ Hc).
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Максимова, Ольга Александровна, Косырев, Николай Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Лященко, Сергей Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Особенности анализа эллипсометрических данных для магнитных наноструктур
Коллективы : "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция
Место публикации : Журн. структ. химии. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2014. - Т. 55, № 6. - С. 1190-1197. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: 8. - Работа выполнена при финансовой поддержке Программы Президента России по поддержке ведущих научных школ НШ 2886.2014.2, Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265, № 14-02-01211), Министерства образования и науки Российской Федерации (Соглашение 14.604.21.0002, Государственный контракт № 02.G25.31.0043), а также Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (программа "У.М.Н.И.К.", договор № 0003831).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитоэллипсометрия--эллипсометрические измерения--магнитооптический эффект керра--тонкие пленки--модель полубесконечной среды--коэффициент преломления--коэффициент поглощения--магнитооптический параметр
Аннотация: Предложена методика интерпретации магнитоэллипсометрических измерений. Рассмотрена модель однородной полубесконечной среды для отражающих слоистых магнитных структур при наличии магнитного поля в конфигурации магнитооптического экваториального эффекта Керра. На основании анализа коэффициентов Френеля с учетом магнитооптического параметра Q, входящего в недиагональные члены тензора диэлектрической проницаемости, получены выражения, с помощью которых из данных эллипсометрических (ψ 0 и Δ 0) и магнитоэллипсометрических (ψ 0 + δψ и Δ 0 + δΔ) измерений можно получить значения величин коэффициентов преломления ( n), поглощения ( k), действительной ( Q 1) и мнимой ( Q 2) частей магнитооптического параметра. Полученные результаты позволят с помощью традиционной эллипсометрической аппаратуры измерять и анализировать такие магнитные характеристики, как петли гистерезиса, коэрцитивную силу слоистых наноструктур.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Балашов, Юрий Юрьевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Волочаев, Михаил Николаевич, Жигалов, Виктор Степанович, Мацынин, Алексей Александрович, Галушка К. А., Бондаренко, Галина Николаевна, Комогорцев, Сергей Викторович
Заглавие : Особенности протекания твердофазных реакций в трехслойной пленочной системе Sn/Fe/Cu
Колич.характеристики :5 с
Коллективы : "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум
Место публикации : Журн. техн. физ. - 2023. - Т. 93, Вып. 7. - С. 1009-1013. - ISSN 00444642 (ISSN), DOI 10.21883/JTF.2023.07.55761.73-23. - ISSN 1726748X (eISSN)
Примечания : Библиогр.: 18
Аннотация: Выяснение механизмов твердофазных реакций в тонких пленках Sn/Fe/Cu интересно как с фундаментальной точки зрения, так и в виду важности формирующихся интерметаллидов в технологии контактных соединений и тонкопленочных литий-ионных аккумуляторов. С помощью комплексного подхода, включающего рентгенофазовый анализ и локальный элементный анализ поперечного среза пленки, изучены фазовый состав и взаимное расположение фаз на различных стадиях твердофазной реакции, протекающей при различных температурах. Наблюдаемая последовательность формирующихся фаз существенно отличается от ожидаемой, если бы массоперенос осуществлялся посредством объемной диффузии через формирующиеся слои.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие