Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (7)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=SILICON<.>)

Общее количество найденных документов : 120
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Сержантова, Мария Викторовна; Денисов, Виктор Михайлович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163 . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon // JETP Letters : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие

    Киренский, Леонид Васильевич.
    Исследование упругого гистерезиса, термоупругого эффекта в никеле и никель-кремнистых сплавах [Текст] / Л. В. Киренский, З. М. Патюкова // Изв. АН СССР, Сер. физич. - 1964. - Т. 28, № 1. - С. 198-201. - Библиогр.: 8 назв. - Phys. Abstr. - 1966. - Vol. 69, 5593
   Перевод заглавия: Investigation of elastic hysteresis of the thermoelastic effect in nickel and nickel-silicon alloys

Смотреть статью
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Вонсовский, Сергей Васильевич \предс. орг. ком.\; Патюкова, З. М.; Kirenskii, L. V.; Симпозиум по вопросам ферро- и антиферромагнетизма (1962 ; 25 июня - 7 июля ; Красноярск)
}
Найти похожие

Vetrov, S. Y.
Dissipative effects of the interaction of crystal-lattice surface with medium / S. Y. Vetrov, V. F. Shabanov // Phys. Status Solidi B. - 1987. - Vol. 140, Is. 1. - P. 103-112. - Cited References: 14 . - ISSN 0370-1972

РУБ Physics, Condensed Matter

Кл.слова (ненормированные):
ELECTRIC CONDUCTIVITY - Measurements -- INTERFEROMETRY -- SILICON COMPOUNDS - Thin Films -- X-RAYS - Diffraction -- DISSIPATIVE EFFECTS -- MULTIPLE-REFLECTION INTERFEROMETRY -- SILVER AND ALLOYS

WOS,
Scopus
Держатели документа:
Acad of Sciences of the USSR, Krasnoyarsk, USSR, Acad of Sciences of the USSR, Krasnoyarsk, USSR

Доп.точки доступа:
Shabanov, V. F.; Шабанов, Василий Филиппович
}
Найти похожие

Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures / A. V. Lukyanenko [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. A.O8. - P. 66-67. - Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Titanium nitride as light trapping plasmonic material in silicon solar cell / N. Venugopal [et al.] // Opt. Mater. - 2017. - Vol. 72. - P. 397-402, DOI 10.1016/j.optmat.2017.06.035. - Cited References: 56 . - ISSN 0925-3467
Кл.слова (ненормированные):
Photovoltaics -- Plasmonics -- Titanium nitride
Аннотация: Light trapping is a crucial prominence to improve the efficiency in thin film solar cells. However, last few years, plasmonic based thin film solar cells shows potential structure to improve efficiency in photovoltaics. In order to achieve the high efficiency in plasmonic based thin film solar cells, traditionally noble metals like Silver (Ag) and Gold (Au) are extensively used due to their ability to localize the light in nanoscale structures. In this paper, we numerically demonstrated the absorption enhancement due to the incorporation of novel plasmonic TiN nanoparticles on thin film Silicon Solar cells. Absorption enhancement significantly affected by TiN plasmonic nanoparticles on thin film silicon was studied using Finite-Difference-Time-Domain Method (FDTD). The optimal absorption enhancement 1.2 was achieved for TiN nanoparticles with the diameter of 100 nm. The results show that the plasmonic effect significantly dominant to achieve maximum absorption enhancement g(λ) at longer wavelengths (red and near infrared) and as comparable with Au nanoparticle on thin film Silicon. The absorption enhancement can be tuned to the desired position of solar spectrum by adjusting the size of TiN nanoparticles. Effect of nanoparticle diameters on the absorption enhancement was also thoroughly analyzed. The numerically simulated results show that TiN can play the similar role as gold nanoparticles on thin film silicon solar cells. Furthermore, TiN plasmonic material is cheap, abundant and more Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) compatible material than traditional plasmonic metals like Ag and Au, which can be easy integration with other optoelectronic devices.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Institute of Nanotechnology, Spectroscopy and Quantum Chemistry, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Computational Modeling, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russian Federation
L.V. Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Venugopal, N.; Gerasimov, V. S.; Герасимов, Валерий Сергеевич; Ershov, A. E.; Ершов, Александр Евгеньевич; Karpov, S. V.; Карпов, Сергей Васильевич; Polyutov, S. P.
}
Найти похожие

    Thermokinetic study of aluminum-induced crystallization of a-Si: The effect of Al layer thickness / S. M. Zharkov, V. V. Yumashev, E. T. Moiseenko [et al.] // Nanomaterials. - 2023. - Vol. 13, Is. 22. - Ст. 2925, DOI 10.3390/nano13222925. - Cited References: 70. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant #22-13-00313 . - ISSN 2079-4991
   Перевод заглавия: Термокинетическое исследование кристаллизации a-Si, индуцированной алюминием: влияние толщины слоя Al
Кл.слова (ненормированные):
amorphous silicon -- Al/Si -- nanolayer -- multilayer film -- metal-induced crystallization -- aluminum-induced crystallization -- kinetics -- activation energy -- enthalpy -- simultaneous thermal analysis (STA)
Аннотация: The effect of the aluminum layer on the kinetics and mechanism of aluminum-induced crystallization (AIC) of amorphous silicon (a-Si) in (Al/a-Si)n multilayered films was studied using a complex of in situ methods (simultaneous thermal analysis, transmission electron microscopy, electron diffraction, and four-point probe resistance measurement) and ex situ methods (X-ray diffraction and optical microscopy). An increase in the thickness of the aluminum layer from 10 to 80 nm was found to result in a decrease in the value of the apparent activation energy Ea of silicon crystallization from 137 to 117 kJ/mol (as estimated by the Kissinger method) as well as an increase in the crystallization heat from 12.3 to 16.0 kJ/(mol Si). The detailed kinetic analysis showed that the change in the thickness of an individual Al layer could lead to a qualitative change in the mechanism of aluminum-induced silicon crystallization: with the thickness of Al ≤ 20 nm. The process followed two parallel routes described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X) and the Avrami–Erofeev equation (An): with an increase in the thickness of Al ≥ 40 nm, the process occurred in two consecutive steps. The first one can be described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X), and the second one can be described by the n-th order reaction equation (Fn). The change in the mechanism of amorphous silicon crystallization was assumed to be due to the influence of the degree of Al defects at the initial state on the kinetics of the crystallization process.

Смотреть статью,
Scopus
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Laboratory of Electron Microscopy, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Yumashev, V. V.; Moiseenko, E. T.; Altunin, R. R.; Solovyov, L. A.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zeer, G. M.; Nikolaeva, N. S.; Belousov, O. V.
}
Найти похожие

10.

Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon, as well as on its surface at different lithium concentrations / A. S. Fedorov [и др.] // Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P. 133-134

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие