Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (7)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=SILICON<.>)

Общее количество найденных документов : 120
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Сержантова, Мария Викторовна, Денисов, Виктор Михайлович, Томилин, Феликс Николаевич
Заглавие : Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736. - DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163. - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Михалева Н. С., Кузубов, Александр Александрович, Попов, Захар Иванович, Еремина А. Д., Высотин, Максим Александрович
Заглавие : Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 55
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--dft--diffusion--lithium--silicon
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Киренский, Леонид Васильевич, Патюкова З. М.
Заглавие : Исследование упругого гистерезиса, термоупругого эффекта в никеле и никель-кремнистых сплавах
Коллективы : Симпозиум по вопросам ферро- и антиферромагнетизма (1962 ; 25 июня - 7 июля; Красноярск)
Место публикации : Изв. АН СССР, Сер. физич./ предс. орг. ком. С. В. Вонсовский. - 1964. - Т. 28, № 1. - С. 198-201
Примечания : Библиогр.: 8 назв. - Phys. Abstr. - 1966. - Vol. 69, 5593
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Vetrov S. Y., Shabanov V. F.
Заглавие : Dissipative effects of the interaction of crystal-lattice surface with medium
Разночтения заглавия :авие SCOPUS: DISSIPATIVE EFFECTS OF THE INTERACTION OF CRYSTAL LATTICE SURFACE WITH MEDIUM
Место публикации : Phys. Status Solidi B. - 1987. - Vol. 140, Is. 1. - P.103-112. - ISSN 0370-1972
Примечания : Cited References: 14
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electric conductivity - measurements--interferometry--silicon compounds - thin films--x-rays - diffraction--dissipative effects--multiple-reflection interferometry--silver and alloys
WOS,
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Baron F. A., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.A.O8. - P.66-67. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Venugopal N., Gerasimov V. S., Ershov A. E., Karpov S. V., Polyutov S. P.
Заглавие : Titanium nitride as light trapping plasmonic material in silicon solar cell
Место публикации : Opt. Mater.: Elsevier, 2017. - Vol. 72. - P.397-402. - ISSN 09253467 (ISSN), DOI 10.1016/j.optmat.2017.06.035
Примечания : Cited References: 56
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): photovoltaics--plasmonics--titanium nitride
Аннотация: Light trapping is a crucial prominence to improve the efficiency in thin film solar cells. However, last few years, plasmonic based thin film solar cells shows potential structure to improve efficiency in photovoltaics. In order to achieve the high efficiency in plasmonic based thin film solar cells, traditionally noble metals like Silver (Ag) and Gold (Au) are extensively used due to their ability to localize the light in nanoscale structures. In this paper, we numerically demonstrated the absorption enhancement due to the incorporation of novel plasmonic TiN nanoparticles on thin film Silicon Solar cells. Absorption enhancement significantly affected by TiN plasmonic nanoparticles on thin film silicon was studied using Finite-Difference-Time-Domain Method (FDTD). The optimal absorption enhancement 1.2 was achieved for TiN nanoparticles with the diameter of 100 nm. The results show that the plasmonic effect significantly dominant to achieve maximum absorption enhancement g(λ) at longer wavelengths (red and near infrared) and as comparable with Au nanoparticle on thin film Silicon. The absorption enhancement can be tuned to the desired position of solar spectrum by adjusting the size of TiN nanoparticles. Effect of nanoparticle diameters on the absorption enhancement was also thoroughly analyzed. The numerically simulated results show that TiN can play the similar role as gold nanoparticles on thin film silicon solar cells. Furthermore, TiN plasmonic material is cheap, abundant and more Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) compatible material than traditional plasmonic metals like Ag and Au, which can be easy integration with other optoelectronic devices.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Yumashev V. V., Moiseenko E. T., Altunin R. R., Solovyov L. A., Volochaev M. N., Zeer G. M., Nikolaeva N. S., Belousov O. V.
Заглавие : Thermokinetic study of aluminum-induced crystallization of a-Si: The effect of Al layer thickness
Колич.характеристики :24 с
Место публикации : Nanomaterials. - 2023. - Vol. 13, Is. 22. - Ст.2925. - ISSN 20794991 (eISSN), DOI 10.3390/nano13222925
Примечания : Cited References: 70. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant #22-13-00313
Аннотация: The effect of the aluminum layer on the kinetics and mechanism of aluminum-induced crystallization (AIC) of amorphous silicon (a-Si) in (Al/a-Si)n multilayered films was studied using a complex of in situ methods (simultaneous thermal analysis, transmission electron microscopy, electron diffraction, and four-point probe resistance measurement) and ex situ methods (X-ray diffraction and optical microscopy). An increase in the thickness of the aluminum layer from 10 to 80 nm was found to result in a decrease in the value of the apparent activation energy Ea of silicon crystallization from 137 to 117 kJ/mol (as estimated by the Kissinger method) as well as an increase in the crystallization heat from 12.3 to 16.0 kJ/(mol Si). The detailed kinetic analysis showed that the change in the thickness of an individual Al layer could lead to a qualitative change in the mechanism of aluminum-induced silicon crystallization: with the thickness of Al ≤ 20 nm. The process followed two parallel routes described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X) and the Avrami–Erofeev equation (An): with an increase in the thickness of Al ≥ 40 nm, the process occurred in two consecutive steps. The first one can be described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X), and the second one can be described by the n-th order reaction equation (Fn). The change in the mechanism of amorphous silicon crystallization was assumed to be due to the influence of the degree of Al defects at the initial state on the kinetics of the crystallization process.
Смотреть статью,
Scopus
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I.
Заглавие : Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon, as well as on its surface at different lithium concentrations
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P.133-134
Материалы конференции
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I., Visotin M. A., Galkin N. G.
Заглавие : Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon as well as on its surface
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed. N. Galkin: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 213: Physics and Technology of Nanostructured Materials II. - P.29-34. - ISSN 1662-9779, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.29. - ISSN 978-3-03785-970-4
Примечания : Cited References: 21
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ab initio calculations--diffusion--lithium-ion accumulators--silicon
Аннотация: Using the PAW DFT-GGA method and numerical solving of master equation the diffusion rates of lithium atoms inside both crystal and amorphous silicon of LixSi (x= 0.0.5) composition have been calculated for different temperatures. It is shown the diffusion rate for amorphous silicon is ~10 times greater than that for the crystal silicon. For both structures the rate is increased by 1.5-2 orders of magnitude while the lithium concentration is increased up to 0.5 value. This should result in that the LixSi/Si interface will be sharp. This fact has been further confirmed using molecular dynamic calculations based on Angular Dependent Potential (ADP) model. Also binding energies of Li atoms lying on different sites of Si (001) surface as well as the potential barriers for the atom jumps both along the surface and in the subsurface layers have been calculated. The data show the Li atoms move along the surface very easily but their jumps into subsurface layers are very difficult due to the high potential barrier values. В© (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Sorokin P.B., Kvashnin D.G., Kvashnin A.G.
Заглавие : Theoretical study of the elastic properties of branched silicon nanowires
Коллективы : "Fullerenes and Atomic Clusters", Biennial International Workshop
Место публикации : 9th Biennial International Workshop "Fullerenes and Atomic Clusters" (IWFAC 2009): July 6-10, 2009, St Petersburg, Russia : abstracts. - 2009. - Ст.P4.6. - С. 101
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364012030058
Примечания : Cited References: 28. - We are grateful to the Institute of Computational Modeling, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; the Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences; and the Computer Center, Siberian Federal University, for the use of their computer clusters for performing all calculations. This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013).
Предметные рубрики: ACCELERATED MOLECULAR-DYNAMICS
AB-INITIO
INFREQUENT EVENTS
SIMULATION
RELAXATION
HYDROGEN
POINTS
SI
Аннотация: The effect of the lattice deformation on potential barriers for the motion of a lithium atom in crystalline silicon has been studied through ab initio density functional calculations. A new universal method of calculating the diffusion coefficient of an admixture in amorphous solid media through the activation mechanism has been proposed on the basis of these data. The method is based on the calculation of the statistical distribution of potential barriers for the motion of an admixture atom between minima depending on the position of neighboring atoms. First, the amorphous structure, which is generated by annealing from the crystalline structure with vacancies, has been simulated. Then, the statistical distribution of the potential barriers in the amorphous structure for various local environments of the admixture atoms has been calculated by means of linear regression with the parameters determined for barriers in crystalline silicon subjected to different deformations. The diffusion coefficient of the admixture has been calculated from this distribution by using the Arrhenius formula. This method has been tested by the example of crystalline and amorphous silicon with admixture of lithium atoms. The method demonstrates that the diffusion of lithium in amorphous silicon is much faster than that in crystalline silicon; this relation is confirmed experimentally.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I., Fedorov A. S., Serzhantova M. V., Denisov V. M., Tomilin F. N.
Заглавие : Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it
Место публикации : JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P.634-638. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364013110088
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Sorokin P.B., Kvashnin D.G., Kvashnin A.G., Avramov P. V., Chernozatonskii L.A.
Заглавие : Theoretical study of elastic properties of SiC nanowires of different shapes
Место публикации : J. Nanosci. Nanotechnol. - 2010. - Vol. 10, Is. 8. - P.4992-4997. - ISSN 1533-4880, DOI 10.1166/jnn.2010.2424. - ISSN 1533-4899
Примечания : Cited Reference Count: 49. - Гранты: This work was partially supported by JSPS-RFBR collaborative grant 09-02-92107. The electronic structure calculations have been performed on the Joint Supercomputer Centre of the Russian Academy of Sciences. One of the authors (Pavel V. Avramov) acknowledges the encouragement of Professor K. Morokuma, research leader of Fukui Institute, Kyoto University and Dr. Alister Page for kind help and support. The geometry of all structures was visualized by ChemCraft software.SUP53/SUPФинансирующая организация: JSPS-RFBR [09-02-92107]; Fukui Institute, Kyoto University
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
SILICON-CARBIDE
THERMAL-STABILITY
CARBON NANOTUBES
NANORODS
GROWTH
SURFACES
NANOCRYSTALS
POTENTIALS
CONSTANTS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): silicon carbide--nanowires--elastic properties--dft--molecular mechanics--dft--elastic properties--molecular mechanics--nanowires--silicon carbide--atomic structure--cubic phasis--dft--effective size--elastic properties--sic nanowire--silicon carbide nanowires--theoretical study--wire geometries--young's modulus--crystal atomic structure--density functional theory--elastic moduli--elasticity--molecular mechanics--nanowires--wire--silicon carbide
Аннотация: The atomic structure and elastic properties of silicon carbide nanowires of different shapes and effective sizes were studied using density functional theory and classical molecular mechanics. Upon surface relaxation, surface reconstruction led to the splitting of the wire geometry, forming both hexagonal (surface) and cubic phases (bulk). The behavior of the pristine SiC wires under compression and stretching was studied and Young's moduli were obtained. For Y-shaped SiC nanowires the effective Young's moduli and behavior in inelastic regime were elucidated.
WOS,
Scopus,
eLibrary
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Sorokin P.B., Kvashnin A.G., Kvashnin D.G., Filicheva J.A., Avramov P. V., Chernozatonskii L.A., Fedorov A. S.
Заглавие : Theoretical Study of Atomic Structure and Elastic Properties of Branched Silicon Nanowires
Место публикации : ACS Nano. - 2010. - Vol. 4, Is. 5. - P.2784-2790. - MAY. - ISSN 1936-0851, DOI 10.1021/nn9018027
Примечания : Cited Reference Count: 28. - Гранты: P.B.S. acknowledges partial support by the National Science Foundation grant CMMI-0708096, NIRT. L.A.C. was supported by the Russian Academy of Sciences, program No. 21. P.V.A. and P.B.S. also acknowledge the collaborative RFBR-JSPS Grant No. 09-02-92107-Phi. All calculations have been performed on the Joint Supercomputer Center of the Russian Academy of Sciences. The geometry of all presented structures was visualized by ChemCraft software.Финансирующая организация: National Science Foundation [CMMI-0708096]; NIRT; Russian Academy of Sciences [21]; RFBR-JSPS [09-02-92107-Phi]
Предметные рубрики: ELECTRONIC-PROPERTIES
BUILDING-BLOCKS
NANOCRYSTALS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): silicon nanowires--elastic properties--molecular mechanics--tersoff potential--elastic properties--molecular mechanics--silicon nanowires--tersoff potential--atomic structure--branch length--elastic properties--interatomic potential--silicon nanowires--tersoff potential--theoretical study--young modulus--carbon nanotubes--elasticity--molecular mechanics--nanowires--stiffness--crystal atomic structure--nanowire--silicon--article--chemical structure--chemistry--conformation--elasticity--mechanical stress--young modulus--elastic modulus--elasticity--models, molecular--molecular conformation--nanowires--silicon--stress, mechanical
Аннотация: The atomic structure and elastic properties of Y-shaped silicon nanowires of "fork"- and "bough"-types were theoretically studied, and effective Young moduli were calculated using Tersoff interatomic potential. The oscillation of fork Y-type branched nanowires with various branch lengths and diameters was studied. In the final stages of the bending, the formation of new bonds between different parts of the wires was observed. It was found that the stiffness of the nanowires is comparable with the stiffness of Y-shaped carbon nanotubes.
WOS,
Scopus,
eLibrary
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Kholtobina A. S., Kovaleva E. A., Knaup J., Irle S.
Заглавие : Theoretical investigation of molecular and electronic structures of buckminsterfullerene-silicon quantum dot systems
Место публикации : J. Phys. Chem. A: American Chemical Society, 2016. - Vol. 120, Is. 49. - P.9767-9775. - ISSN 1089-5639, DOI 10.1021/acs.jpca.6b06959
Примечания : Cited References:20. - The work was supported by Ministry of Education and Science of Russia (Russian-Japanese joined project, Agreement 14.613.21.0010, ID RFMEFI61314X0010). We are grateful to the Joint Supercomputer Center of Russian Academy of Sciences, Moscow and Siberian Supercomputer Center of SB RAS, Novosibirsk for the opportunity to use their computer clusters to perform the calculations. S.I. acknowledges partial support from a JST CREST grant.
Предметные рубрики: Si
NANOPARTICLES
DYNAMICS
Аннотация: Density functional theory (DFT) and density functional tight binding (DFTB) molecular dynamics Density functional theory (DFT) and density functional tight binding (DFTB) molecular dynamics (DFTB/MD) simulations of embedding and relaxation of buckminsterfullerene C60 molecules chemisorbed on (001) and (111) surfaces and inside bulk silicon lattice were performed. DFT calculations of chemisorbed fullerenes on both surfaces show that the C60 molecule deformation was very small and the C60 binding energies were roughly ∼4 eV. The charge analysis shows that the C60 molecule charges on (001) and (111) surfaces were between −2 and −3.5 electrons, respectively, that correlates well with the number of C–Si bonds linking the fullerene molecule and the silicon surface. DFT calculations of the C60 molecule inside bulk silicon confirm that the C60 molecule remains stable with the deformation energy values of between 11 and 15 eV for geometries with different C60 configurations. The formation of some C–Si bonds causes local silicon amorphization and corresponding electronic charge uptake on the embedded fullerene cages. Charge analysis confirms that a single C60 molecule can accept up to 20 excessive electrons that can be used in practice, wherein the main charge contribution is located on the fullerene’s carbon atoms bonded to silicon atoms. These DFT calculations correlate well with DFTB/MD simulations of the embedding process. In this process, the C60 molecule was placed on the top of the Si(111) surface, and it was further exposed by a stream of silicon dimers, resulting in subsequent overgrowth by silicon.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Sorokin P. B., Kvashnin D. G., Avramov P. V., Filicheva J. A., Chernozatonskii L. A.
Заглавие : The theoretical study of elastic properties of silicon nanowires
Коллективы : "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering", workshop, Сибирский федеральный университет, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : Workshop "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering": book of abstracts/ предс. сем. K. S. Aleksandrov ; зам. предс. сем.: G. S. Patrin, S. G. Ovchinnikov ; чл. лок. ком.: N. N. Kosyrev, A. S. Fedorov [et al]. - 2009. - P.17
Материалы семинара
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volochaev M. N., Tarasov I. A., Loginov Yu. Yu., Cherkov A. G., Kovalev I. V.
Заглавие : The regularities of phase formation in Fe3Si(111)/Si(111) structure at vacuum annealing
Коллективы : International Conference on Films and Coatings
Место публикации : J. Phys. Conf. Ser.: IOP, 2017. - Vol. 857, Is. 1. - Ст.012053. - ISSN 17426588 (ISSN), DOI 10.1088/1742-6596/857/1/012053
Примечания : Cited References: 10
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): coatings--high resolution transmission electron microscopy--molecular beam epitaxy--silicon--transmission electron microscopy--phase formations--polycrystalline--polycrystalline film--si(111) substrate--vacuum-annealing--annealing
Аннотация: The regularities of phase formation and thermal stability in Fe3Si(111)/Si(111) structure at stepped vacuum annealing (350, 450 and 550 °C) were investigated. The layer of 32 nm Fe3Si was deposited onto Si(111) substrate by molecular beam epitaxy at 260 °C. Transmission electron microscopy (TEM) measurements demonstrated that the film thickness increases by ∼19 % at 350 °C annealing without changing the phase composition. The polycrystalline -FeSi sublayer was formed on the interface at 450 °C annealing. Further annealing at 550 °C led to the ∼ 80 nm polycrystalline film formation containing the crystallites of -FeSi, Fe5Si3, and β-FeSi2 phases.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device
Место публикации : J. Surf. Invest.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P.984-994. - ISSN 1027-4510, DOI 10.1134/S1027451015050432
Примечания : Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetoresistance--magnetotransport properties--photoconductivity--bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие