Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Thin films<.>)

Общее количество найденных документов : 55
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-55

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Назарова З. И., Назаров А. Н.
Заглавие : Прогнозирование образования конкурирующих фаз при росте тонких плёнок Cr2GaC на MgO(111)
Место публикации : Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 383-390. - ISSN 2712-8970, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-383-390
Примечания : Библиогр.: 15. - Исследования выполняются при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта № 20-42-240012, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение № 075-15-2019-1886)
Аннотация: MAX-фазы представляют собой семейство тройных слоистых соединений с формальной стехиометрией Mn+1AXn (n = 1, 2, 3…), где М – переходный d-металл; А – p-элемент (например, Si, Ge, Al, S, Sn и др.); Х – углерод или азот [1]. Слоистые тройные карбиды и нитриды d- и p-элементов (MAX-фазы) проявляют уникальное сочетание свойств, характерных как для металлов, так и для керамики, что делает их применение перспективным в космической отрасли в качестве различных покрытий. Получение требуемых свойств MAX-фаз зависит от технологических условий синтеза материала. Для этого необходимо тщательное теоретическое моделирование взаимодействия элементов на границе раздела. Одновременный рост конкурирующих фаз наряду с MAX-фазой может происходить из-за выгодности образования конкурирующих фаз, а также из-за более низко-энергетического интерфейса с подложкой по сравнению с MAX-фазой. В данной работе мы изучаем термодинамическую выгодность конкурирующих фаз и MAX-фазы Cr2GaC в зависимости от химического состава потока атомов. Для изучения этих соединений было необходимо рассмотреть систему Cr-Ga-C. Согласно модели эффективной теплоты образования каждую реакцию образования некоторой фазы можно охарактеризовать энтальпией [2]. Для выяснения наиболее вы-годных к формированию фаз было необходимо произвести расчёт энтальпии для всех возможных реакций. Таким образом, задача состояла в переборе всех возможных реакций между чистыми элементами, доступными в различных соотношениях, в частности, в соотношении, соответствующем заданной стехиометрии MAX-фазы, т. е. Cr:Ga:C=2:1:1. Кроме того, считается, что плотность совпадающих узлов [3; 4] для границ раздела между MAX-фазой, термодинамически выгодными конкурирующими фазами и поверхностью MgO(111) показывает роль интерфейса при определении структурного качества тонкой плёнки MAX-фазы, выращенной на MgO(111).MAX-phases are a family of ternary layered compounds with the formal stoichiometry Mn+1AXn (n = 1, 2, 3...), where M is a transition d-metal; A is a p-element (for example, Si, Ge, Al, S, Sn, etc.); X is carbon or nitrogen [1]. Layered triple carbides and nitrides of d-and p-elements (MAX-phases) exhibit a unique combination of properties characteristic of both metals and ceramics, which makes their application as various coatings in space industry very promising. Obtaining the desired properties of the MAX-phases depends on the technological conditions of material synthesis. This requires thorough theoretical modelling of the elements’ interaction at the interface. Concurrent growth of competing phases along with the MAX-phase may occur due to the favorability of the formation of competing phases and also be promoted by lower energy interfaces with the substrate in comparison with a MAX-phase. In this work, we study thermodynamic favorability of competing phases and Cr2GaC MAX-phase depending on the chemical composition of the atomic flow. To study these compounds, it was necessary to consider the Cr-Ga-C system. According to the effective heat of formation model, each reaction of the formation of a certain phase can be characterized by enthalpy [2]. To find out the most favorable phases, it was necessary to calculate the enthalpy of all possible reactions. Thus, the task was to sort through all possible reactions between pure elements available in various ratios, in particular, in the ratio corresponding to the given MAX-phase stoichiometry, i.e. Cr:Ga:C=2:1: 1. Moreover, it is considered that the density of near-coincidence sites [3,4] for interfaces between MAX-phase, thermodynamically favourable competing phases and MgO(111) surface shows a role of the interface in the determination of the structural quality of the MAX-phase thin film grown on MgO(111).
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Аверьянов, Евгений Михайлович
Заглавие : Молекулярно-оптическая анизотропия тонких пленок полифенил- хиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул
Место публикации : Жидк. кристаллы и их практич. использ. - 2018. - Т. 18, № 4. - С. 48–56. - ISSN 1991-3966, DOI 10.18083/LCAppl.2018.4.48; Liq. Cryst. Appl. - ISSN 2499-9644
Примечания : Библиогр.: 11
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические свойства--тонкие пленки--производные полифенилхиноксалинов--молекулярная поляризуемость--optical properties--thin films--poly(phenylquinoxaline) derivatives--molecular polarizability
Аннотация: Для одноосных тонких пленок двух производных полифенилхиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул исследована связь показателей преломления nj с параметрами поляризуемости Г {компонентами γj, средним значением γ‾= (γ || + 2γ⊥)/3, анизотропией δγ = γ|| – γ⊥} двуосного мономерного звена полимерной цепи при поляризациях световой волны вдоль (j = ||) и нормально (j =⊥) оптической оси, которая перпендикулярна плоскости пленки. В компонентах fj =1+Lj(nj2–1) тензора локального поля значения компонент Lj тензора Лоренца получены с использованием экспериментальных зависимостей nj(λ) от длины световой волны λ. Показано, что для исследованных пленок с малым двулучепреломлением Δn = n||–n⊥ модельные тензоры fj, широко используемые для полимерных пленок, приводят к существенно заниженным значениям δγ и искажению дисперсии Г(λ). Впервые отмечено, что для двуосных мономерных звеньев с двумя параметрами одноосного ориентационного порядка (S, G) и двумя типами анизотропии поляризуемости (Δγ, Δγ') связь Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 может приводить к равенству Δn = 0 при S≠ 0, G≠ 0. Выяснены молекулярные и структурные особенности реализации состояния пленки с Δn = 0.For the uniaxial thin films of two poly(phenylquinoxaline) derivatives with in-plane orientation of macromolecules, the relationship between refractive indices nj and polarizability parameters Г {components γj, mean value γ‾ = (γ || + 2γ⊥)/3, anisotropy δγ = γ|| – γ⊥} of the biaxial monomer unit of the polymer chain for the light-wave polarization along (j = ||) and across (j =⊥) the optical axis which is perpendicular to the film plane, was investigated. In the local-field tensor components fj =1+Lj(nj2–1), the Lorentz-tensor components values (Lj) were obtained using the experimental dependences of nj(λ) on the light wavelength λ . The model tensors fj, which are widely used for polymer films, lead to essentially understated values of δγ and distortion of the dispersion Г(λ)for the investigated films with low birefringence Δn = n||–n⊥. It was observed for the first time, that for biaxial monomer units with two parameters of uniaxial orientational order (S, G) and two types of the polarizability anisotropy (Δγ, Δγ') the relation Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 can lead to the equality Δn = 0 at S≠ 0, G≠ 0.Molecular and structural peculiarities required for realization of the film state with Δn = 0were established.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Тарасов, Антон Сергеевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Мягков, Виктор Григорьевич, Тамбасова Е. Г.
Заглавие : Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах
Коллективы : "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция
Место публикации : Решетневские чтения: материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - ISBN 1990-7702
Примечания : Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К.").
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид индия--тонкие пленки--автоволновое окисление--indium oxide--thin films--autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.
Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Куклин, Артем Валентинович, Кузубов, Александр Александрович, Денисов, Виктор Михайлович, Ковалева, Евгения Андреевна, Шостак С. А.
Заглавие : Квантово-химическое исследование структуры и свойств моно- и бислоев CrN
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 450-455. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 32. - Авторы выражают благодарность Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН (Новосибирск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), а также НИВЦ МГУ «Лаборатория параллельных информационных технологий» [25] (система СКИФ МГУ «Чебышев») за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант № 16.1500.2014/K).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): crn--тонкие пленки--монослои--dft--ab initio--спинтроника--thin films--monolayers--spintronics
Аннотация: В последнее время такие материалы, как графен, h-BN и дихалькогениды переходных металлов, получают широкое применение в различных областях (спинтроника, фотовольтаика, валлейтроника) в связи с их низкой размерностью и проявлением свойств, отличных от их объемных аналогов. В то же время на данном этапе развития науки активно исследуются другие двумерные материалы, в том числе нитриды и карбиды переходных металлов. Некоторые из них уже экспериментально получены, охарактеризованы и имеют большой потенциал применения в наноэлектронике. Схожие с графеном 2D-структуры могут быть основаны на нитриде хрома, магнитные своиства которого будут зависеть от координационного числа и, соответственно, количества неспаренных электронов. В данной работе, используя метод PAW и обобщенное градиентное приближение GGA-PBE в рамках теории функционала плотности (DFT+U) с коррекцией слабого дисперсионного взаимодействия, было предсказано существование моно- и бислоев нитрида хрома с кристаллографическими индексами поверхностей (100) и (111). Показано изменение геометрии двумерных структур относительно кристаллической фазы. Полученные 2D CrN (100) и (111) являются идеально плоскими. Для сравнения энергетической стабильности двумерного CrN была рассчитана относительная энергия образования монослоя. Проведены спин-поляризованные расчеты ферромагнитного и антиферромагнитного состояний. Анализ электронной структуры указывает на то, что данные материалы являются ферромагнетиками со 100 % спиновой поляризацией. В соответствии с классической моделью Гейзенберга был рассчитан обменный параметр J для монослоя (100). Исследована зависимость изменения свойств при переходе от моно- к бислойным структурам.Lately, such materials as graphene h-BN and transition metal dichalcogenides have been widely used in various fields and have received a lot of attention owing to its numerous device applications (spintronics, photovoltaic, valleitronics). This is due to the low dimensionality and different properties from those bulk materials. At the same time, at this stage of scientific development, other two-dimensional materials have been actively studied, including carbides and nitrides of transition metals. Some of them have been experimentally obtained, characterized and have great potential for application in nanoelectronics. Similar to the 2D graphene structures can be based on chromium nitride whose magnetic properties will depend on the coordination number and the number of uncoupled electrons correspondingly.In this work, using PAW method and the gradient corrected density functional GGA-PBE within the framework of generalized Kohn-Sham density functional theory (DFT+U) considering weak dispersion interaction, we have predicted the existence of a chromium nitride mono- and bilayers of (100) and (111) crystallographic surface. It was shown that the monolayers geometry relative to the crystalline phase was changed. The 2D CrN (100) and (111) are perfectly flat. To comparison of the energy stability of two dimensional CrN the relative energy of monolayer formation was calculated. Using spin-polarized calculations we calculate ferromagnetic and antiferromagnetic states. The analysis of electronic structure shows that these materials are ferromagnets with 100 % spin polarization. According to the classical Heisenberg model, the exchange parameter J has been calculated (for monolayer 100). The dependence of the changes in the properties during the transition from mono to bilayers structures was investigated.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Drozdova N. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : "γ-Fe problem" and epitaxial growth of fe on cu(001)
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.502-505. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.502. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ?-fe--cu-fe system--magneto-volume effect--solid-state synthesis--thin films--cu-fe system--interlayer formation--magnetic studies--magneto-volume effects--orientation relationship--pseudomorphic growth--residual gas--solid-state synthesis--ultra-thin--buffer layers--magnetic materials--mossbauer spectroscopy--thin films--epitaxial growth
Аннотация: We have observed the formation of a thin buffer layer on the Fe/Cu interface at a temperature of 520 K. Mossbauer spectroscopy and magnetic studies reveal that the residual gases in the chamber (especially oxygen) play an important role in the ultra-thin interlayer formation. It was shown that the Cu2O buffer layer does not change the Pitsh orientation relationships during epitaxial growth of ?-Fe(110) on Cu(001). Our analysis of the experimental results contradicts pseudomorphic growth and formation of ?-Fe on Cu(001). В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrusheva T. N., Snezhko N. Yu., Belousov A. L., Rizhenkov A. V., Mikhlin Y. L., Kirik S. D., Bondarenko G. N., Zharkov S. M., Romanov A. A.
Заглавие : Transparent conductive ITO coatings obtained by pyrolysis of metal extracts
Место публикации : J. Appl. Chem. Sci. Int. - 2015. - Vol. 3, Is. 1. - P.21-28. - ISSN 2395-3705
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): indium-tin oxide--thin films--extraction-pyrolysis technique--liquid precursors--nanocrystalline structure
Аннотация: Thin films of indium-tin oxide (ITO) have been prepared by pyrolysis of liquid organic-extracts of indium and tin. The films were deposited on glass substrate in the atmospheric condition. Extraction-pyrolytic method adopted here uses cheap starting materials and provides the required stoichiometric ratio by mixing the stable liquid precursors in appropriate concentration. Thermal decomposition processes are induced in the narrow temperature range of 350–400°C. The zirconium-yttrium oxide (ZYO) sublayer was deposited on glass substrate in advance to provide homo epitaxial growth. This would induce reduction in intrinsic stress of the films due to matching in thermal expansion coefficient with ITO film. XPS studies showed the absence of impurity elements in these extraction-pyrolytic technique derived ITO films and the spectra is quite similar to that for ITO films deposited in vacuum environment. ITO film has a nanocrystalline structure with grain size of about 6 nm.
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Shanidze L. V., Rautskiy M. V., Mikhlin Yu. L., Lukyanenko A. V., Konovalov S. O., Zelenov F. V., Shvets P. V., Goikhman A. Yu., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors
Место публикации : Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48, Is. 10. - P.74-77. - ISSN 10637850 (ISSN), DOI 10.21883/TPL.2022.10.54805.19292. - ISSN 10906533 (eISSN)
Примечания : Cited References: 14. - This study was supported financially by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Krai, and the Krasnoyarsk Krai Foundation of Science as part of scientific project No. 20-42-240013. The Rutherford backscattering study of samples was performed at Research and Education Center ” Functional Nanomaterials“ of the Baltic Federal University with financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Аннотация: The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40 nm thick TiN0.87O0.97 is presented.
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kholtobina A. S., Kovaleva E. A., Melchakova J., Ovchinnikov S. G., Kuzubov A. A.
Заглавие : Theoretical investigation of the prospect to tailor ZnO electronic properties with VP thin films
Место публикации : Nanomaterials. - 2021. - Vol. 11, Is. 6. - Ст.1412. - ISSN 20794991 (ISSN), DOI 10.3390/nano11061412
Примечания : Cited References: 75. - This research was funded by the Russian Science Foundation, grant number 20-73-00179. The authors would like to thank the Information Technology Centre, Novosibirsk State University for providing access to their supercomputers
Аннотация: The atomic and electronic structure of vanadium phosphide one-to four-atomic-layer thin films and their composites with zinc oxide substrate are modelled by means of quantum chemistry. Favorable vanadium phosphide to ZnO orientation is defined and found to remain the same for all the structures under consideration. The electronic structure of the composites is analyzed in detail. The features of the charge and spin density distribution are discussed.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zhandun V. S., Draganyuk O. N.
Заглавие : The spin-state transition in ACo2O4 spinels (A = Be, Mg, Ca, Cd, Zn)
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater. - 2022. - Vol. 552. - Ст.169206. - ISSN 03048853 (ISSN), DOI 10.1016/j.jmmm.2022.169206
Примечания : Cited References: 51. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research projects № 19-42-240016: «Control of structural, magnetic, electronic, and optical properties by pressure and intercalation into functional compounds with a spinel structure containing 3d and 4f ions» and № 20-42-240004: “The effect of the composition, pressure, and dimension on the magnetic, electronic, optical, and elastic properties of the magnetic Mn+1AXn (M = Cr, Mn; Fe, A = Al, Ga, Si, Ge, P, In; X = C, N; n = 1-3) MAX-phases”. The calculations were performed with the computer resources of “Complex modeling and data processing research installations of mega-class” SRC “Kurchatovsky Institute” (http://ckp.urcki.ru)
Аннотация: The magnetic and electronic properties of the Co-based spinel oxides ACo2O4 (A = Be, Mg, Ca, Zn, Cd) were studied within GGA + U approach. It was found that the Co3+ ion is in a low-spin state due to the effect of the crystal field of octahedral symmetry. It is shown that Co3+ ion undergoes a spin-state transition into the high-spin state under the critical pressure of P = −10 GPa – −20 GPa. This pressure-induced spin-state transition is caused by the redistribution of electrons between the t2g- and eg-orbitals arising with increasing interatomic distances. The role of interatomic distances between Co3+ ion and its ligands is discussed. Thin-film form also favors the appearance of a high-spin state of Co3+ ion. At the same critical pressure, there is a sharp increase in the majority spin bandgap and a sharp decrease in the minority spin bandgap. These findings allow manipulating the spin state of Co3+ ions and bandgap width through the pressure or strain arising in thin films.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие