Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Thin films<.>)
Общее количество найденных документов : 55
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-55 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : KRUSTALEV B. P., BALAEV A. D., SOSNIN V. M.
Заглавие : EXCHANGE INTERACTIONS IN SUPERPARAMAGNETIC NANOCLUSTER FILMS FE-SIO
Место публикации : Solid State Commun.: PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, 1995. - Vol. 95, Is. 5. - P271-275. - ISSN 0038-1098, DOI 10.1016/0038-1098(95)00264-2
Примечания : Cited References: 9
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): nanostructures--thin films--exchange and superexchange
Аннотация: The magnetic properties of superparamagnetic films Fe-SiO have been investigated. It has been shown that a proper consideration of intra- and intercluster interactions describes well the magnetic behavior of the films. Their main parameters have been determined. On the basis of a proposed cluster model, the decrease of the effective magnetic moment per one iron atom is explained.
WOS
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Khalyapin D. L., Kim J., Stolyar S. V., Turpanov I. A., Kim P. D., Kim I.
Заглавие : Formation of 4H-closely packed structure in thin films of metastable nanocrytalline Co13Cu87 alloy
Разночтения заглавия :авие SCOPUS: Formation of 4H-closely packed structure in thin films of metastable nanocrystalline Co13Cu87 alloy
Место публикации : Solid State Commun. - 2003. - Vol. 128, Is. 6-7. - P.209-212. - ISSN 0038-1098, DOI 10.1016/j.ssc.2003.08.018
Примечания : Cited References: 10
Предметные рубрики: MAGNETORESISTANCE
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): nanocrystalline materials--metals--metastable solid solution--ion impact--metals--nanocrystalline materials--metastable solid solution--ion impact--crystal lattices--nanostructured materials--solid solutions--thin films--ion polishing--cobalt alloys
Аннотация: The crystal structure of the thin films of metastable Co13Cu87 alloy prepared by magnetron sputtering was investigated by transmission electron microscope. As-deposited films have a nanocrystal structure with an fcc lattice. As a result of the prolonged ion polishing with a beam of Ar ions with the energy of 4.7 keV, the four-layer 4H dhcp structure was formed. (C) 2003 Elsevier Ltd. All rights reserved.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Di Valentin C., Neyman K. M., Risse T., Sterrer M., Fischbach E., Freund H. J., Nasluzov V. A., Pacchioni G., Rosch N.
Заглавие : Density-functional model cluster studies of EPR g tensors of F-s(+) centers on the surface of MgO
Разночтения заглавия :авие SCOPUS: Density-functional model cluster studies of EPR g tensors of F s + centers on the surface of MgO
Место публикации : J. Chem. Phys.: AMER INST PHYSICS, 2006. - Vol. 124, Is. 4. - Ст.44708. - ISSN 0021-9606, DOI 10.1063/1.2161190
Примечания : Cited References: 37
Предметные рубрики: ELECTRONIC G-TENSORS
CORRELATION-ENERGY
MGO(001) SURFACE
OXYGEN VACANCIES
SPIN-ORBIT
G-VALUES
ATOMS
APPROXIMATION
COMPLEXES
MOLECULES
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): density-functional model cluster--single-crystalline thin films--spin-orbit interaction--anisotropy--paramagnetic resonance--single crystals--tensors--thin films--magnesium compounds
Аннотация: We report g tensors of surface color centers, so-called F-s(+) centers, of MgO calculated with two density-functional approaches using accurately embedded cluster models. In line with recent UHV measurements on single-crystalline MgO film, we determined only small g-tensor anisotropies and negative shifts Delta g equivalent to g-g(e) for all F-s(+) sites considered, namely, (001)-terrace, step, edge, and corner sites. The g values are very sensitive to the local structure of the defect: relaxation reverses the sign of Delta g. However, accounting for the spin-orbit interaction either self-consistently or perturbatively yields very similar results. In addition to the values of the tensor components, their direction with respect to the surface was determined. In contrast to edges, significant deviations from ideal C-2v symmetry were found for F-s(+) centers at steps. Recent data on single-crystalline thin films are reevaluated in the light of these results. (c) 2006 American Institute of Physics.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Vas'kovskii V. O., Svalov A. V., Eremin E. V., Panova M. A., Vasil'ev V. N.
Заглавие : Magnetic resonance in multilayer Gd/Si/Co magnetic films
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 2006. - Vol. 102, Is. 1. - P131-136. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/S1063776106010158
Примечания : Cited References: 9
Предметные рубрики: FIELD
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetic properties--molecular dynamics--paramagnetic resonance--thin films--exchange parameters--gyromagnetic ratios--interlayer coupling--magnetic dynamics--resonance
Аннотация: The magnetic properties of multilayer Gd/Si/Co magnetic films are experimentally studied by electron magnetic resonance and analyzed theoretically. The introduction of a semiconductor silicon interlayer is found to substantially affect the magnetic interlayer coupling and the magnetic dynamics of the system. The interlayer coupling is shown to be ferromagnetic for the (Gd/Si)(n) films and to be antiferromagnetic for the (Gd/Si/Co/Si)(n) films. The temperature dependences of the exchange parameters and the gyromagnetic ratios are determined. Possible mechanisms responsible for the formation of the interlayer coupling are discussed.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Frank A. M.
Заглавие : Shear driven solitary waves on a liquid film
Место публикации : Phys. Rev. E: AMERICAN PHYSICAL SOC, 2006. - Vol. 74, Is. 6. - Ст.65301. - ISSN 1539-3755, DOI 10.1103/PhysRevE.74.065301
Примечания : Cited References: 21
Предметные рубрики: INCLINED CHANNEL
FLOWS
DYNAMICS
STABILITY
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gravity waves--laminar flow--navier stokes equations--reynolds number--shear waves--liquid films--solitary waves--traveling waves--wave amplitudes--thin films
Аннотация: Long nonlinear two-dimensional traveling waves on a film driven by laminar gas flow are investigated numerically via solving Navier-Stokes equations. The evolution of their shape, amplitude, and speed with increasing Reynolds number is studied. The existence of solitary waves is demonstrated. A comparison between shear driven and gravity-capillary waves is made and discussed. It is shown that shear driven waves as compared to gravity driven waves are much higher for equal film Reynolds numbers and much slower for equal wave amplitudes.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Polyakova K.P., Patrusheva T.N., Velikanov D. A., Volkov N. V., Balaev D. A., Patrin G. S., Klabukov A.A.
Заглавие : Synthesis and Magnetic Properties of Pr0.7Ca0.3MnO3 Manganite Films
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Magnetism and Magnetic Materials. - STAFA-ZURICH: Trans Tech Publications LTD, 2009. - Vol. 152-153. - С. 100-103. - (Solid State Phenomena Series). - ISBN 1012-0394
Примечания : Cited Reference Count: 11
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetic properties--thin films--synthesis--manganite
Аннотация: Data on the magnetic properties of polycrystalline Pr(0.7)Ca(0.3)MnO(3) manganite films obtained for the first time by extraction pyrolysis are presented. The effect of synthesis temperature on the magnetic properties of the manganite films is shown.
WOS
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Zhigalov V. S., Myagkov V. G., Frolov G. I., Bykova L. E., Komogortsev S. V., Bondarenko G. N., Nizhankovskii V. I.
Заглавие : Solid-State Synthesis of Co-Sm(110) Epitaxial Films with Large Magnetocrystalline Anisotropy
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", Russian Acad Sci, Inst Metal Phys
Место публикации : TRENDS IN MAGNETISM. - DURNTEN-ZURICH: TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, 2011. - Vol. 168-169. - С. 188-+. - (Solid State Phenomena). - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.188
Примечания : Cited Reference Count: 16
Предметные рубрики: Conference Proceedings Citation Index - Science (CPCI-S)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): thin films--solid-state reaction--co-sm alloys--magnetic anisotropy--hysteresis loops
Аннотация: Solid-state synthesis of a Sm2CO7 (110) hard magnetic phase prepared by successive deposition of Co and Sm layers onto a MgO(001) surface at a temperature of 400 C has been experimentally studied. Upon annealing at 500 C, the structure of the material changes, which leads to the formation of an epitaxial Sm2Co17 (110) phase. The first and second magnetocrystalline anisotropy constants of the Co-Sm have been determined.
WOS
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Bondarenko G. N., Mikhlin Y. L., Patrin G. S., Velikanov D. A.
Заглавие : Solid-state formation of ferromagnetic δ-Mn0.6Ga0.4 thin films with high rotatable uniaxial anisotropy
Место публикации : Phys. Status Solidi B: Wiley-VCH Verlag GMBH, 2012. - Vol. 249, Is. 8. - P.1541-1545. - ISSN 0370-1972, DOI 10.1002/pssb.201248064
Примечания : Cited References: 39
Предметные рубрики: EPITAXIAL-GROWTH
PERPENDICULAR ANISOTROPY
MAGNETIC-PROPERTIES
PHASE-FORMATION
GAAS
GAN
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): high anisotropy constants--mnxga1-x alloys--rotatable magnetic anisotropies--thin films
Аннотация: Solid-state reactions in Ga/Mn polycrystalline films of the composition 1 Ga:3 Mn were experimentally investigated. Our X-ray study showed that the formation of the Ga/Mn → (250 °C) ϕ-Ga7.7Mn2.3 → (350 °C) δ-Mn0.6Ga0.4 phase sequence occurs when the annealing temperature is increased to 400 °C. δ-Mn0.6Ga0.4 samples were found to have high rotatable uniaxial anisotropy. We also showed that magnetic fields with coercivities above H  HC = 8.3 kOe can be used to orient the easy anisotropy axis in any spatial direction while taking the angle of the lag into account.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Drozdova N. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : "γ-Fe problem" and epitaxial growth of fe on cu(001)
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.502-505. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.502. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ?-fe--cu-fe system--magneto-volume effect--solid-state synthesis--thin films--cu-fe system--interlayer formation--magnetic studies--magneto-volume effects--orientation relationship--pseudomorphic growth--residual gas--solid-state synthesis--ultra-thin--buffer layers--magnetic materials--mossbauer spectroscopy--thin films--epitaxial growth
Аннотация: We have observed the formation of a thin buffer layer on the Fe/Cu interface at a temperature of 520 K. Mossbauer spectroscopy and magnetic studies reveal that the residual gases in the chamber (especially oxygen) play an important role in the ultra-thin interlayer formation. It was shown that the Cu2O buffer layer does not change the Pitsh orientation relationships during epitaxial growth of ?-Fe(110) on Cu(001). Our analysis of the experimental results contradicts pseudomorphic growth and formation of ?-Fe on Cu(001). В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-55 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)