Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ZnO<.>)

Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-31 31-31

Влияние термообработки на стабильность наноразмерных многослойных структур (Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/In2O3 / И. В. Бабкина, М. Н. Волочаев, О. В. Жилова [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2020. - Т. 84, № 9. - С. 1293-1296, DOI 10.31857/S0367676520090057. - Библиогр.: 11. - Работа выполнена при поддержке Минобрнауки в рамках проектной части государственного задания (No FZGM-2020-0007) . - ISSN 0367-6765
Аннотация: Изучены термическая стабильность и фазовые превращения тонкопленочной многослойной гетерогенной системы [(Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/In2O3]85, осажденной методом ионно-лучевого распыления. Всего было получено 85 слоев, каждый из которых состоит из прослойки композита (Co40Fe40B20)34(SiO2)66 и полупроводниковых прослоек ZnO и In2O3. Структура образцов исследована методом рентгеновской дифракции в исходном состоянии и после термической обработки. Образцы являются стабильными вплоть до 500°С. В процессе отжигов образуются следующие фазы: Zn2SiO4, InBO3, CoFe и In2O3.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Effect of Heat Treatment on the Stability of Nanosized (Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/In2O3 Multilayers [Текст] / I. V. Babkina, M. N. Volochaev, O. V. Zhilova [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2020. - Vol. 84 Is. 9.- P.1100-1103

Держатели документа:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Воронежский государственный технический университет”, Воронеж, Россия
Институт физики имени Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук – обособленное подразделение Федерального исследовательского центра “Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Бабкина, И. В.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Жилова, О. В.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Ситников, А. В.; Чехонадских, М. В.; Янченко, Л. И.
}
Найти похожие

Structure and physical properties of hydrogenated (Co + Al)-doped ZnO films: Comparative study with co-doped ZnO films / Y. E. Samoshkina, I. S. Edelman, H. Chou [et al.] // Mater. Sci. Eng. B. - 2021. - Vol. 264. - Ст. 114943, DOI 10.1016/j.mseb.2020.114943. - Cited References: 52. - H.C. thanks the Ministry of Science and Technology of Taiwan for financial support [grant number MOST 108-2112-M-110-003]. The scanning electron microscopy investigations were conducted in the SFU Joint Scientific Center supported by Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [state assignment number FSRZ-2020-0011]. X-ray diffraction data were obtained using analytical equipment of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center SB RAS” . - ISSN 0921-5107
Кл.слова (ненормированные):
(Co + Al)-doped ZnO -- Co-doped ZnO -- Diluted oxides -- Thin films -- Hydrogenation -- Room temperature ferromagnetism
Аннотация: (Co + Al)-doped ZnO films have been synthesized by the RF magnetron sputtering. Films of this composition have first been obtained in mixed atmosphere of Ar + H2. High hydrogen concentration of 20–50% has been used together with high enough substrate temperature of 450 °C. The used technological conditions affected the morphology, chemical composition, optical, electric, and magnetic properties of the films to an even more than in the case of Co-doped ZnO films synthesized under the same conditions and studied earlier. The films exhibit ferromagnetic behavior at room temperature with much greater magnetization and magneto-optical activity compared to the Co-doped films. At the same time, the hydrogenated films show an increase in electric conductivity in comparison with samples synthesized in the atmosphere of Ar + O2. The magnetic nature of the hydrogenated films has been associated with the defect-related mechanism.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, 80424, Taiwan
Department of Applied Physics, National University of Kaohsiung, Kaohsiung, 81148, Taiwan
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Samoshkina, Yu. E.; Самошкина, Юлия Эрнестовна; Edelman, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Chou, H.; Lin, H. -C.; Dwivedi, G. D.; Petrov, D. A.; Петров, Дмитрий Анатольевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Zeer, G. M.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич
}
Найти похожие

    Atomic layer deposition ZnO on porous Al2O3 nanofibers film / A. S. Voronin, A. N. Masiygin, M. S. Molokeev, S. V. Khartov // J. Phys. Conf. Ser. - 2020. - Vol. 1679, Is. 2. - Ст. 022072DOI 10.1088/1742-6596/1679/2/022072. - Cited References: 10. - Studies by scanning electron microscopy and X-ray powder diffraction were performed on the equipment of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS». The transmission electron microscopy investigations were conducted in the SFU Joint Scientific Center supported by the State assignment (#FSRZ-2020-0011) of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation
   Перевод заглавия: Нанесение атомного слоя ZnO на пленку из пористых нановолокон Al2O3
Кл.слова (ненормированные):
Alumina -- Aluminum oxide -- Atomic layer deposition -- Atoms -- Composite structures -- High resolution transmission electron microscopy -- II-VI semiconductors -- Nanofibers -- Oxide minerals -- Scanning electron microscopy
Аннотация: The paper presents the results of the formation and study of the morphological and structural characteristics of the mesoporous ZnO / Al2O3 nanofibers film (ZANF). The deposition of a ZnO layer on Al2O3 nanofibers film (ANF) ~ 1 µm thick was carried out by the method of atomic layer deposition. The morphology of the mesoporous composite layer ZnO / Al2O3 (ZANF) has been studied by scanning and transmission electron microscopy. It is shown that in the process of atomic layer deposition, the ZnO layer grows according to the Stranski-Krastanov mechanism. A ZnO layer less than 5 nm thick gives an island structure in which Al2O3 nanofibers are uniformly coated with ZnO particles, an increase in the ZnO layer thickness to 15 nm demonstrates a continuous coating of Al2O3 nanofibers. The system has a core-shell structure. The resulting composite structures are promising for applications in photocatalysis and gas sensing.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Federal Research Center Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences (KSC SB RAS), Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University Science and Technology, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics (FRC KSC SB RAS), Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Voronin, A. S.; Masiygin, A. N.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Khartov, S. V.; International Scientific Conference on Applied Physics, Information Technologies and Engineering(2nd ; 25 September - 4 October 2020 ; Krasnoyarsk, Russian Federation)
}
Найти похожие

Effect of Heat Treatment on the Stability of Nanosized (Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/In2O3 Multilayers / I. V. Babkina, M. N. Volochaev, O. V. Zhilova [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2020. - Vol. 84, Is. 9. - P. 1100-1103, DOI 10.3103/S1062873820090051. - Cited References: 11. - This work was supported by the RF Ministry of Science and Higher Education as part of State Task no. FZGM-2020-0007 . - ISSN 1062-8738
Кл.слова (ненормированные):
After-heat treatment -- Binary alloys -- Film preparation -- II-VI semiconductors -- Ion beams -- Magnetic semiconductors -- Multilayers -- Oxide minerals -- Semiconducting indium compounds -- Semiconducting silicon compounds -- Semiconducting zinc compounds -- Silica -- Silicon -- Sputtering -- Wide band gap semiconductors -- Zinc oxide
Аннотация: An investigation is performed of the thermal stability and phase transformations of thin-film heterogeneous [(Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/In2O3]85 multilayers obtained via ion beam sputtering. The system contains 85 layers, each consisting of a (Co40Fe40B20)34(SiO2)66 composite layer and ZnO and In2O3 semiconductor spacers. The sample structure in the initial state and after heat treatment is studied by means of X-ray diffraction. It is shown that the samples are stable at temperatures of up to 500°С. Zn2SiO4, InBO3, CoFe, and In2O3 phases form during annealing.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Влияние термообработки на стабильность наноразмерных многослойных структур (Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/In2O3 [Текст] / И. В. Бабкина, М. Н. Волочаев, О. В. Жилова [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2020. - Т. 84 № 9. - С. 1293-1296

Держатели документа:
Voronezh State Technical University, Voronezh, 394026, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Babkina, I. V.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zhilova, O. V.; Kalinin, Y. E.; Kashirin, M. A.; Sitnikov, A. V.; Chehonadskih, M. V.; Yanchenko, L. I.
}
Найти похожие

Structure and Electrical Properties of (ZnO/SiO2)25 Thin Films / M. N. Volochaev [et al.] // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, Is. 11. - P. 1465-1471, DOI 10.1134/S106378261911023X. - Cited References: 16. - This study was carried out in the framework of the state assignment of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, project no. 3.1867.2017/4.6. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
HETEROSTRUCTURES
Кл.слова (ненормированные):
thin films -- multilayers -- oxide semiconductors -- hopping conductivity -- thermal stability
Аннотация: (ZnO/SiO2)25 thin-film multilayers consisting of nanocrystalline ZnO layers and amorphous SiO2 spacers with a bilayer thickness from 6 to 10 nm are synthesized in a single deposition process. An analysis of the temperature dependences of the electrical resistivity of (ZnO/SiO2)25 thin films shows that, in the temperature range of 77–300 K, the dominant conductivity mechanism successively changes from hopping conductivity with a variable hopping length in a narrow energy band near the Fermi level at temperatures of 77–250 K to thermally activated impurity conductivity around room temperature. Using the obtained temperature dependences of the electrical resistivity, the effective density of localized states at the Fermi level and the activation energy of impurity levels are estimated. The effect of heat treatment on the structure and electrical properties of the synthesized films is examined. It is established that in (ZnO/SiO2)25 thin-film systems at temperatures of 580–600°C, the ZnO and SiO2 layers chemically interact, which is accompanied by destruction of the multilayer structure and formation of the Zn2SiO4 compound with a tetragonal structure (sp. gr. I-42d).

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Krasnoyarsk Sci Ctr, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russia.
Voronezh State Tech Univ, Voronezh 394026, Russia.

Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kalinin, Yu E.; Kashirin, M. A.; Makagonov, V. A.; Pankov, S. Yu; Bassarab, V. V.; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [3.1867.2017/4.6]
}
Найти похожие

Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25 / М. Н. Волочаев [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185. - Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6). . - ISSN 0015-3222
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- многослойные структуры -- оксидные полупроводники -- прыжковая проводимость -- термическая стабильность
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия

Доп.точки доступа:
Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Бассараб, В. В.
}
Найти похожие

Transport and magnetic phenomena in ZnO-С thin-film heterostructures / M. N. Volochaev, A. B. Granovsky, O. V. Zhilova [et al.] // Superlattices Microstruct. - 2020. - Vol. 140. - Ст. 106449, DOI 10.1016/j.spmi.2020.106449. - Cited References: 36. - The work was supported by the Ministry of Education and Science of Russia (project No. 3.1867.2017/4.6 ) and the RFBR (project No. 19-07-00471). The work was partially funded by the Academy of Finland . - ISSN 0749-6036
Кл.слова (ненормированные):
Zinc oxide -- Amorphous carbon -- Multi-layered structures -- Composites -- Hopping conductivity -- Weak localization -- Magnetoresistance
Аннотация: ZnO- and C-based heterostructures were fabricated by the layer-by-layer deposition technique using the ion-beam sputtering process. Structure, electrical and magnetic properties of fabricated heterostructures are discussed. The two-phase (ZnO and C) films are evolved into a multilayer structure, consisting of amorphous carbon and crystalline ZnO layers when the bilayer thickness increases. When carbon is added to ZnO, its electrical resistivity reduces. The conduction mechanism changes from the variable-range hopping in a narrow energy band to the nearest neighbors hopping in ZnO–C films with a thickness of h ˂ 150 nm. The temperature dependence of conductivity changes from the Arrhenius-like to logarithmic law, indicating that the strong charge localization turns into a weak one when the film thickness is about 150 nm. The negative magnetoresistance of up to 1% was detected at 77 K. The film ferromagnetism at the temperature of 10 K was not found.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk660036, Russian Federation
Lomonosov Moscow State University, Moscow119991, Russian Federation
Voronezh State Technical University, Voronezh394026, Russian Federation
National Research Centre ‘‘Kurchatov Institute”, Moscow123182, Russian Federation
Voronezh State University, Voronezh394003, Russian Federation
Lappeenranta-Lahti University of Technology, Lappeenranta FI53851, Finland

Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Granovsky, A. B.; Zhilova, O. V.; Kalinin, Y. E.; Ryl'kov, V. V.; Sumets, M. P.; Makagonov, V. A.; Pankov, S. Y.; Sitnikov, A. V.; Fadeev, E.; Lahderanta, E.; Foshin, V.
}
Найти похожие

The effect of heat treatment on electrical properties of [ZnO/C]25 multilayer structure / S. Y. Pankov, V. A. Foshin, M. A. Kashirin [et al.] // AIP Conf. Proc. - 2020. - Vol. 2313DOI 10.1063/5.0032291. - Cited References: 5. - This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation of the state task (project No. FZGM-2020-0007). We are grateful to the Center for the common use of Federal Research Center KSC SB RAS for electron microscopy studies
Аннотация: The effect of heat treatment on magnetoresistance of [ZnO/С]25 multilayered thin films prepared by ion-beam sputtering has been investigated. A decrease in the magnetoresistance with an increase in the annealing temperature was detected, which is associated with a change in the mechanism of electrical transport.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Department of Solid State Physics, Voronezh State Technical University, Voronezh, 394026, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Pankov, S. Y.; Foshin, V. A.; Kashirin, M. A.; Makagonov, V. A.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; International Young Researchers Conference on Physics, Technology, Innovations(7th ; 18 - 22 May 2020 ; Ekaterinburg, Russian Federation)
}
Найти похожие

Структура и термическая стабильность многослойных пленок [(Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/SNO2]N / И. В. Бабкина, М. А. Каширин, А. В. Ситников [и др.] // Релаксационные явления в твердых телах : материалы XXV международной конференции. - Воронеж, 2022. - С. 110-111. - Работа выполнена при поддержке Минобрнауки в рамках государственного задания (проект № FZGM-2020-0007) . - ISBN 978-5-7731-1064-4
Аннотация: В представленной работе изучена многослойная гетерогенная система, состоящая из 33 чередующихся слоев композита (Co40Fe40B20)34(SiO2)66 и оксидов ZnO и SnO2, полученная методом ионно-лучевого распыления. Структура образцов исследована методом рентгеновской дифракции и электронной микроскопии в исходном состоянии и после термической обработки. Показано, что после термической обработки 6000С фазовые и структурные превращения зависят от количественного соотношения и структурного состояния взаимодействующих фаз. В процессе кристаллизации пленок [(Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/SnO2]33 многослойная структура разрушается.

Материалы конференции,
РИНЦ
Держатели документа:
ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Доп.точки доступа:
Бабкина, И. В.; Каширин, М. А.; Ситников, А. В.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Мосолов, Д. Н.; Релаксационные явления в твердых телах(25 ; 2022 ; сент. ; 21-25 ; Воронеж); Воронежский государственный технический университет
}
Найти похожие

10.

Семишин, Е. И.
Зависимость электропроводности монокристаллов ZnO от нестехеометрии по кислороду / Е. И. Семишин, В. И. Турчин, науч. рук. П. П. Турчин // Проспект Свободный - 2022 : материалы XVIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых : Красноярск, 25-30 апр. 2022 г. - 2022. - С. 2671-2673. - Библиогр.: 5 . - ISBN 978-5-7638-4702-4

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского ФИЦ КНЦ Сибирского отделения Российской академии наук

Доп.точки доступа:
Турчин, В. И.; Турчин, Павел Петрович; Turchin, P.P.; "Проспект Свободный", международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых(18 ; 2022 ; апр. ; Красноярск); Сибирский федеральный университет
}
Найти похожие