Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Thin films<.>)

Общее количество найденных документов : 55
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-55

"γ-Fe problem" and epitaxial growth of fe on cu(001) / V. G. Myagkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 502-505, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.502 . - ISBN 1012-0394. - ISBN 9783037854365
Кл.слова (ненормированные):
?-Fe -- Cu-Fe system -- Magneto-volume effect -- Solid-state synthesis -- Thin films -- Cu-Fe system -- Interlayer formation -- Magnetic studies -- Magneto-volume effects -- Orientation relationship -- Pseudomorphic growth -- Residual gas -- Solid-state synthesis -- Ultra-thin -- Buffer layers -- Magnetic materials -- Mossbauer spectroscopy -- Thin films -- Epitaxial growth
Аннотация: We have observed the formation of a thin buffer layer on the Fe/Cu interface at a temperature of 520 K. Mossbauer spectroscopy and magnetic studies reveal that the residual gases in the chamber (especially oxygen) play an important role in the ultra-thin interlayer formation. It was shown that the Cu2O buffer layer does not change the Pitsh orientation relationships during epitaxial growth of ?-Fe(110) on Cu(001). Our analysis of the experimental results contradicts pseudomorphic growth and formation of ?-Fe on Cu(001). В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Drozdova, N. A.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

    Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043) . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.
}
Найти похожие

Solid-state formation of ferromagnetic δ-Mn0.6Ga0.4 thin films with high rotatable uniaxial anisotropy / V. G. Myagkov [et al.] // Phys. Status Solidi B. - 2012. - Vol. 249, Is. 8. - P. 1541-1545, DOI 10.1002/pssb.201248064. - Cited References: 39 . - ISSN 0370-1972

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
EPITAXIAL-GROWTH
   PERPENDICULAR ANISOTROPY
   MAGNETIC-PROPERTIES
   PHASE-FORMATION
   GAAS
   GAN
Кл.слова (ненормированные):
high anisotropy constants -- MnxGa1-x alloys -- rotatable magnetic anisotropies -- thin films
Аннотация: Solid-state reactions in Ga/Mn polycrystalline films of the composition 1 Ga:3 Mn were experimentally investigated. Our X-ray study showed that the formation of the Ga/Mn → (250 °C) ϕ-Ga7.7Mn2.3 → (350 °C) δ-Mn0.6Ga0.4 phase sequence occurs when the annealing temperature is increased to 400 °C. δ-Mn0.6Ga0.4 samples were found to have high rotatable uniaxial anisotropy. We also showed that magnetic fields with coercivities above H > HC = 8.3 kOe can be used to orient the easy anisotropy axis in any spatial direction while taking the angle of the lag into account.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.
Bykova, L. E.
Patrin, G. S.
Velikanov, D. A.] Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.] Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
[Bondarenko, G. N.
Mikhlin, Yu. L.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Chem & Chem Technol, Krasnoyarsk 660049, Russia
[Patrin, G. S.
Velikanov, D. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Mikhlin, Y. L.; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич
}
Найти похожие

The investigation of long-range exchange interaction in spin valve structures / P. D. Kim [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 489-494, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.489. - Cited References: 17 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Exchange bias -- Exchange interaction -- Spin valve -- Thin films
Аннотация: Magnetic spin valve structures have a great practical interest as sensors of magnetic fields, hard disk read heads and elements of magnetic random access memories (MRAM). Despite the large number of experimental and theoretical work on spin valve structures, the effects of interlayer interactions occurring in these structures, at present time are not fully understood. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Kim, P. D.; Ким, Пётр Дементьевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Marushchenko, D. A.; Марущенко, Дмитрий Анатольевич; Lee, L. A.; Ли, Людмила Алексеевна; Rudenko, T. V.; Руденко, Т. В.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Features of the ellipsometric investigation of magnetic nanostructures / O. A. Maksimova [et al.] // J. Struct. Chem. - 2014. - Vol. 55, Is. 6. - P. 1134-1141, DOI 10.1134/S0022476614060225. - Cited References:8. - The work was supported by the Program of the President of the RussianFederation for the support of leading scientific schools (ScientificSchool 2886.2014.2), RFBR (grant No. 13-02-01265, No. 14-02-01211), theMinistry of Education and Science of the Russian Federation (Agreement14.604.21.0002 State contract No. 02.G25.31.0043), and the Foundationfor Assistance to Small Innovative Enterprises in Science and Technology(program "A Member of the Youth Research and Innovation Competition",contract number 0003831). . - ISSN 0022. - ISSN 1573-8779. -

РУБ Chemistry, Inorganic & Nuclear + Chemistry, Physical
Рубрики:
PARAMETERS
Кл.слова (ненормированные):
magneto-ellipsometry -- ellipsometric measurements -- magneto-optical Kerr -- effect -- thin films -- semi-infinite medium model -- refraction coefficient
Аннотация: The technique for interpreting magneto-ellipsometric measurements is proposed. The model of a homogeneous semi-infinite medium for reflecting layered magnetic structures in the presence of the magnetic field in the configuration of the magneto-optical equatorial Kerr effect is considered. Based on the analysis of the Fresnel coefficients with regard to the magneto-optical parameter Q appearing in the off-diagonal elements of the permittivity tensor, the expressions are obtained using which the refraction (n) and absorption (k) coefficients, the real (Q (1)) and imaginary (Q (2)) parts of the magneto-optical parameter can be found from the ellipsometric (psi(0) and Delta(0)) and magneto-ellipsometric (psi(0) + delta psi and Delta(0) + delta I") measurements. The results will allow to measure and analyze the magnetic characteristics such as hysteresis loops and the coercitive force of layered nanostructures using the conventional ellipsometric equipment.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Особенности анализа эллипсометрических данных для магнитных наноструктур [Текст] / О. А. Максимова [и др.] // Журн. структ. химии. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2014. - Т. 55 № 6. - С. 1190-1197

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Maksimova, O. A.; Максимова, Ольга Александровна; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Federation [2886.2014.2]; RFBR [13-02-01265, 14-02-01211]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation[14.604.21.0002, 02.G25.31.0043]; Foundation for Assistance to SmallInnovative Enterprises in Science and Technology [0003831]
}
Найти похожие

    Квантово-химическое исследование структуры и свойств моно- и бислоев CrN / А. В. Куклин [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 450-455. - Библиогр.: 32. - Авторы выражают благодарность Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН (Новосибирск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), а также НИВЦ МГУ «Лаборатория параллельных информационных технологий» [25] (система СКИФ МГУ «Чебышев») за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант № 16.1500.2014/K). . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Quantum chemical study of structure and properties of CrN mono- and bilayer
Кл.слова (ненормированные):
CRN -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- МОНОСЛОИ -- DFT -- AB INITIO -- СПИНТРОНИКА -- THIN FILMS -- MONOLAYERS -- SPINTRONICS
Аннотация: В последнее время такие материалы, как графен, h-BN и дихалькогениды переходных металлов, получают широкое применение в различных областях (спинтроника, фотовольтаика, валлейтроника) в связи с их низкой размерностью и проявлением свойств, отличных от их объемных аналогов. В то же время на данном этапе развития науки активно исследуются другие двумерные материалы, в том числе нитриды и карбиды переходных металлов. Некоторые из них уже экспериментально получены, охарактеризованы и имеют большой потенциал применения в наноэлектронике. Схожие с графеном 2D-структуры могут быть основаны на нитриде хрома, магнитные своиства которого будут зависеть от координационного числа и, соответственно, количества неспаренных электронов. В данной работе, используя метод PAW и обобщенное градиентное приближение GGA-PBE в рамках теории функционала плотности (DFT+U) с коррекцией слабого дисперсионного взаимодействия, было предсказано существование моно- и бислоев нитрида хрома с кристаллографическими индексами поверхностей (100) и (111). Показано изменение геометрии двумерных структур относительно кристаллической фазы. Полученные 2D CrN (100) и (111) являются идеально плоскими. Для сравнения энергетической стабильности двумерного CrN была рассчитана относительная энергия образования монослоя. Проведены спин-поляризованные расчеты ферромагнитного и антиферромагнитного состояний. Анализ электронной структуры указывает на то, что данные материалы являются ферромагнетиками со 100 % спиновой поляризацией. В соответствии с классической моделью Гейзенберга был рассчитан обменный параметр J для монослоя (100). Исследована зависимость изменения свойств при переходе от моно- к бислойным структурам.
Lately, such materials as graphene h-BN and transition metal dichalcogenides have been widely used in various fields and have received a lot of attention owing to its numerous device applications (spintronics, photovoltaic, valleitronics). This is due to the low dimensionality and different properties from those bulk materials. At the same time, at this stage of scientific development, other two-dimensional materials have been actively studied, including carbides and nitrides of transition metals. Some of them have been experimentally obtained, characterized and have great potential for application in nanoelectronics. Similar to the 2D graphene structures can be based on chromium nitride whose magnetic properties will depend on the coordination number and the number of uncoupled electrons correspondingly.In this work, using PAW method and the gradient corrected density functional GGA-PBE within the framework of generalized Kohn-Sham density functional theory (DFT+U) considering weak dispersion interaction, we have predicted the existence of a chromium nitride mono- and bilayers of (100) and (111) crystallographic surface. It was shown that the monolayers geometry relative to the crystalline phase was changed. The 2D CrN (100) and (111) are perfectly flat. To comparison of the energy stability of two dimensional CrN the relative energy of monolayer formation was calculated. Using spin-polarized calculations we calculate ferromagnetic and antiferromagnetic states. The analysis of electronic structure shows that these materials are ferromagnets with 100 % spin polarization. According to the classical Heisenberg model, the exchange parameter J has been calculated (for monolayer 100). The dependence of the changes in the properties during the transition from mono to bilayers structures was investigated.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Куклин, Артем Валентинович; Kuklin A. V.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Денисов, Виктор Михайлович; Denisov V. M.; Ковалева, Евгения Андреевна; Шостак, С. А.; Shostak, S. A.
}
Найти похожие

Transparent conductive ITO coatings obtained by pyrolysis of metal extracts / T. N. Patrusheva [et al.] // J. Appl. Chem. Sci. Int. - 2015. - Vol. 3, Is. 1. - P. 21-28 . - ISSN 2395-3705
Кл.слова (ненормированные):
Indium-tin oxide -- thin films -- extraction-pyrolysis technique -- liquid precursors -- nanocrystalline structure
Аннотация: Thin films of indium-tin oxide (ITO) have been prepared by pyrolysis of liquid organic-extracts of indium and tin. The films were deposited on glass substrate in the atmospheric condition. Extraction-pyrolytic method adopted here uses cheap starting materials and provides the required stoichiometric ratio by mixing the stable liquid precursors in appropriate concentration. Thermal decomposition processes are induced in the narrow temperature range of 350–400°C. The zirconium-yttrium oxide (ZYO) sublayer was deposited on glass substrate in advance to provide homo epitaxial growth. This would induce reduction in intrinsic stress of the films due to matching in thermal expansion coefficient with ITO film. XPS studies showed the absence of impurity elements in these extraction-pyrolytic technique derived ITO films and the spectra is quite similar to that for ITO films deposited in vacuum environment. ITO film has a nanocrystalline structure with grain size of about 6 nm.

Смотреть статью

Доп.точки доступа:
Patrusheva, T. N.; Патрушева, Тамара Николаевна; Snezhko, N. Yu.; Belousov, A. L.; Rizhenkov, A. V.; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Kirik, S. D.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Romanov, A. A.
}
Найти похожие

    Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах / И. А. Тамбасов [и др.] // Решетневские чтения : материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск : Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К."). . - ISBN 1990-7702
   Перевод заглавия: Magnetotransport properties of indium oxide thin films at low temperatures
Кл.слова (ненормированные):
оксид индия -- тонкие пленки -- автоволновое окисление -- indium oxide -- thin films -- autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.
This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Тамбасова, Е. Г.; Tambasova E. V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(19 ; 2015 ; нояб. ; 10-14 ; Красноярск)
}
Найти похожие

    Structural, electrical and magnetic study of manganites Pr0.6Sr0.4MnO3 thin films / D. S. Neznakhin [et al.] // J. Phys. Conf. Ser. - 2016. - Vol. 690, Is. 1, DOI 10.1088/1742-6596/690/1/012002. - Cited References: 20. - The work was supported partly by RFBR, grant №14-02-01211, Grant of President of Russian Federation №NSh-2886.2014.2, and by The Ministry of Education and Science of the Russian Federation, project №2582. . - ISSN 1742-6588
   Перевод заглавия: Структурные, электрические и магнитные исследования тонких пленок манганита Pr0.6Sr0.4MnO3
Кл.слова (ненормированные):
Magnetic materials -- Magnetization -- Manganese oxide -- Nanoelectronics -- Nanostructures -- Oxide films -- Field dependence -- Magnetization temperature curves -- Polycrystalline phase -- Polycrystalline pr -- Resistivity dependence -- Shape characteristics -- Structural parameter -- Zero-field cooling -- Thin films
Аннотация: Thin polycrystalline Pr0.6Sr0.4MnO3 films were grown on the Y stabilized zirconium oxide substrates by magnetron sputtering using RF power and off-axis sputtering scheme with double cathodes. Only one polycrystalline phase with structural parameters consistent with that for the corresponding bulk sample was revealed in the films. Electric resistivity dependence on temperature demonstrates the shape characteristic for the substances with the Mott transition. The difference between magnetization temperature curves measured in the zero field cooling and field cooling modes was revealed. Magnetization field dependences were presented by the hysteresis loops changing their form with temperature. © Published under licence by IOP Publishing Ltd.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Neznakhin, D. S.; Samoshkina, Yu. E.; Самошкина, Юлия Эрнестовна; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Semenov, S. V.; Семёнов, Сергей Васильевич; Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics(St. Petersburg)(17 ; 23 - 27 Nov. 2015)
}
Найти похожие

10.

Formation of 4H-closely packed structure in thin films of metastable nanocrytalline Co13Cu87 alloy / D. L. Khalyapin [et al.] // Solid State Commun. - 2003. - Vol. 128, Is. 6-7. - P. 209-212, DOI 10.1016/j.ssc.2003.08.018. - Cited References: 10 . - ISSN 0038-1098

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
MAGNETORESISTANCE
Кл.слова (ненормированные):
nanocrystalline materials -- metals -- metastable solid solution -- ion impact -- Metals -- Nanocrystalline materials -- Metastable solid solution -- Ion impact -- Crystal lattices -- Nanostructured materials -- Solid solutions -- Thin films -- Ion polishing -- Cobalt alloys
Аннотация: The crystal structure of the thin films of metastable Co13Cu87 alloy prepared by magnetron sputtering was investigated by transmission electron microscope. As-deposited films have a nanocrystal structure with an fcc lattice. As a result of the prolonged ion polishing with a beam of Ar ions with the energy of 4.7 keV, the four-layer 4H dhcp structure was formed. (C) 2003 Elsevier Ltd. All rights reserved.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
RAS, Kirensky Inst Phys SB, Lab Magnetodynam, Krasnoyarsk 660036, Russia
Hanyang Univ, Dept Met & Mat Sci, Ansan 452791, Kyunggi, South Korea
Krasnoyarsk State Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
ИФ СО РАН
Laboratory of Magnetodynamics, Kirensky Institute of Physics, SB RAS, Akademgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Department of Metallurgical Science, Hanyang University, Ansan, Kyunggi-Do 452-791, South Korea
Krasnoyarsk State University, Krasnoyarsk 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Khalyapin, D. L.; Kim, J.; Stolyar, S. V.; Столяр, Сергей Викторович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Kim, P. D.; Ким, Пётр Дементьевич; Kim, I.
}
Найти похожие