Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ZnO<.>)
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-31   31-31 
1.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Tambasov I. A., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Nemtsev I. V., Bykova L. E., Bondarenko G. N.
Заглавие : Magnetic and structural properties of nanocomposite fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]]-ZnO films prepared by solid-state synhesis
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism. [[b]]EASTMAG – 2013[[/b]]: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 134. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Г 62 рукописный текст
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич
Заглавие : Тонкие In2O3,Fe-In2O3 и Fe3O4-ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2014
Колич.характеристики :116 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.16
ББК : В371.26я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Myagkov V. G., Tarasov A. S., Ivanenko A. A., Bykova L. E., Nemtsev I. V., Eremin E. V., Yozhikova E. V.
Заглавие : Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In2O3 thin films prepared by autowave oxidation
Коллективы : Federal Target Program [14.513.11.0023]; Russian Foundation for Basic Research [14-02-31156]
Место публикации : Semicond. Sci. Technol.: IOP Publishing, 2014. - Vol. 29, Is. 8. - Ст.82001. - ISSN 0268-1242, DOI 10.1088/0268-1242/29/8/082001. - ISSN 1361-6641
Примечания : Cited References: 56. - This work was supported by the Federal Target Program through Contract No 14.513.11.0023; the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 14-02-31156.
Предметные рубрики: TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES
Ga-DOPED ZnO
LOW-TEMPERATURE
HIGH-PERFORMANCE
SUBSTRATE-TEMPERATURE
INSULATOR-TRANSITION
ROOM-TEMPERATURE
TRANSISTORS
COMBUSTION
PHOTOREDUCTION
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): indium oxide thin films--autowave oxidation--metal-semiconductor transition--uv irradiation--photoreduction
Аннотация: We have prepared thin indium oxide films by the autowave oxidation reaction. Measurements of temperature dependence of resistivity, Hall carrier concentration and Hall mobility have been conducted in the temperature range 5-272 K. Before ultraviolet (UV) irradiation, the indium oxide film had a semiconductor-like temperature dependence of resistivity. and the ratio of rho (5 K)/rho(272 K) was very limited (similar to 1.2). It was found that after UV irradiation of the In2O3 film, the metal-semiconductor transition (MST) was observed at similar to 100 K. To show that this MST is reversible and repeatable, two full cycles of 'absence of MST-presence of MST' have been done using UV irradiation (photoreduction) as the induced mechanism and exposure to an oxygen environment as the reversible mechanism, respectively. MST in transparent conducting oxide (TCO) is possibly associated with the undoped structure of metal oxide, which has some disorder of oxygen vacancies. It was suggested that reversible UV induced metal-semiconductor transition would occur in other TCOs.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Bykova L. E., Myagkov V. G., Tambasov I. A., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Mikhlin Y. L., Nemtsev I. V., Bondarenko G. N.
Заглавие : Magnetic and structural properties of nanocomposite ZnO-Fe3O4 films prepared by solid-state synthesis
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: S. G. Ovchinnikov, A. Samardak: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P.158-162. - ISSN 978-303835054-5, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.158. - ISSN 1662-9779
Примечания : Cited References: 18
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ferromagnetic nanocomposite films--magnetite--solid-state synthesis--zinc oxide
Аннотация: A simple method for obtaining ZnO-FeO3O4 nanocomposites using solid-state reaction Zn + 3Fe2O3 ZnO + 2FeO3O4 is suggested. An analysis of the characteristics and properties of ZnOFeO3O4 nanocomposites was carried out by a combination of structural and physical methods (X-ray diffraction, scanning electron microscopy, photoelectron spectroscopy, Mossbauer measurements, X-ray fluorescent analysis, and magnetic measurements). The magnetization of the hybrid ZnOFeO3O4 films is equal to 440 emu/cm3. The resulting FeO3O4 nanoparticles are surrounded by a ZnO shell and have sizes ranging between 20 and 40 nm. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Быкова, Людмила Евгеньевна, Мягков, Виктор Григорьевич, Тамбасов, Игорь Анатольевич, Баюков, Олег Артемьевич, Жигалов, Виктор Степанович, Полякова, Клавдия Павловна, Бондаренко, Галина Николаевна, Немцев, Иван Васильевич, Поляков, Виктор Васильевич, Патрин, Геннадий Семёнович, Великанов, Дмитрий Анатольевич
Заглавие : Твердофазный синтез нанокомпозита ZnO-Fe3O4: структурные и магнитные свойства
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2015. - Т. 57, Вып. 2. - С. 366-370
Примечания : Библиогр.: 27
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств нанокомпозитов ZnO−Fe3O4, полученных с помощью твердофазной реакции Zn+3Fe2O3 → ZnO+2Fe3O4 путем отжига пленок Zn/α-Fe2O3 при температуре 450˚C в вакууме. Синтезированы ферримагнитные нанокластеры Fe3O4 со средним размером зерна 40 nm и намагниченностью ~ 430 emu/cm3 при комнатной температуре, окруженные слоем ZnO с большой площадью контакта. Приведены магнитные характеристики нанокомпозита ZnO−Fe3O4 в области температур 10−300K.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Bykova L. E., Myagkov V. G., Tambasov I. A., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Polyakova K. P., Bondarenko G. N., Nemtsev I. V., Polyakov V. V., Patrin G. S., Velikanov D. A.
Заглавие : Solid-state synthesis of the ZnO-Fe3O4 nanocomposite: Structural and magnetic properties
Место публикации : Phys. Solid State: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 57, Is. 2. - P.386-390. - ISSN 1063, DOI 10.1134/S1063783415020079. - ISSN 10906460(eISSN)
Примечания : Cited References:27
Предметные рубрики: Fe3O4/ZnO NANOCOMPOSITES
ZnO NANOCOMPOSITES
FILMS
Аннотация: The structural and magnetic properties of ZnO-Fe3O4 nanocomposites produced by the solid-state reaction Zn + 3Fe2O3 → ZnO + 2Fe3O4 upon annealing of Zn/α-Fe2O3 films under vacuum at a temperature of 450°C have been studied. Ferrimagnetic Fe3O4 clusters with an average grain size of 40 nm and a magnetization of ∼430 emu/cm3 at room temperature, which are surrounded by a ZnO layer with a large contact surface, have been synthesized. The magnetic characteristics of the ZnO-Fe3O4 nanocomposite in the temperature range of 10–300 K have been presented.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zeer G. M., Zelenkova E. G., Nikolaeva N. S., Zharkov S. M., Pochekutov S. I., Ledyaeva O. N., Sartpaeva A. B., Mikheev A. A.
Заглавие : Formation of phases and microstructure of ZnO and TiO2 based ceramic
Коллективы : Russian Foundation for Fundamental Research [13-08-01003-a]; Ministry of Education of the Russian Federation
Место публикации : Glass Ceram.: Springer, 2015. - Vol. 72, Is. 7-8. - P.242-245. - ISSN 0361-7610, DOI 10.1007/s10717-015-9765-8. - ISSN 1573-8515(eISSN)
Примечания : Cited References:15. - This work was supported in part by the Russian Foundation for Fundamental Research (Grant No. 13-08-01003-a) and the Ministry of Education of the Russian Federation (as part of scientific research tasked by the state to the Siberian Federal University for 2014).
Предметные рубрики: GLASS ENAMEL COATINGS
NANOWIRES
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electrocontact materials--metal oxides--zinc titanate--nanopowders--ceramic--microstructure--phase formation
Аннотация: Nanopowders of zinc and titanium oxides were used to obtain samples of Zn2TiO4-ZnO ceramic. Phase formation as well as the microstructure and elemental composition of the phases formed were studied by means of electron microscopy. The density and porosity were calculated, and the sizes of grains and pores in the ceramic were determined. The temperature at the zinc titanate forms was determined. It was shown that it corresponds to the sintering temperature of electrocontact materials with this composition. It is proposed that zinc titanate and oxide be used as arc-suppressing and dispersion-hardening additional additives in copper-based electrocontact materials.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Зеер Г. М., Зеленкова Е. Г., Николаева Н. С., Жарков, Сергей Михайлович, Почекутов С. И., Ледяева О. Н., Сартпаева А. Б., Михеев А. А.
Заглавие : Формирование фаз и микроструктуры керамики на основе ZnO и TiO2
Место публикации : Стекло и керамика. - 2015. - № 7. - С. 16-19. - ISSN 0131-9582
Примечания : Библиогр.: 15
Аннотация: С использованием нанопорошков оксидов цинка и титана получены образцы керамики Zn 2TiO 4-ZnO. Методами электронной микроскопии изучено фазообразование, а также микроструктура и элементный состав формирующихся фаз. Рассчитаны плотность и пористость, оценены размеры зерен и пор керамики. Определена температура, при которой формируется титанат цинка. Показано, что она соответствует температуре спекания электроконтактных материалов данного состава. Титанат и оксид цинка предполагается использовать как дугогасящую и дисперсноупрочняющую добавку в электроконтактных материалах на основе меди.
РИНЦ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Tarasov A. S., Volochaev M. N., Rautskii M. V., Myagkov V. G., Bykova L. E., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Tambasova E. V.
Заглавие : Weak localization and size effects in thin In2O3 films prepared by autowave oxidation
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [16-32-00302 MOJI_a, 15-02-00948-A, 16-03-00069-A]; Council for Grants of the President of the Russian Federation [SP-317.2015.1]; Program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology ("UMNIK" Program) [6662GammaY2015, 9607GammaY/2015]
Место публикации : Physica E: Elsevier Science, 2016. - Vol. 84. - P.162-167. - ISSN 1386-9477, DOI 10.1016/j.physe.2016.06.005. - ISSN 1873-1759(eISSN)
Примечания : Cited References:70. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Grants # 16-32-00302 MOJI_a, # 15-02-00948-A, # 16-03-00069-A), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-317.2015.1), and by the Program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology (No. 6662 Gamma Y2015, 9607 Gamma Y/2015) ("UMNIK" Program). Electron microscopic studies were performed on the equipment of CCU KSC SB RAS.
Предметные рубрики: SOLID-STATE SYNTHESIS
INDIUM TIN OXIDE
DOPED ZNO FILMS
OPTICAL-PROPERTIES
MAGNETIC-FIELD
NEGATIVE MAGNETORESISTANCE
CARBON NANOTUBES
TEMPERATURE
SEMICONDUCTOR
TRANSPORT
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): thin indium oxide films--weak localization--electron-electron--interaction--disordered semiconductors--nanostructured films--phase-coherent length
Аннотация: The negative magnetoresistance of thin In2O3 films, obtained by an autowave oxidation reaction, was detected within a temperature range of 4.2-80 K. The magnetoresistance was -1.35% at a temperature of 4.2 K and an external magnetic field of 1 T. A weak localization theory was used to explain the negative magnetoresistance and to determine the phase-coherence length in a temperature range of 4.2-80 K. The phase-coherence length was found to oscillate as the temperatures increased to around 30 K. From the maximum and minimum values of the oscillation of the phase-coherence length, it was suggested that the In2O3 film has two structure characteristic parameters. Transmission electron microscopy showed the structure of the thin In2O3 film to have structural features of a crystal phase- amorphous phase. It was found that the crystalline phase characteristic size was consistent with the maximum phase-coherence length and the amorphous phase characteristic size was consistent with the minimum phase-coherence length. It has been suggested that the temperature measurements of the magnetoresistance and the theory of weak localization can be used to evaluate the structural features of nanocomposite or nanostructured thin films. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Visotin M. A., Kholtobina A. S., Kuzubov A. A., Mikhaleva N. S., Hsu H. S.
Заглавие : Investigation of intrinsic defect magnetic properties in wurtzite ZnO materials
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier, 2017. - Vol. 440. - P.5-9. - ISSN 03048853 (ISSN), DOI 10.1016/j.jmmm.2016.12.130
Примечания : Cited References: 34. - We acknowledge the Siberian Supercomputer Center (SSCC) of SB RAS, Novosibirsk; the Institute of Computational Modeling of SB RAS, Krasnoyarsk; the Joint Supercomputer Center of RAS, Moscow and the ICC of Novosibirsk State University for providing the computing resources. This work was supported by the president of Russia Scientific School program NSh 7559.2016.2 and by the government contract of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to Siberian Federal University (Grant No. 16.1500.2014/K) and RFBR 16–32-60003 mol_a_dk.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): zno--diluted magnetic semiconductors--defects--thin films--dft calculations--magnetic circular dichroism
Аннотация: Theoretical and experimental investigations of the ferromagnetism induced by intrinsic defects inside wurtzite zinc oxide structures are performed using magnetic field-dependent circular dichroism (MCD-H), direct magnetization measurement (M-H) by superconducting quantum interference device (SQUID) as well as by generalized gradient density functional theory (GGA-DFT). To investigate localized magnetic moments of bulk material intrinsic defects - vacancies, interstitial atoms and Frenkel defects, various-size periodic supercells are calculated. It is shown that oxygen interstitial atoms (Oi) or zinc vacancies (Znv) generate magnetic moments of 1,98 и 1,26 µB respectively, however, the magnitudes are significantly reduced when the distance between defects increases. At the same time, the magnetic moments of oxygen Frenkel defects are large (~1.5–1.8 µB) and do not depend on the distance between the defects. It is shown that the origin of the induced ferromagnetism in bulk ZnO is the extra spin density on the oxygen atoms nearest to the defect. Also dependence of the magnetization of ZnO (101̅0)and(0001) thin films on the positions of Oi and Znv in subsurface layers were investigated and it is shown that the magnetic moments of both defects are significantly different from the values inside bulk material. In order to check theoretical results regarding the defect induced ferromagnetism in ZnO, two thin films doped by carbon (C) and having Zn interstitials and oxygen vacancies were prepared and annealed in vacuum and air, respectively. According to the MCD-H and M-H measurements, the film, which was annealed in air, exhibits a ferromagnetic behavior, while the other does not. One can assume annealing of ZnO in vacuum should create oxygen vacancies or Zn interstitial atoms. At that annealing of the second C:ZnO film in air leads to essential magnetization, probably by annihilation of oxygen vacancies, formation of interstitial oxygen atoms or zinc vacancies. Thus, our experimental results confirm our theoretical conclusions that ZnO magnetization origin are Oi or Znv defects.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 1-10    11-20   21-31   31-31 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)