Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (15)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=diffusion<.>)

Общее количество найденных документов : 56
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-56

Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Сержантова, Мария Викторовна; Денисов, Виктор Михайлович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163 . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon // JETP Letters : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие

"γ-Fe problem" and epitaxial growth of fe on cu(001) / V. G. Myagkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 502-505, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.502 . - ISBN 1012-0394. - ISBN 9783037854365
Кл.слова (ненормированные):
?-Fe -- Cu-Fe system -- Magneto-volume effect -- Solid-state synthesis -- Thin films -- Cu-Fe system -- Interlayer formation -- Magnetic studies -- Magneto-volume effects -- Orientation relationship -- Pseudomorphic growth -- Residual gas -- Solid-state synthesis -- Ultra-thin -- Buffer layers -- Magnetic materials -- Mossbauer spectroscopy -- Thin films -- Epitaxial growth
Аннотация: We have observed the formation of a thin buffer layer on the Fe/Cu interface at a temperature of 520 K. Mossbauer spectroscopy and magnetic studies reveal that the residual gases in the chamber (especially oxygen) play an important role in the ultra-thin interlayer formation. It was shown that the Cu2O buffer layer does not change the Pitsh orientation relationships during epitaxial growth of ?-Fe(110) on Cu(001). Our analysis of the experimental results contradicts pseudomorphic growth and formation of ?-Fe on Cu(001). В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Drozdova, N. A.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

Fedorov, A. S.
Thermoactivated transport of molecules H-2 in narrow single-wall carbon nanotubes / A. S. Fedorov, A. F. Sadreev // Eur. Phys. J. B. - 2009. - Vol. 69, Is. 3. - P. 363-368, DOI 10.1140/epjb/e2009-00152-1. - Cited References: 40. - We are grateful to S. G. Ovchinnikov for discussions. This work has been supported by RFBR grant 0602-16132. . - ISSN 1434-6028

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
DIFFUSION
   NANOPORES
   ENERGY
   MOTION
   FLUIDS
Кл.слова (ненормированные):
Hydrogen molecule -- Inner potential -- Lennard-Jones potential -- Periodic potentials -- Plane wave -- Potential surfaces -- Single-wall carbon nanotubes -- Thermal fluctuations -- Tube walls -- Carbon nanotubes -- Hydrogen -- Molecules -- Single-walled carbon nanotubes (SWCN)
Аннотация: By use both of the plane wave DFT and the empirical exp-6 Lennard-Jones potential methods we calculate the inner potential in narrow single-wall carbon nanotubes (SWCNT) (6, 0), (7, 0) and (3, 3) which affects the hydrogen molecules. The inner potential forms a goffered potential surface and can be approximated as V(z,r,phi)a parts per thousand V(0)sin (2 pi z/a)+V(r). We show that in these SWCNTs transport of molecules is given mainly by thermoactivated hoppings between minima of the periodic potential along the tube axis. The rate hoppings is substantially depends on temperature because of thermal fluctuations of tube wall.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Fedorov, A. S.
Sadreev, A. F.] Russian Acad Sci, Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Institute of Physics, Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Sadreev, A. F.; Садреев, Алмаз Фаттахович; Федоров, Александр Семенович; RFBR [0602-16132]
}
Найти похожие

Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon, as well as on its surface at different lithium concentrations / A. S. Fedorov [и др.] // Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P. 133-134

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие

Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon as well as on its surface [] / A. S. Fedorov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 213: Physics and Technology of Nanostructured Materials II. - P. 29-34, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.29. - Cited References: 21 . - ISSN 1662-9779. - ISSN 978-3-037
Кл.слова (ненормированные):
Ab initio calculations -- Diffusion -- Lithium-ion accumulators -- Silicon
Аннотация: Using the PAW DFT-GGA method and numerical solving of master equation the diffusion rates of lithium atoms inside both crystal and amorphous silicon of LixSi (x= 0.0.5) composition have been calculated for different temperatures. It is shown the diffusion rate for amorphous silicon is ~10 times greater than that for the crystal silicon. For both structures the rate is increased by 1.5-2 orders of magnitude while the lithium concentration is increased up to 0.5 value. This should result in that the LixSi/Si interface will be sharp. This fact has been further confirmed using molecular dynamic calculations based on Angular Dependent Potential (ADP) model. Also binding energies of Li atoms lying on different sites of Si (001) surface as well as the potential barriers for the atom jumps both along the surface and in the subsurface layers have been calculated. The data show the Li atoms move along the surface very easily but their jumps into subsurface layers are very difficult due to the high potential barrier values. В© (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS

Доп.точки доступа:
Galkin, N. \ed.\; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Visotin, M. A.; Galkin, N. G.; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие

Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon / A. S. Fedorov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P. 143-147, DOI 10.1134/S0021364012030058. - Cited References: 28. - We are grateful to the Institute of Computational Modeling, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; the Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences; and the Computer Center, Siberian Federal University, for the use of their computer clusters for performing all calculations. This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013). . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ACCELERATED MOLECULAR-DYNAMICS
   AB-INITIO
   INFREQUENT EVENTS
   SIMULATION
   RELAXATION
   HYDROGEN
   POINTS
   SI
Аннотация: The effect of the lattice deformation on potential barriers for the motion of a lithium atom in crystalline silicon has been studied through ab initio density functional calculations. A new universal method of calculating the diffusion coefficient of an admixture in amorphous solid media through the activation mechanism has been proposed on the basis of these data. The method is based on the calculation of the statistical distribution of potential barriers for the motion of an admixture atom between minima depending on the position of neighboring atoms. First, the amorphous structure, which is generated by annealing from the crystalline structure with vacancies, has been simulated. Then, the statistical distribution of the potential barriers in the amorphous structure for various local environments of the admixture atoms has been calculated by means of linear regression with the parameters determined for barriers in crystalline silicon subjected to different deformations. The diffusion coefficient of the admixture has been calculated from this distribution by using the Arrhenius formula. This method has been tested by the example of crystalline and amorphous silicon with admixture of lithium atoms. The method demonstrates that the diffusion of lithium in amorphous silicon is much faster than that in crystalline silicon; this relation is confirmed experimentally.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии [Текст] / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2012. - Т. 95 Вып. 3-4. - С. 159-163

Держатели документа:
[Fedorov, A. S.
Popov, Z. I.
Ovchinnikov, S. G.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Kuzubov, A. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

10.

Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it / A. A. Kuzubov [et al.] // JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P. 634-638, DOI 10.1134/S0021364013110088 . - ISSN 0021-3640
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Serzhantova, M. V.; Denisov, V. M.; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич
}
Найти похожие