Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (15)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=diffusion<.>)

Общее количество найденных документов : 56
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Сержантова, Мария Викторовна, Денисов, Виктор Михайлович, Томилин, Феликс Николаевич
Заглавие : Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736. - DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163. - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Михалева Н. С., Кузубов, Александр Александрович, Попов, Захар Иванович, Еремина А. Д., Высотин, Максим Александрович
Заглавие : Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 55
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--dft--diffusion--lithium--silicon
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Drozdova N. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : "γ-Fe problem" and epitaxial growth of fe on cu(001)
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.502-505. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.502. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ?-fe--cu-fe system--magneto-volume effect--solid-state synthesis--thin films--cu-fe system--interlayer formation--magnetic studies--magneto-volume effects--orientation relationship--pseudomorphic growth--residual gas--solid-state synthesis--ultra-thin--buffer layers--magnetic materials--mossbauer spectroscopy--thin films--epitaxial growth
Аннотация: We have observed the formation of a thin buffer layer on the Fe/Cu interface at a temperature of 520 K. Mossbauer spectroscopy and magnetic studies reveal that the residual gases in the chamber (especially oxygen) play an important role in the ultra-thin interlayer formation. It was shown that the Cu2O buffer layer does not change the Pitsh orientation relationships during epitaxial growth of ?-Fe(110) on Cu(001). Our analysis of the experimental results contradicts pseudomorphic growth and formation of ?-Fe on Cu(001). В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zobov V. E., Popov M. A.
Заглавие : A Monte Carlo study of the dependence of the growth parameter for trees on the lattice dimension in the Eden model
Место публикации : Theor. Math. Phys. - 2001. - Vol. 126, Is. 2. - P.270-279. - ISSN 0040-5779, DOI 10.1023/A:1005260114182
Примечания : Cited References: 17
Предметные рубрики: DIFFUSION-LIMITED AGGREGATION
BRANCHED POLYMERS
HIGH-TEMPERATURES
EXPANSION
TIME
Аннотация: We use the Monte Carlo method to compute the number of trees with n edges in the Eden model on d-dimensional simple cubic lattices for d = 2, 3, 4, 6, 8, 10. We compare these numbers with the exact data derived by the enumeration method up to n = 12 on the square lattice and up to n = 10 on the cubic lattice. We find that for d greater than or equal to 3, the computed values of the growth parameter for trees agree with the values that we derived earlier by the expansion in inverse powers of 2d - 1.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I.
Заглавие : Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon, as well as on its surface at different lithium concentrations
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P.133-134
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I., Visotin M. A., Galkin N. G.
Заглавие : Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon as well as on its surface
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed. N. Galkin: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 213: Physics and Technology of Nanostructured Materials II. - P.29-34. - ISSN 1662-9779, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.29. - ISSN 978-3-03785-970-4
Примечания : Cited References: 21
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ab initio calculations--diffusion--lithium-ion accumulators--silicon
Аннотация: Using the PAW DFT-GGA method and numerical solving of master equation the diffusion rates of lithium atoms inside both crystal and amorphous silicon of LixSi (x= 0.0.5) composition have been calculated for different temperatures. It is shown the diffusion rate for amorphous silicon is ~10 times greater than that for the crystal silicon. For both structures the rate is increased by 1.5-2 orders of magnitude while the lithium concentration is increased up to 0.5 value. This should result in that the LixSi/Si interface will be sharp. This fact has been further confirmed using molecular dynamic calculations based on Angular Dependent Potential (ADP) model. Also binding energies of Li atoms lying on different sites of Si (001) surface as well as the potential barriers for the atom jumps both along the surface and in the subsurface layers have been calculated. The data show the Li atoms move along the surface very easily but their jumps into subsurface layers are very difficult due to the high potential barrier values. В© (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364012030058
Примечания : Cited References: 28. - We are grateful to the Institute of Computational Modeling, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; the Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences; and the Computer Center, Siberian Federal University, for the use of their computer clusters for performing all calculations. This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013).
Предметные рубрики: ACCELERATED MOLECULAR-DYNAMICS
AB-INITIO
INFREQUENT EVENTS
SIMULATION
RELAXATION
HYDROGEN
POINTS
SI
Аннотация: The effect of the lattice deformation on potential barriers for the motion of a lithium atom in crystalline silicon has been studied through ab initio density functional calculations. A new universal method of calculating the diffusion coefficient of an admixture in amorphous solid media through the activation mechanism has been proposed on the basis of these data. The method is based on the calculation of the statistical distribution of potential barriers for the motion of an admixture atom between minima depending on the position of neighboring atoms. First, the amorphous structure, which is generated by annealing from the crystalline structure with vacancies, has been simulated. Then, the statistical distribution of the potential barriers in the amorphous structure for various local environments of the admixture atoms has been calculated by means of linear regression with the parameters determined for barriers in crystalline silicon subjected to different deformations. The diffusion coefficient of the admixture has been calculated from this distribution by using the Arrhenius formula. This method has been tested by the example of crystalline and amorphous silicon with admixture of lithium atoms. The method demonstrates that the diffusion of lithium in amorphous silicon is much faster than that in crystalline silicon; this relation is confirmed experimentally.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I., Fedorov A. S., Serzhantova M. V., Denisov V. M., Tomilin F. N.
Заглавие : Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it
Место публикации : JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P.634-638. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364013110088
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Krasnov P. O., Kuklin A. V., Kovaleva E. A., Kholtobina A. S.
Заглавие : Theoretical investigation of the adsorption and diffusion of hydrogen on the surface and in the bulk of the intermetallic compound Mg2Ni
Место публикации : Phys. Solid State: Pleiades Publishing, 2014. - Vol. 56, Is. 10. - P.2035-2042. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783414100187. - ISSN 1090-6460
Примечания : Cited References: 30
Предметные рубрики: STORAGE MATERIAL Mg2NiH4
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
MINIMUM ENERGY PATHS
ELASTIC BAND METHOD
TEMPERATURE STRUCTURE
SADDLE-POINTS
ALLOYS
TRANSITION
MAGNESIUM
Аннотация: The intermetallic compound Mg2Ni as a potential material for hydrogen storage has been investigated theoretically. The sorption and diffusion of a hydrogen atom in the bulk and on the surface of this material, as well as the step-by-step process of dissociative chemisorption of a H-2 molecule on the surface, have been considered. The dependence of the sorption energy of atomic hydrogen on the structural characteristics of the intermetallic compound Mg2Ni has been analyzed.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bayukov O. A., Bykova L. E., Zhigalov V. S., Bondarenko G. N.
Заглавие : Solid-state synthesis in Ni/Fe/MgO(001) epitaxial thin films
Место публикации :. - Vol. 80, Is. 7. - P.487-490. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/1.1839296
Примечания : Cited References: 34
Предметные рубрики: HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
BINARY DIFFUSION COUPLES
MARTENSITIC TRANSFORMATIONS
PHASE-FORMATION
MAGNETIC-PROPERTIES
SPIN DYNAMICS
INVAR-ALLOYS
IRON
TRANSITION
NUCLEATION
Аннотация: Solid-state synthesis in Ni/Fe/MgO(001) bilayer epitaxial thin films has been studied experimentally. The phase sequence Fe/Ni -- (similar to350degreesC)Ni(3)Fe -- (similar to400degreesC)NiFe -- (similar to550degreesC)gamma(par) is formed as the annealing temperature increases. The crystal structure in the invar region consists of epitaxially intergrown single-crystal blocks consisting of the paramagnetic gamma(par) and ferromagnetic NiFe phases, which satisfy the orientation relationship [100](001)NiFe parallel to [100](001)gamma(par). It has been shown that the nucleation temperatures of the Ni(3)Fe, NiFe, and gamma(par) phases coincide with the temperatures of solid-state transformations in the Ni-Fe system. (C) 2004 MAIK "Nauka/Interperiodica".
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bykova L. E., Matsynin A. A., Volochaev M. N., Zhigalov V. S., Tambasov I. A., Mikhlin Y. L., Velikanov D. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : Solid state synthesis of Mn5Ge3 in Ge/Ag/Mn trilayers: Structural and magnetic studies
Место публикации : J. Solid State Chem. - 2017. - Vol. 246. - P.379-387. - ISSN 00224596 (ISSN), DOI 10.1016/j.jssc.2016.12.010
Примечания : Cited References: 64. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (Grants # 15-02-00948-a, # 16-03-00069-a), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-1373.2016.3), and by the program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology (“UMNIK” program) # 6650GU/2015. The reported study was funded by RFBR and Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research project #, 16-42-243006. The XPS and TEM studies were carried out using the facilities of the Performance Service at Krasnoyarsk Scientific Center.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): long-range atomic transfer--mn-ge system--thin-film solid-state reaction--diffusion barrier--dominant diffusing species--first phase--mn5ge3 alloy
Аннотация: The thin-film solid-state reaction between elemental Ge and Mn across chemically inert Ag layers with thicknesses of (0, 0.3, 1 and 2.2 µm) in Ge/Ag/Mn trilayers was studied for the first time. The initial samples were annealed at temperatures between 50 and 500 °C at 50 °C intervals for 1 h. The initiation temperature of the reaction for Ge/Mn (without a Ag barrier layer) was ~ 120 °C and increased slightly up to ~ 250 °C when the Ag barrier layer thickness increased up to 2.2 µm. In spite of the Ag layer, only the ferromagnetic Mn5Ge3 compound and the Nowotny phase were observed in the initial stage of the reaction after annealing at 500 °C. The cross-sectional studies show that during Mn5Ge3 formation the Ge is the sole diffusing species. The magnetic and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) studies show an almost complete transfer of Ge atoms from the Ge film, via a 2.2 µm Ag barrier layer, into the Mn layer. We attribute the driving force of the long-range transfer to the long-range chemical interactions between reacting Mn and Ge atoms. © 2016 Elsevier Inc.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kononova O.N., Melnikov A.M., Borisova T.V., Krylov A. S.
Заглавие : Simultaneous ion exchange recovery of platinum and rhodium from chloride solutions
Место публикации : Hydrometallurgy. - 2011. - Vol. 105, Is. 3-4. - P.341-349. - JAN. - ISSN 0304-386X, DOI 10.1016/j.hydromet.2010.11.009
Примечания : Cited Reference Count: 46
Предметные рубрики: GROUP-METALS PGM
SEPARATION
CATALYST
ANION
ADSORPTION
EXTRACTION
CHEMISTRY
RESIN
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): platinum--rhodium--sorption--anion exchangers--chloride solutions--anion exchangers--chloride solutions--platinum--rhodium--sorption--ammonium thiocyanate--anion exchangers--basic parameters--chemical structure--chloride solutions--diffusion coefficients--distribution coefficient--exchange capacities--kinetic properties--noble metals--purolite--rhodium chloride--separation factors--sorption ability--work focus--ammonium compounds--chlorine compounds--desorption--hydrochloric acid--ion exchange--ion exchange resins--ions--platinum--platinum compounds--potassium hydroxide--precious metals--recovery--rhodium--sulfuric acid--thioureas--urea--rhodium compounds
Аннотация: This work focuses on the sorption recovery of platinum (II, IV) and rhodium (III) simultaneously present in chloride solutions, freshly prepared and stored over 3 months, on commercial anion exchangers with different physical and chemical structure. The sorption was carried out from solutions with 0.001-4.0 mol/L HCl. The initial platinum and rhodium concentrations in contacting solutions were 0.25-2.5 mmol/L Sorption and kinetic properties of the chosen anion exchangers were investigated and the basic parameters of exchange capacity, recovery, distribution coefficients, separation factors, process rate, diffusion coefficients and half-exchange times were calculated. It is shown that anion exchangers investigated possess high sorption ability to platinum and rhodium chloride complexes, which does not deteriorate in case of stored solutions. Desorption of platinum and rhodium from the resins investigated was carried out with hydrochloric acid (2 mol/L), thiourea (1 mol/L) in sulfuric acid (2 mol/L) or in potassium hydroxide (2 mol/L) as well as by ammonium thiocyanate (2 mol/L). It was shown that complete separation of platinum and rhodium can be carried out with 2 mol/L HCl on anion exchanger Purolite S 985, whereas 2 mol/L NH(4)SCN as an elution agent leads to complete separation of noble metals on anion exchangers Purolite S 985, Purolite A 500 and AM-2B. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
WOS,
Scopus,
eLibrary
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ryzhkov I. I., Shevtsova V. M.
Заглавие : Convective stability of multicomponent fluids in the thermogravitational column
Место публикации : Phys. Rev. E: AMER PHYSICAL SOC, 2009. - Vol. 79, Is. 2. - Ст.26308. - ISSN 1539-3755, DOI 10.1103/PhysRevE.79.026308
Примечания : Cited References: 26
Предметные рубрики: THERMAL-DIFFUSION
SORET COEFFICIENT
MIXTURES
SEPARATION
LIQUID
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): convection--density--flow instability--galerkin method--heat transfer--mass transfer--thermal diffusion--binary mixtures--fluids--galerkin methods--linear stability analysis--ternary systems--thermal diffusion--planes--binary fluids--convective stabilities--cross-diffusion effects--density stratifications--individual components--linear stabilities--longitudinal instabilities--longitudinal waves--multi-component fluids--separation ratios--soret effects--stability problems--temperature gradients--ternary fluids--ternary mixtures--thermal diffusion coefficients--transversal waves--vertical axis--vertical directions--system stability
Аннотация: A comprehensive linear stability analysis of convection in the thermogravitational column is first performed for multicomponent fluids. Two types of perturbations are investigated: Longitudinal waves propagating in vertical direction of the column and transversal waves propagating perpendicular to the vertical axis and temperature gradient. The stability problems are reduced to those without cross-diffusion effect by a special transformation. The calculations are performed for binary and ternary mixtures by the Galerkin method. It is found that in binary fluids, the onset of longitudinal instability can be monotonic or oscillatory depending on the separation ratio, which characterizes the Soret effect. The difference between stability characteristics of binary and ternary fluids is associated with different diffusion times of components in a ternary system. It is shown that the mechanism of transversal instability is related to the unstable density stratification in the column (in total or due to individual components). The unstable stratification can only be realized in fluids with negative Soret effect. The analogue of exchange of stabilities principle for a plane column with a multicomponent fluid is proved. The obtained results indicate that the thermogravitational column can be used for measuring diffusion and thermal diffusion coefficients in ternary and higher mixtures with one or several components having negative Soret effect.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Eremin E. V., Patrin G. S., Kim P. D., Lee C. G.
Заглавие : Response of a manganite-based magnetic tunnel structure to microwave radiation
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.125-128. - ISBN 978, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.125. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetic tunnel structure--microwave detection effect--spintronics--current flowing--current-in-plane geometry--magnetic tunnels--magnetization dynamics--microwave detection--non-linearity--rectification effects--spin-polarized currents--voltage signals--magnetic materials--magnetoelectronics--manganese oxide--microwaves--magnetism
Аннотация: We demonstrate that a magnetic tunnel structure irradiated by microwaves can generate a significant voltage signal due to the rectification effect. The measurements were carried out using current-in-plane geometry with a current flowing parallel to the interfaces in the structure. A value of the microwave-induced voltage strongly depends on a bias current and can be driven by a magnetic field. The rectification effect is discussed both in "Classical" terms of nonlinearity of the current-voltage characteristic and using a mechanism that involves the interplay between the spinpolarized current and magnetization dynamics in the magnetic tunnel structure. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Chzhan A.V., Patrin G.S., Isaeva I.N.
Заглавие : Photo-induced Relaxation Self-Oscillations of Stripe Structures in FeBO(3)
Место публикации : DEFECTS AND DIFFUSION IN METALS: AN ANNUAL RETROSPECTIVE XI. - STAFA-ZURICH: TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, 2009. - Vol. 293. - С. 115-119. - (Defect and Diffusion Forum Series). - ISBN 1012-0386
Примечания : Cited Reference Count: 6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): impurity centers--induced magnetic anisotropy--iron borate--relaxation
Аннотация: Photo-induced self-oscillations of stripe structures are studied in FeBO(3) crystals at low temperatures. Experimental data show that the observed oscillations have a relaxational character. On the basis of the research carried out, a model for such oscillations is presented.
WOS
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Iskhakov R. S., Stolyar S. V., Yakovchuk V.Yu., Chizhik M. V.
Заглавие : Peculiarity of the ferromagnetic and spin-wave resonance in exchangecoupled NiFe/X/NiFe three layer structures (X = Ag, Cu, DyCo)
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.459-462. - ISBN 1, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.459. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): acoustic mode--exchange coupling--ferromagnetic resonance--magnetic films--optic mode--sandwich--spin-wave resonance--mode number--optic modes--optical satellites--resonance field--sandwich--spin-wave mode--spin-wave resonance--three-layer structures--exchange coupling--ferromagnetic resonance--lattice vibrations--magnetic films--magnetic materials--spin waves--resonance
Аннотация: FMR and SWR spectra of exchange-coupled structures NiFe/Cu/NiFe, NiFe/Ag/NiFe and NiFe/DyCo/NiFe have been investigated. We revealed that the optical satellites of the exchange spin-wave modes are characterized not by the standard Kittle-dependence but by their own resonance field dependence on the mode number: Hr opt(n)?n 5/2. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Chernichenko A. V., Edelman I. S., Velikanov D. A., Marushchenko D. A., Turpanov I. A., Patrin G. S., Greben'kova Yu. E.
Заглавие : Peculiarities of magnetic properties of Ni-Ge layered films
Место публикации : TRENDS IN MAGNETISM. - 2011. - Vol. 168-169. - С. 261-264. - ISSN 10120394 (ISSN); 9783037850213 (ISBN), DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.261
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): exchange bias effect--magnetic properties--ni and ge mutual diffusion--ni-ge layer structures--surface morphology--antiferromagnetism--diffusion--germanium--magnetic properties--magnetization--morphology--phase interfaces--solids--germanium--magnetic properties--magnetization--nickel--surface morphology--temperature distribution--antiferromagnetic phase--exchange bias effects--ge films--layered films--low temperatures--magnetization temperature--mutual diffusion--ni and ge mutual diffusion--ni-ge layer structures--ge layers--surface morphology--magnetism
Аннотация: The surface morphology and magnetic properties of layered Ni-Ge films were investigated. The films surface has been shown to consist of the grains of 2 - 4 nm in height with the average radius of about 40-80 nm. Magnetization temperature dependences are different for FC and ZFC processes; in the latter case, the magnetization maximum is observed near the temperature T m?50K. The exchange bias effect is observed at low temperatures. The results are explained by the formation of the antiferromagnetic phase in the interface between Ni and Ge layers due to the Ge and Ni mutual diffusion.
Scopus,
eLibrary,
WOS
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Zharkov S. M., Altunin R. R., Belousov O. V., Solovyov L. A., Yumashev V. V., Volochaev M. N., Zeer G. M.
Заглавие : Peculiarities of Intermetallic Phase Formation in the Process of a Solid State Reaction in (Al/Cu)n Multilayer Thin Films
Место публикации : JOM. - 2021. - Vol. 73, Is. 2. - P.580-588. - ISSN 10474838 (ISSN), DOI 10.1007/s11837-020-04522-9
Примечания : Cited References: 44. - This work was supported by the Russian Science Foundation under Grant #18-13-00080. The electron microscopy investigations were conducted in the SFU Joint Scientific Center whose infrastructure was supported by the State assignment (#FSRZ-2020-0011) of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation. The preparation of cross-section samples for TEM investigations was conducted in the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center SB RAS”
Аннотация: Phase formation in a solid state reaction in Al/Cu bilayer and multilayer thin films was studied by the methods of in situ transmission electron microscopy, electron diffraction, simultaneous thermal analysis and x-ray diffraction. It was established that the phase formation sequences in the (Al/Cu)n (n = 2, 15) multilayer thin films (θ-Al2Cu → γ1-Al4Cu9 → η2-AlCu) and Al/Cu bilayer thin films (θ-Al2Cu → η2-AlCu → γ1-Al4Cu9) were different. It was assumed that the phase formation process in the thin films was strongly affected by a number of copper/aluminum interfaces due to the changes of aluminum and copper diffusion current.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие