Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (15)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=diffusion<.>)

Общее количество найденных документов : 56
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Сержантова, Мария Викторовна, Денисов, Виктор Михайлович, Томилин, Феликс Николаевич
Заглавие : Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736. - DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163. - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Михалева Н. С., Кузубов, Александр Александрович, Попов, Захар Иванович, Еремина А. Д., Высотин, Максим Александрович
Заглавие : Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 55
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--dft--diffusion--lithium--silicon
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Drozdova N. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : "γ-Fe problem" and epitaxial growth of fe on cu(001)
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.502-505. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.502. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ?-fe--cu-fe system--magneto-volume effect--solid-state synthesis--thin films--cu-fe system--interlayer formation--magnetic studies--magneto-volume effects--orientation relationship--pseudomorphic growth--residual gas--solid-state synthesis--ultra-thin--buffer layers--magnetic materials--mossbauer spectroscopy--thin films--epitaxial growth
Аннотация: We have observed the formation of a thin buffer layer on the Fe/Cu interface at a temperature of 520 K. Mossbauer spectroscopy and magnetic studies reveal that the residual gases in the chamber (especially oxygen) play an important role in the ultra-thin interlayer formation. It was shown that the Cu2O buffer layer does not change the Pitsh orientation relationships during epitaxial growth of ?-Fe(110) on Cu(001). Our analysis of the experimental results contradicts pseudomorphic growth and formation of ?-Fe on Cu(001). В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Sadreev A. F.
Заглавие : Thermoactivated transport of molecules H-2 in narrow single-wall carbon nanotubes
Коллективы : RFBR [0602-16132]
Разночтения заглавия :авие SCOPUS: Thermoactivated transport of molecules H 2 in narrow single-wall carbon nanotubes
Место публикации : Eur. Phys. J. B: SPRINGER, 2009. - Vol. 69, Is. 3. - P363-368. - ISSN 1434-6028, DOI 10.1140/epjb/e2009-00152-1
Примечания : Cited References: 40. - We are grateful to S. G. Ovchinnikov for discussions. This work has been supported by RFBR grant 0602-16132.
Предметные рубрики: DIFFUSION
NANOPORES
ENERGY
MOTION
FLUIDS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hydrogen molecule--inner potential--lennard-jones potential--periodic potentials--plane wave--potential surfaces--single-wall carbon nanotubes--thermal fluctuations--tube walls--carbon nanotubes--hydrogen--molecules--single-walled carbon nanotubes (swcn)
Аннотация: By use both of the plane wave DFT and the empirical exp-6 Lennard-Jones potential methods we calculate the inner potential in narrow single-wall carbon nanotubes (SWCNT) (6, 0), (7, 0) and (3, 3) which affects the hydrogen molecules. The inner potential forms a goffered potential surface and can be approximated as V(z,r,phi)a parts per thousand V(0)sin (2 pi z/a)+V(r). We show that in these SWCNTs transport of molecules is given mainly by thermoactivated hoppings between minima of the periodic potential along the tube axis. The rate hoppings is substantially depends on temperature because of thermal fluctuations of tube wall.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I.
Заглавие : Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon, as well as on its surface at different lithium concentrations
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P.133-134
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I., Visotin M. A., Galkin N. G.
Заглавие : Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon as well as on its surface
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed. N. Galkin: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 213: Physics and Technology of Nanostructured Materials II. - P.29-34. - ISSN 1662-9779, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.29. - ISSN 978-3-03785-970-4
Примечания : Cited References: 21
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ab initio calculations--diffusion--lithium-ion accumulators--silicon
Аннотация: Using the PAW DFT-GGA method and numerical solving of master equation the diffusion rates of lithium atoms inside both crystal and amorphous silicon of LixSi (x= 0.0.5) composition have been calculated for different temperatures. It is shown the diffusion rate for amorphous silicon is ~10 times greater than that for the crystal silicon. For both structures the rate is increased by 1.5-2 orders of magnitude while the lithium concentration is increased up to 0.5 value. This should result in that the LixSi/Si interface will be sharp. This fact has been further confirmed using molecular dynamic calculations based on Angular Dependent Potential (ADP) model. Also binding energies of Li atoms lying on different sites of Si (001) surface as well as the potential barriers for the atom jumps both along the surface and in the subsurface layers have been calculated. The data show the Li atoms move along the surface very easily but their jumps into subsurface layers are very difficult due to the high potential barrier values. В© (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364012030058
Примечания : Cited References: 28. - We are grateful to the Institute of Computational Modeling, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; the Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences; and the Computer Center, Siberian Federal University, for the use of their computer clusters for performing all calculations. This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013).
Предметные рубрики: ACCELERATED MOLECULAR-DYNAMICS
AB-INITIO
INFREQUENT EVENTS
SIMULATION
RELAXATION
HYDROGEN
POINTS
SI
Аннотация: The effect of the lattice deformation on potential barriers for the motion of a lithium atom in crystalline silicon has been studied through ab initio density functional calculations. A new universal method of calculating the diffusion coefficient of an admixture in amorphous solid media through the activation mechanism has been proposed on the basis of these data. The method is based on the calculation of the statistical distribution of potential barriers for the motion of an admixture atom between minima depending on the position of neighboring atoms. First, the amorphous structure, which is generated by annealing from the crystalline structure with vacancies, has been simulated. Then, the statistical distribution of the potential barriers in the amorphous structure for various local environments of the admixture atoms has been calculated by means of linear regression with the parameters determined for barriers in crystalline silicon subjected to different deformations. The diffusion coefficient of the admixture has been calculated from this distribution by using the Arrhenius formula. This method has been tested by the example of crystalline and amorphous silicon with admixture of lithium atoms. The method demonstrates that the diffusion of lithium in amorphous silicon is much faster than that in crystalline silicon; this relation is confirmed experimentally.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I., Fedorov A. S., Serzhantova M. V., Denisov V. M., Tomilin F. N.
Заглавие : Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it
Место публикации : JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P.634-638. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364013110088
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Krasnov P. O., Kuklin A. V., Kovaleva E. A., Kholtobina A. S.
Заглавие : Theoretical investigation of the adsorption and diffusion of hydrogen on the surface and in the bulk of the intermetallic compound Mg2Ni
Место публикации : Phys. Solid State: Pleiades Publishing, 2014. - Vol. 56, Is. 10. - P.2035-2042. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783414100187. - ISSN 1090-6460
Примечания : Cited References: 30
Предметные рубрики: STORAGE MATERIAL Mg2NiH4
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
MINIMUM ENERGY PATHS
ELASTIC BAND METHOD
TEMPERATURE STRUCTURE
SADDLE-POINTS
ALLOYS
TRANSITION
MAGNESIUM
Аннотация: The intermetallic compound Mg2Ni as a potential material for hydrogen storage has been investigated theoretically. The sorption and diffusion of a hydrogen atom in the bulk and on the surface of this material, as well as the step-by-step process of dissociative chemisorption of a H-2 molecule on the surface, have been considered. The dependence of the sorption energy of atomic hydrogen on the structural characteristics of the intermetallic compound Mg2Ni has been analyzed.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Ignatchenko V. A., Tsikalov D. S.
Заглавие : Spin waves in multilayers with different magnitudes of the magnetization, exchange, and anisotropy
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.71-74. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.71. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): band gaps--magnonic crystals--rectangular and sinusoidal modulation--spin waves--superlattices--adjacent layers--magnetic parameters--magnon crystals--magnonic crystals--material parameter--sinusoidal modulation--spin-wave spectrum--energy gap--magnetic materials--spin waves--superlattices--multilayers
Аннотация: The spin-wave spectrum in one-dimensional magnon crystals - periodic superlattices (SLs) is investigated for the rectangular and sinusoidal modulation profile of the material parameters. The dependences of band gaps in the spectrum on both the difference of the magnetic parameters in adjacent layers and the ratio of the layer thicknesses are calculated. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Ignatchenko V. A., Polukhin D. S.
Заглавие : Spin and elastic waves with the random coupling parameter
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.51-54. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.51. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): dynamic susceptibility--elastic waves--inhomogeneities--magnetoelastic coupling--self-consistent approximation--spin waves--anti-resonance--dispersion law--dynamic susceptibility--inhomogeneities--magnetoelastic couplings--magnetoelastic waves--narrow resonances--physical nature--random couplings--self-consistent approximation--wave numbers--wavefields--green's function--magnetic materials--magnetic susceptibility--spin waves--elastic waves
Аннотация: Dynamic susceptibilities (Green's function) in a system of two wave fields of different physical nature connected by the zero-mean random coupling parameter are studied. Magnetoelastic waves in zero-mean magnetostrictive media are considered. It is shown that the Green's functions of the spin G? m(?) and elastic G? u(?) waves at the intersection of the initial dispersion laws have the form of broad single-mode peaks with the fine structure on the tops of these peaks: the narrow resonance on the top of G? m(?) and the narrow antiresonance on the top of G? u(?) For the longwave inhomogeneities the widths of the broad peaks and narrow peaks are determined by the rootmean- square fluctuation and the correlation wave number, respectively. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Ignatchenko V. A., Pozdnyakov A. V.
Заглавие : Spectral properties of superlattices with anisotropic inhomogeneities. The transition from 3D to 2D disorder
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.597-600. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.597. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): anisotropic inhomogeneities--dos--green function--superlattice--susceptibility--waves--anisotropic inhomogeneities--continuous transitions--correlation properties--density of state--dynamic susceptibility--inhomogeneities--spectral properties--wave numbers--dos--green's function--magnetic materials--magnetic susceptibility--superlattices--three dimensional--waves--anisotropy
Аннотация: Waves in superlattice (SL) contained inhomogeneities with anisotropic correlation properties are considered. The anisotropy of the correlation during the transition from 3D to 2D disorder is characterized by the parameter ? 1 = k ||/k?-1, where k || and k? are the correlation wave numbers along the axis of the SL and in the plane of the its layers, respectively (r || =k || -1 and r?=k?-1 are the correlation radii). Dependencies of both the dynamic susceptibility and density of states at the continuous transition from the isotropic three-dimensional inhomogeneities (? 1 = 0) to the twodimensional ones (? 1 = -1) have been obtained. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ignatchenko V. A., Pozdnyakov A. V.
Заглавие : Spectral properties of superlattices with anisotropic inhomogeneities. The transition from 3D to 1D disorder
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P.85-88. - ISSN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.85. - ISSN 9783037850213
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): anisotropic inhomogeneities--dos--green's function--superlattice--susceptibility--waves--anisotropic inhomogeneities--continuous transitions--correlation properties--density of state--dynamic susceptibility--inhomogeneities--spectral properties--susceptibility--wave numbers--differential equations--magnetic susceptibility--superlattices--three dimensional--anisotropy
Аннотация: Waves in the superlattice (SL) contained inhomogeneities with anisotropic correlation properties are considered. The anisotropy of the correlations is characterized by the parameter ? = 1-k? / k ?, where k ? and k? are the correlation wave numbers along the axis of the SL and in the plane of its layers, respectively (r ? k ?-1 and r? = k?-1 are the correlation radii). Dependencies of both the dynamic susceptibility and density of states at the continuous transition from the isotropic three-dimensional inhomogeneities (? = 0 ) to the one-dimensional ones (? =1) have been obtained.
Scopus,
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-79951935984&partnerID=40&md5=7897afbfe65d66e8eb402827cc610bd1
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bayukov O. A., Bykova L. E., Zhigalov V. S., Bondarenko G. N.
Заглавие : Solid-state synthesis in Ni/Fe/MgO(001) epitaxial thin films
Место публикации :. - Vol. 80, Is. 7. - P.487-490. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/1.1839296
Примечания : Cited References: 34
Предметные рубрики: HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
BINARY DIFFUSION COUPLES
MARTENSITIC TRANSFORMATIONS
PHASE-FORMATION
MAGNETIC-PROPERTIES
SPIN DYNAMICS
INVAR-ALLOYS
IRON
TRANSITION
NUCLEATION
Аннотация: Solid-state synthesis in Ni/Fe/MgO(001) bilayer epitaxial thin films has been studied experimentally. The phase sequence Fe/Ni -- (similar to350degreesC)Ni(3)Fe -- (similar to400degreesC)NiFe -- (similar to550degreesC)gamma(par) is formed as the annealing temperature increases. The crystal structure in the invar region consists of epitaxially intergrown single-crystal blocks consisting of the paramagnetic gamma(par) and ferromagnetic NiFe phases, which satisfy the orientation relationship [100](001)NiFe parallel to [100](001)gamma(par). It has been shown that the nucleation temperatures of the Ni(3)Fe, NiFe, and gamma(par) phases coincide with the temperatures of solid-state transformations in the Ni-Fe system. (C) 2004 MAIK "Nauka/Interperiodica".
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Bykova L. E., Matsynin A. A., Volochaev M. N., Zhigalov V. S., Tambasov I. A., Mikhlin Y. L., Velikanov D. A., Bondarenko G. N.
Заглавие : Solid state synthesis of Mn5Ge3 in Ge/Ag/Mn trilayers: Structural and magnetic studies
Место публикации : J. Solid State Chem. - 2017. - Vol. 246. - P.379-387. - ISSN 00224596 (ISSN), DOI 10.1016/j.jssc.2016.12.010
Примечания : Cited References: 64. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (Grants # 15-02-00948-a, # 16-03-00069-a), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-1373.2016.3), and by the program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology (“UMNIK” program) # 6650GU/2015. The reported study was funded by RFBR and Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research project #, 16-42-243006. The XPS and TEM studies were carried out using the facilities of the Performance Service at Krasnoyarsk Scientific Center.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): long-range atomic transfer--mn-ge system--thin-film solid-state reaction--diffusion barrier--dominant diffusing species--first phase--mn5ge3 alloy
Аннотация: The thin-film solid-state reaction between elemental Ge and Mn across chemically inert Ag layers with thicknesses of (0, 0.3, 1 and 2.2 µm) in Ge/Ag/Mn trilayers was studied for the first time. The initial samples were annealed at temperatures between 50 and 500 °C at 50 °C intervals for 1 h. The initiation temperature of the reaction for Ge/Mn (without a Ag barrier layer) was ~ 120 °C and increased slightly up to ~ 250 °C when the Ag barrier layer thickness increased up to 2.2 µm. In spite of the Ag layer, only the ferromagnetic Mn5Ge3 compound and the Nowotny phase were observed in the initial stage of the reaction after annealing at 500 °C. The cross-sectional studies show that during Mn5Ge3 formation the Ge is the sole diffusing species. The magnetic and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) studies show an almost complete transfer of Ge atoms from the Ge film, via a 2.2 µm Ag barrier layer, into the Mn layer. We attribute the driving force of the long-range transfer to the long-range chemical interactions between reacting Mn and Ge atoms. © 2016 Elsevier Inc.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kononova O.N., Melnikov A.M., Borisova T.V., Krylov A. S.
Заглавие : Simultaneous ion exchange recovery of platinum and rhodium from chloride solutions
Место публикации : Hydrometallurgy. - 2011. - Vol. 105, Is. 3-4. - P.341-349. - JAN. - ISSN 0304-386X, DOI 10.1016/j.hydromet.2010.11.009
Примечания : Cited Reference Count: 46
Предметные рубрики: GROUP-METALS PGM
SEPARATION
CATALYST
ANION
ADSORPTION
EXTRACTION
CHEMISTRY
RESIN
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): platinum--rhodium--sorption--anion exchangers--chloride solutions--anion exchangers--chloride solutions--platinum--rhodium--sorption--ammonium thiocyanate--anion exchangers--basic parameters--chemical structure--chloride solutions--diffusion coefficients--distribution coefficient--exchange capacities--kinetic properties--noble metals--purolite--rhodium chloride--separation factors--sorption ability--work focus--ammonium compounds--chlorine compounds--desorption--hydrochloric acid--ion exchange--ion exchange resins--ions--platinum--platinum compounds--potassium hydroxide--precious metals--recovery--rhodium--sulfuric acid--thioureas--urea--rhodium compounds
Аннотация: This work focuses on the sorption recovery of platinum (II, IV) and rhodium (III) simultaneously present in chloride solutions, freshly prepared and stored over 3 months, on commercial anion exchangers with different physical and chemical structure. The sorption was carried out from solutions with 0.001-4.0 mol/L HCl. The initial platinum and rhodium concentrations in contacting solutions were 0.25-2.5 mmol/L Sorption and kinetic properties of the chosen anion exchangers were investigated and the basic parameters of exchange capacity, recovery, distribution coefficients, separation factors, process rate, diffusion coefficients and half-exchange times were calculated. It is shown that anion exchangers investigated possess high sorption ability to platinum and rhodium chloride complexes, which does not deteriorate in case of stored solutions. Desorption of platinum and rhodium from the resins investigated was carried out with hydrochloric acid (2 mol/L), thiourea (1 mol/L) in sulfuric acid (2 mol/L) or in potassium hydroxide (2 mol/L) as well as by ammonium thiocyanate (2 mol/L). It was shown that complete separation of platinum and rhodium can be carried out with 2 mol/L HCl on anion exchanger Purolite S 985, whereas 2 mol/L NH(4)SCN as an elution agent leads to complete separation of noble metals on anion exchangers Purolite S 985, Purolite A 500 and AM-2B. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
WOS,
Scopus,
eLibrary
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Eremin E. V., Patrin G. S., Kim P. D., Lee C. G.
Заглавие : Response of a manganite-based magnetic tunnel structure to microwave radiation
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.125-128. - ISBN 978, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.125. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetic tunnel structure--microwave detection effect--spintronics--current flowing--current-in-plane geometry--magnetic tunnels--magnetization dynamics--microwave detection--non-linearity--rectification effects--spin-polarized currents--voltage signals--magnetic materials--magnetoelectronics--manganese oxide--microwaves--magnetism
Аннотация: We demonstrate that a magnetic tunnel structure irradiated by microwaves can generate a significant voltage signal due to the rectification effect. The measurements were carried out using current-in-plane geometry with a current flowing parallel to the interfaces in the structure. A value of the microwave-induced voltage strongly depends on a bias current and can be driven by a magnetic field. The rectification effect is discussed both in "Classical" terms of nonlinearity of the current-voltage characteristic and using a mechanism that involves the interplay between the spinpolarized current and magnetization dynamics in the magnetic tunnel structure. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kolovsky A. R., Korsch H. J.
Заглавие : Quantum diffusion in a biased kicked Harper system
Место публикации : Phys. Rev. E: AMER PHYSICAL SOC, 2003. - Vol. 68, Is. 4. - Ст.46202. - ISSN 1539-3755, DOI 10.1103/PhysRevE.68.046202
Примечания : Cited References: 17
Предметные рубрики: WANNIER-STARK RESONANCES
SPECTRAL STATISTICS
CLASSICAL DIFFUSION
CHAOTIC DIFFUSION
COORDINATE
MODEL
Аннотация: Quantum diffusion in a biased kicked Harper system, modeling field-induced transport in superlattices, is studied for fully chaotic dynamics of the underlying classical system. Under these conditions, the classical transport is diffusive whereas the quantum diffusion can be either enhanced or suppressed for commensurable or incommensurable ratio of the Bloch period to the driving period, respectively. The quantum transport properties are related to the statistical properties of the quasienergy spectra as described by random matrix theory.
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие